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分立半导体
数据表
PPC5001T
NPN微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年11月数据
在分离式半导体文件， SC15
1997年3月03
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻，提供出色的
电流共享和承受高VSWR
叉指结构提供了高效率的发射器
镀金实现非常稳定的特性
和优良的一生
多单元的几何形状给人消散良好的平衡
功率和低热阻
手册， halfpage
PPC5001T
钉扎 - SOT447A
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
应用
用于在共集电极振荡器电路中使用
军事和专业应用高达5GHz的。
描述
NPN硅平面外延微波功率晶体管
一个SOT447A金属陶瓷法兰封装。
2
SIDE VIEW
标识代码：
395
MAM331
c
1
b
e
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在一个振荡器电路高达5千兆赫;典型值。
操作模式
A级（ CW）
f
（千兆赫）
5
V
CE
(V)
20
I
C
（MA ）
200
P
L
（ mW）的
450
1997年3月03
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
记
1.取0.1毫米的情况下。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
焊接温度
t
≤
10秒;注1
T
AMB
≤
75
°C
条件
发射极开路
R
BE
= 70
发射极开路
集电极开路
65
分钟。
PPC5001T
马克斯。
40
35
16
3
0.25
4
+200
200
235
单位
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C
手册，
5
MGD975
P合计最大
(W)
4
3
2
1
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
Fig.2
功耗降额的函数
安装底座的温度。
1997年3月03
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
条件
T
j
= 75
°C
PPC5001T
马克斯。
24
单位
K / W
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CER
C
cb
C
ce
C
eb
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
条件
V
CB
= 24 V ;我
E
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
I
C
= 500
A;
I
E
= 0
V
CB
= 18 V; V
EB
= 1.5 V;
I
E
= I
C
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 18 V; V
EB
= 1.5 V;
I
E
= I
C
= 0; F = 1 MHz的
V
CB
= 10 V; V
EB
= 1 V;
I
C
= I
E
= 0; F = 1 MHz的
40
35
分钟。
1.4
0.9
5.5
典型值。
马克斯。
100
200
单位
A
nA
V
V
pF
pF
pF
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 2.5毫安;
BE
= 70
1997年3月03
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
PPC5001T
手册，全页宽
1
0.5
2
8 GHz的
0.2
5
10
+
j
0
j
10
5
0.2
5
6
0.2
0.5
1
2
5
10
7
∞
0.5
1
V
CE
= 20V;我
C
= 200毫安;
o
= 50
.
2
MGL033
图3发射器的反射系数。
手册，全页宽
1
0.5
8 GHz的
2
0.2
5
7
5
10
+
j
0
j
0.2
6
0.5
1
2
5
10
∞
10
0.2
5
0.5
1
V
CE
= 20V;我
C
= 200毫安;
o
= 50
.
2
MGL034
图4基本反射系数
1997年3月03
5
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