PBSS8110Y
100 V ，1 A NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
版本01 - 2004年6月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN低V
CESAT
晶体管在SOT363 （ SC- 88 ）塑料封装。
1.2产品特点
s
s
s
s
SOT363封装
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高英法fi效率减少热量的产生。
1.3应用
s
主要应用领域：
x
汽车42 V电源
x
电信基础设施
x
工业。
s
外围设备驱动程序：
x
驾驶员在低电源电压应用（如灯和LED灯）
x
感性负载的驱动程序（如继电器，蜂鸣器和电机） 。
s
直流 - 直流转换器。
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
导通电阻的等效
条件
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
100
1
3
200
单位
V
A
A
m
飞利浦半导体
PBSS8110Y
100 V ，1 A NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
2.管脚信息
表2：
针
1, 2, 5, 6
3
4
离散钉扎
描述
集热器
BASE
辐射源
6
5
4
3
4
1
2
3
SOT363
sym014
简化的轮廓
符号
1, 2, 5, 6
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
PBSS8110Y
-
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT363
类型编号
4.标记
表4：
记号
标识代码
[1]
81*
类型编号
PPBSS8110Y
[1]
* = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
连续集电极电流
连续基极电流
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
J（下最大）
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
120
100
5
3
1
0.3
290
480
625
单位
V
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
9397 750 12567
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
版本01 - 2004年6月2日
2 13
飞利浦半导体
PBSS8110Y
100 V ，1 A NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
表5：
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
结温
工作环境
温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在FR4印刷电路板，单双面铜，镀锡，标准的足迹。
设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，镀锡， 1厘米
2
集热器安装
垫。
设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，镀锡， 6厘米
2
集热器安装
垫。
600
P
合计
（ mW）的
(1)
001aaa796
400
(2)
200
0
0
40
80
120
160
T
AMB
(°C)
（1） 1厘米
2
集热器的安装盘。
（ 2 ）标准的足迹。
图1.功率降额曲线。
6.热特性
表6：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结
到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
典型值
431
260
200
85
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（ J- S）
[1]
[2]
[3]
9397 750 12567
热阻结
到焊接点
在自由空气
[1]
设备安装在FR4印刷电路板，单双面铜，镀锡，标准的足迹。
设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，镀锡， 1厘米
2
集热器安装
垫。
设备安装在FR4印刷电路板，单面铜，镀锡， 6厘米
2
集热器安装
垫。
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
版本01 - 2004年6月2日
3 13
QQ：2881677436 复制
