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光电晶体管
PNZ163NC
硅NPN光电晶体管
3.5±0.3
门休息
2.4 1.1 0.8最大。
1.1
0.8
单位:mm
3.0±0.3
1.95±0.25
1.4±0.2
0.9
0.5
对于光控系统
特点
高灵敏度
响应速度快:吨
r
= 4
s
(典型值)。
采用可见光截止树脂
超小型,超薄侧视型封装
1.1
R0.5
12 MIN 。
没有焊接2.15最大。
2-0.5±0.15
0.3±0.15
2
2.54
1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
评级
20
20
50
-25至+85
-30到+100
单位
V
mA
mW
C
C
1 :收藏家
2 :发射器
光电特性
( TA = 25°C )
参数
暗电流
灵敏度红外线发射器
峰值灵敏度波长
验收半角
上升时间
下降时间
集电极饱和电压
*1
*2
符号
I
首席执行官
S
IR*1
λ
P
θ
t
r*2
t
f*2
V
CE ( SAT )
V
CE
= 10V
条件
V
CE
= 10V , H = 15μW /厘米
2
V
CE
= 10V
测量从光轴到半功率点
V
CC
= 10V ,我
CE (L)的
= 5毫安
R
L
= 100
I
CE (L)的
= 3μA , H = 15μW /厘米
2
6
典型值
最大
0.2
40
单位
A
A
nm
度。
s
s
850
25
4
4
0.5
V
测量是使用红外光( λ = 940纳米)作为光源进行。
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
(输入脉冲)
Sig.OUT (输出脉冲)
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
:延迟时间
t
r
:上升时间(所需要的时间,以收集光电流
从10%提高到90%其最终值的)
t
f
:下降时间(时间要求的集电极电流照片
减少从90%到其初始值的10%)
,,
,,
,,
50
R
L
1
PHOTOTRANSISTOR
PNZ163NC
P
C
- TA
60
3.0
I
CE (L)的
— V
CE
10
2
I
CE (L)的
— L
I
CE (L)的
(MA )
V
CE
= 10V
TA = 25°C
T = 2856K
集电极耗散功率P
C
( mW)的
50
I
CE (L)的
(MA )
TA = 25°C
T = 2856K
2.5
L = 1000 LX
10
40
2.0
集电极电流照片
集电极电流照片
30
1.5
LX 500
1.0
1
20
10
–1
10
0.5
LX 100
0
– 20
0
20
40
60
80
100
0
0
4
8
12
16
20
24
10
–2
1
10
10
2
10
3
环境温度
的Ta ( ℃)
集电极到发射极电压
V
CE
(V)
照度
L( LX )
I
首席执行官
- TA
10
2
I
CE (L)的
- TA
10
2
光谱灵敏度特性
100
V
CE
= 10V
TA = 25°C
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
T = 2856K
I
CE (L)的
(MA )
暗电流I
首席执行官
( nA的)
10
10
S (%)
相对灵敏度
0
40
80
120
80
1
集电极电流照片
60
40
1
10
–1
20
10
–2
– 20
0
20
40
60
80
100
10
–1
– 40
0
600
700
800
900
1000 1100 1200
环境温度
的Ta ( ℃)
环境温度
的Ta ( ℃)
波长
λ
(纳米)
指向特性
0
100
10
20
10
4
t
r
— I
CE (L)的
V
CC
= 10V
TA = 25°C
10
4
t
f
— I
CE (L)的
V
CC
= 10V
TA = 25°C
80
70
60
50
40
30
20
相对灵敏度S (%)
90
30
10
3
10
3
t
r
(s)
40
50
60
70
80
90
10
2
t
f
(s)
下降时间
10
2
R
L
= 1k
500
100
1
上升时间
10
R
L
= 1k
500
100
10
1
10
–1
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
–1
10
–2
10
–1
1
10
10
2
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
2
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