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光电晶体管
PNZ0158
硅NPN光电晶体管
单位:mm
对于光控系统
4.5±0.3
1.2
没有焊接
2.9±0.25
2.4
3.9±0.3
2.4 1.5
特点
高灵敏度
响应速度快:吨
r
= 4
s
(典型值)。
宽的光谱灵敏度,适用于检测各种发光二极管
体积小,超薄侧视型封装
12.8分钟。
0.9
1.7±0.2
0.8
2.8
2-1.2±0.3
2-0.45±0.15
1
2.54
R1.2
R0.6
2
0.45±0.15
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
评级
20
20
100
-25至+85
-30到+100
单位
V
mA
mW
C
C
1 :发射器
2 :收藏家
光电特性
( TA = 25°C )
参数
暗电流
集电极电流照片
峰值灵敏度波长
验收半角
响应时间
集电极饱和电压
*1
*2
符号
I
首席执行官
I
CE (L)的
λ
P
θ
t
r
, t
f*2
V
CE ( SAT )
V
CE
= 10V
条件
V
CE
= 10V ,L = 500勒克司
*1
V
CE
= 10V
测量从光轴到半功率点
V
CC
= 10V ,我
CE (L)的
= 5毫安,R
L
= 100
I
CE (L)的
= 1mA时, L = 1000 LX
*1
1
典型值
0.01
4
800
40
4
0.2
最大
1
单位
A
mA
nm
度。
10
0.5
s
V
测量是采用钨灯(色温Tc = 2856K )作为光源进行。
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
(输入脉冲)
Sig.OUT (输出脉冲)
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
:延迟时间
t
r
:上升时间(所需要的时间,以收集光电流
从10%提高到90%其最终值的)
t
f
:下降时间(时间要求的集电极电流照片
减少从90%到其初始值的10%)
,,
,,
,,
50
R
L
1
光电晶体管
PNZ0158
P
C
- TA
120
20
I
CE (L)的
— V
CE
TA = 25°C
T = 2856K
10
2
I
CE (L)的
— L
I
CE (L)的
(MA )
V
CE
= 10V
TA = 25°C
T = 2856K
集电极耗散功率P
C
( mW)的
100
I
CE (L)的
(MA )
16
L = 2000 LX
1750 LX
1500 LX
1250 LX
1000 LX
8
LX 750
4
LX 500
LX 250
0
LX 100
0
4
8
12
16
20
24
10
80
集电极电流照片
60
集电极电流照片
12
1
10
–1
40
20
10
–2
0
– 20
0
20
40
60
80
100
10
–3
1
10
10
2
10
3
10
4
环境温度
的Ta ( ℃)
集电极到发射极电压
V
CE
(V)
照度
L( LX )
I
CE (L)的
- TA
10
2
I
首席执行官
- TA
10
V
CE
= 10V
100
光谱灵敏度特性
V
CE
= 10V
TA = 25°C
V
CE
= 10V
T = 2856K
I
CE (L)的
(MA )
I
首席执行官
(A)
1
S (%)
相对灵敏度
0
40
80
120
80
集电极电流照片
60
L = 1000 LX
10
LX 500
暗电流
10
–1
40
10
–2
20
1
– 40
0
40
80
120
10
–3
– 40
0
200
400
600
800
1000
1200
环境温度
的Ta ( ℃)
环境温度
的Ta ( ℃)
波长
λ
(纳米)
指向特性
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
20
10
3
t
r
— I
CE (L)的
V
CC
= 10V
TA = 25°C
10
3
t
f
— I
CE (L)的
V
CC
= 10V
TA = 25°C
相对灵敏度S (%)
30
10
2
10
2
t
r
(s)
t
f
(s)
R
L
= 1k
10
500
100
1
R
L
= 1k
10
500
100
1
40
50
60
70
80
90
上升时间
10
–1
下降时间
10
–1
10
–2
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
–2
10
–2
10
–1
1
10
10
2
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
2
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