光电晶体管
PNZ0155
硅NPN光电晶体管
单位：mm
没有焊接0.8最大。
对于光控系统
1.5±0.2
2.1±0.15
1.6±0.15
0.8±0.1
特点
高灵敏度
宽的光谱灵敏度，适合用于检测的GaAs发光二极管
低暗电流
12.8分钟。
3.9±0.25
4.5±0.15
3.5±0.15
扁平式塑料封装
(2.95)
2-1.2±0.3
2-0.45±0.15
1
2
2.54±0.2
0.45±0.2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极到发射极电压
发射极到集电极的电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
评级
20
5
10
100
-25至+85
-30到+100
单位
V
V
mA
mW
C
C
1 ：发射器
2 ：收藏家
光电特性
（ TA = 25°C ）
参数
暗电流
集电极电流照片
峰值灵敏度波长
验收半角
响应时间
集电极饱和电压
*1
*2
符号
I
首席执行官
I
CE(L)*1
λ
P
θ
t
r
, t
f
*2
条件
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V ， L = 100 LX
V
CE
= 10V
测量从光轴到半功率点
V
CC
= 10V ，我
CE （L）的
= 1毫安，R
L
= 100
I
CE （L）的
= 1mA时， L = 1000 LX
民
0.05
典型值
0.01
0.2
800
70
4
0.2
最大
1
单位
A
mA
nm
度。
s
V
CE(sat)*1
0.5
V
测量是采用钨灯（色温Tc = 2856K ）作为光源进行。
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
（输入脉冲）
Sig.OUT （输出脉冲）
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
：延迟时间
t
r
：上升时间（所需要的时间，以收集光电流
从10％提高到90％其最终值的）
t
f
：下降时间（时间要求的集电极电流照片
减少从90％到其初始值的10％）
,,
,,
,,
50
R
L
1
QQ：2881677436 复制
