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光电晶体管
PNA1801
硅NPN光电晶体管
单位:mm
没有焊接2.0最大。
对于光控系统
特点
高灵敏度
宽的光谱灵敏度,适合用于检测的GaAs发光二极管
体积小,输出功率高,成本低
3塑料包装
15.0±1.0
4.5±0.3
3.8±0.2
3.0±0.2
5.0±0.2
0.6
2-0.8最大。
2-0.5±0.1
2
0.5±0.1
1.0
(1.5)
1
2.54
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极到发射极电压
发射极到集电极的电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
评级
30
5
20
100
-25至+85
-30到+100
单位
V
V
mA
mW
C
C
1.7
1 :发射器
2 :收藏家
光电特性
( TA = 25°C )
参数
暗电流
集电极电流照片
峰值灵敏度波长
验收半角
响应时间
集电极饱和电压
*1
*2
符号
I
首席执行官
I
CE (L)的
λ
P
θ
t
r
, t
f*2
V
CE ( SAT )
V
CE
= 10V
条件
V
CE
= 10V ,L = 500勒克司
*1
V
CE
= 10V
测量从光轴到半功率点
V
CC
= 10V ,我
CE (L)的
= 1毫安,R
L
= 100
I
CE (L)的
= 1mA时, L = 1000 LX
*1
0.8
典型值
0.005
3
800
35
4
0.2
最大
0.5
单位
A
mA
nm
度。
s
0.5
V
测量是采用钨灯(色温Tc = 2856K )作为光源进行。
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
(输入脉冲)
Sig.OUT (输出脉冲)
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
:延迟时间
t
r
:上升时间(所需要的时间,以收集光电流
从10%提高到90%其最终值的)
t
f
:下降时间(时间要求的集电极电流照片
减少从90%到其初始值的10%)
,,
,,
,,
50
R
L
1
光电晶体管
PNA1801
P
C
- TA
120
20
I
CE (L)的
— V
CE
TA = 25°C
T = 2856K
10
3
I
CE (L)的
— L
I
CE (L)的
(MA )
V
CE
= 10V
TA = 25°C
T = 2856K
P
C
( mW)的
100
I
CE (L)的
(MA )
16
L = 2000 LX
1750 LX
1500 LX
1250 LX
1000 LX
8
LX 750
4
LX 500
LX 250
0
LX 100
0
4
8
12
16
20
24
10
2
集电极耗散功率
80
集电极电流照片
60
集电极电流照片
12
10
1
40
20
10
–1
0
– 20
0
20
40
60
80
100
10
–2
1
10
10
2
10
3
10
4
周围温度Ta ( ℃)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
照度L( LX )
I
首席执行官
- TA
10
3
I
CE (L)的
- TA
10
2
光谱灵敏度特性
100
V
CE
= 10V
TA = 25°C
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
T = 2856K
I
CE (L)的
(MA )
I
首席执行官
( nA的)
10
2
10
L = 1000 LX
LX 500
S (%)
相对灵敏度
80
暗电流
10
集电极电流照片
60
40
1
1
20
10
–1
– 40
0
40
80
120
10
–1
– 40
0
40
80
120
0
200
400
600
800
1000
1200
周围温度Ta ( ℃)
周围温度Ta ( ℃)
波长
λ
(纳米)
指向特性
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
20
10
4
t
r
— I
CE (L)的
TA = 25°C
10
4
t
f
— I
CE (L)的
TA = 25°C
相对灵敏度S (%)
30
10
3
10
3
t
r
(s)
40
50
60
70
80
90
10
2
R
L
= 1k
10
500
100
1
t
f
(s)
下降时间
10
2
R
L
= 1k
10
500
100
1
上升时间
10
–1
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
–1
10
–2
10
–1
1
10
10
2
珍藏照片电流I
CE (L)的
(MA )
珍藏照片电流I
CE (L)的
(MA )
2
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    -
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