【小信号晶体管TO- 92案例（续）型号描述LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VC】,IC型号PN918,PN918 PDF资料,PN918经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB

CODE

（ nA的）

(V)

民

40

50

60

80

100

300

500

400

60

80

20

30

--

40

50

60

300

500

--

30

140

100

30

75

40

60

30

40

80

25

6.0

12

(V)

* VCES

民

40*

50*

80*

100

300

400

350

60

80

20*

30*

40

40*

50*

60*

300

400

25*

25

120

100

15

40

15

60

12

15

25

30

40

60

40

25

6.0

12

(V)

最大

10

12

6.0

4.0

10

8.0

4.0

10

5.0

6.0

10

3.0

5.0

4.0

3.0

6.0

4.5

6.0

5.0

2.0

4.0

6.0

5.0

4.0

* ICES

* ICEV

最大

100

250

100

1,000

100

1,000

10

400

10

50

35*

10*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

民

最大

10,000

--

10,000

40

50

20,000

10,000

20,000

40,000

40

10,000

25

50

1,000

60

50

40

20

100

40

250

100

20

150

40

100

30

--

200

--

400

--

200

--

300

250

--

300

120

--

300

200

600

120

300

--

120

@ VCE

(V)

@ IC

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC

(V)

（MA ）

COB

fT

NF

花花公子

MPSA25

MPSA26

MPSA27

MPSA28

MPSA29

MPSA42

MPSA44

MPSA45

MPSA55

MPSA56

MPSA62

MPSA63

MPSA64

MPSA65

MPSA66

MPSA70

MPSA75

MPSA76

MPSA77

MPSA92

MPSA94

MPSD04

MPSD54

MPSH10

MPSH11

MPSL01

MPSL51

PN918

NPN达林顿

NPN高压

PNP幅度/ SWITCH

PNP达林顿

PNP低噪声

PNP达林顿

PNP高压

NPN达林顿

PNP达林顿

NPN RF OSC

NPN高压

PNP高压

NPN RF OSC

EBC

BEC

EBC

30

40

50

60

80

200

400

320

60

80

15

30

40

50

200

400

20

25

75

50

15

60

20

45

50

15

25

20

40

15

3.0

6.0

5.0

10

1.0

5.0

10

5.0

10

5.0

10

5.0

1.0

10

0.35

5.0

10

1.0

0.30

100

30

10

100

10

100

5.0

100

30

10

300

100

4.0

10

50

3.0

150

10

1.0

150

8.0

15

1.0

10

150

50

10

1.50

0.50

0.75

0.25

1.0

1.50

0.25

1.50

0.5

0.75

1.0

0.50

0.30

0.40

1.0

0.50

0.30

1.60

--

0.30

0.35

1.0

0.25

1.0

0.50

0.60

100

20

50

100

10

100

10

100

20

50

100

4.0

50

10

500

100

1.0

500

--

20

1.0

100

150

300

50

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

125

--

125

8.0

3.0

6.0

--

4.0

--

6.0

--

125

50

20

50

125

100

125

50

20

100

--

6.0

4.0

--

3.0

--

285

18

--

100

--

170

60

75

0.65* 650

0.90* 650

8.0

1.7

8.0

4.0

6.0

8.0

1.7

3.5

4.0

25

20

10

3.5

60

600

300

500

--

200

600

400

40

60

150

500

PN2222A

NPN幅度/ SWITCH

PN2369A

NPN SAT SWITCH

PN2484

NPN低噪声

PN2907A

PNP幅度/ SWITCH

PN3563

PN3564

PN3565

PN3566

PN3567

PN3568

PN3569

NPN RF OSC

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PN3638A

PNP幅度/ SWITCH

PN3639

PN3640

PNP SAT SWITCH

76

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

PN918 / MMBT918

分立功率&信号

技术

PN918

MMBT918

C

E

C

B

TO-92

E

SOT-23

马克： 3B

B

NPN晶体管RF

这个装置是专为使用射频放大器，振荡器和

乘数在1.0 mA至30毫安范围集电极电流。

从工艺43采购。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

15

30

3.0

50

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θ

JC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

PN918

350

2.8

125

357

最大

*MMBT918

225

1.8

556

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

*

设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

首席执行官（

技能提升计划

)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

集电极 - 发射极耐受电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

I

C

= 3.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 1.0

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

CB

= 15 V ，T

A

= 150°C

15

30

3.0

0.01

1.0

V

A

基本特征

h

FE

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

I

C

= 3.0毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

20

0.4

1.0

V

小信号特性

f

T

C

敖包

C

IBO

NF

电流增益 - 带宽积

输出电容

输入电容

噪声系数

I

C

= 4.0毫安， V

CE

= 10 V,

F = 100 MHz的

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

CB

= 0, I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

BE

= 0.5 V，I

C

= 0中，f = 1.0兆赫

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 6.0 V,

R

G

= 400Ω ， F = 60 MHz的

600

1.7

3.0

2.0

6.0

兆赫

pF

dB

功能测试

G

pe

P

O

η

放大器的功率增益

电源输出

收藏家EF网络效率

V

CB

= 12 V，I

C

= 6.0毫安，

F = 200 MHz的

V

CB

= 15 V，I

C

= 8.0毫安，

F = 500 MHz的

V

CB

= 15 V，I

C

= 8.0毫安，

F = 500 MHz的

15

30

25

dB

mW

%

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

DC典型特征

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

100

90

80

70

60

50

40

30

20

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10 20

I

C

- 集电极电流（毫安）

P 43

- 40 °C

25 °C

VCE = 5V

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.3

0.25

0.2

125 °C

β

= 10

125 °C

0.15

0.1

0.05

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

P 43

25 °C

- 40 °C

50

30

V

BE（上）

基极发射极电压（ V）

-

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

0.9

0.8

0.7

0.6

125 °C

25 °C

1

- 40 °C

V

CE

= 5V

- 40 °C

0.8

25 °C

0.6

125 °C

0.5

0.4

0.3

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

P 43

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

30

20

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

5

V

CB

= 20V

1

0.1

25

50

75

100

125

T

A

- 环境温度（

°

C)

150

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

AC典型特征

输入和输出电容

VS反向电压

100

f

T

- 增益带宽积（兆赫）

增益带宽积

VS集电极电流

140

120

100

80

60

40

20

0

1

10

P 43

20

50

100

200

F = 1.0 MHz的

电容（pF）

VCE = 5V

10

1

COB

兴业银行

0.1

1

10

100

VCE - 集电极电压（ V）

I

C

- 集电极电流（毫安）

恒增益轮廓

带宽积（F

T

)

恒噪声等高线图

小信号电流增益

与集电极电流

350

300

250

200

150

100

50

0

功耗与

环境温度

P

D

- 功耗（MW ）

TO-92

SOT-23

25

50

75

100

温度（

°

C)

125

150

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

共射y参数与频率的关系

输入导纳主场迎战收藏家

电流输出短路

输入导纳主场迎战收藏家

电流输出短路

输入导纳主场迎战

频率输出短路

正向转移导纳主场迎战

频率输出开路

正向转移导纳主场迎战

集电极电流输出

短路

正向转移导纳主场迎战

集电极电流输出

短路

PN918 / MMBT918

PN918

MMBT918

C

E

C

B

TO-92

E

SOT-23

马克： 3B

B

NPN晶体管RF

这个装置是专为使用射频放大器，振荡器和

乘数在1.0 mA至30毫安范围集电极电流。

从工艺43采购。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

15

30

3.0

50

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

PN918

350

2.8

125

357

最大

*MMBT918

225

1.8

556

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

*

设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

首席执行官（

技能提升计划

)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

集电极 - 发射极耐受电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

I

C

= 3.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 1.0

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 15 V，I

E

= 0

V

CB

= 15 V ，T

A

= 150°C

15

30

3.0

0.01

1.0

V

A

基本特征

h

FE

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

I

C

= 3.0毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

20

0.4

1.0

V

小信号特性

f

T

C

敖包

C

IBO

NF

电流增益 - 带宽积

输出电容

输入电容

噪声系数

I

C

= 4.0毫安， V

CE

= 10 V,

F = 100 MHz的

V

CB

= 10 V，I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

CB

= 0, I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

BE

= 0.5 V，I

C

= 0中，f = 1.0兆赫

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 6.0 V,

R

G

= 400Ω ， F = 60 MHz的

600

1.7

3.0

2.0

6.0

兆赫

pF

dB

功能测试

G

pe

P

O

η

放大器的功率增益

电源输出

收藏家EF网络效率

V

CB

= 12 V，I

C

= 6.0毫安，

F = 200 MHz的

V

CB

= 15 V，I

C

= 8.0毫安，

F = 500 MHz的

V

CB

= 15 V，I

C

= 8.0毫安，

F = 500 MHz的

15

30

25

dB

mW

%

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

典型特征

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

100

90

80

70

60

50

40

30

20

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

I

C

- 集电极电流（毫安）

50

- 40 °C

25 °C

V

CE

= 5V

V

CES AT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型的脉冲电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.3

0.25

0.2

125 °C

β

= 10

125 °C

0.15

0.1

0.05

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

30

25 °C

- 40 °C

V

BE（上）

- 基极发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

0.9

0.8

0.7

0.6

125 °C

1

- 40 °C

V

CE

= 5V

- 40 °C

25 °C

0.8

25 °C

0.6

125 °C

0.5

0.4

0.3

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

20

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

30

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

5

100

输入和输出电容

VS反向电压

F = 1.0 MHz的

电容（pF）

V

CB

= 20V

10

1

COB

兴业银行

0.1

25

50

75

100

125

T

A

- AMBIENTTEMPERATURE （ ° C）

150

0.1

1

10

100

V

CE

- 集电极电压（ V）

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

典型特征

（续）

f

T

- 增益带宽积（兆赫）

增益带宽积

VS集电极电流

1050

900

750

600

450

300

150

0

1

10

20

50

100

200

恒增益轮廓

带宽积（F

T

)

V

CE

- 集电极电压（ V）

15

VCE = 5V

100兆赫

900兆赫

T

A

= 25

°

C

12

300兆赫

800兆赫

9

600兆赫

6

400兆赫

3

600兆赫

0

0.1

0.2

0.5

1

5

10

20

200兆赫

50

100

I

C

- 集电极电流（毫安）

I

C

- 集电极电流（毫安）

1000

h

FE

- 小信号电流反式比例

恒噪声等高线图

R

S

- 源电阻（

)

500

小信号电流增益

VS集电极电流

90

F = 10MHz的

V

CE

= 10V

80

200

100

50

70

60

20

10

0.1

噪声图。（ dB）的

F = 60MHz的

50

V

CE

= 6.0V

0.5

1

5

10

50

100

40

0

2

4

6

8

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

I

C

- 集电极电流（毫安）

功耗与

环境温度

P

D

- 功耗（MW ）

350

300

TO-92

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

125

150

SOT-23

温度（

°

C)

PN918 / MMBT918

NPN晶体管RF

（续）

共射y参数与频率的关系

输入导纳VS收藏家

电流输出短路

Y

ie

- 输入导纳（ mmho ）

F = 10.7兆赫

输入导纳VS收藏家

电流输出短路

Y

ie

- 输入导纳（ mmho ）

10

2

F = 100 MHz的

V

CE

= 10V

1.6

8

g

ie

1.2

6

V

CE

= 5V

V

CE

= 10V

0.8

b

ie

4

V

CE

= 10V

V

CE

= 5V

0.4

2

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

I

C

- 集电极电流（毫安）

Y

ie

- 输入导纳（ mmho ）

25

正向跨。导纳（ mmho ）

输入导纳VS

频率输出短路

I C = 5.0毫安

正向转移导纳VS

频率输出开路

100

20

V

CE

= 10V

g

ie

I C = 5.0毫安

80

V

CE

= 10V

15

60

10

40

-b

fe

g

fe

10

20

50

100

200

500

1000

5

b

ie

10

20

50

100

200

500

1000

20

0

的F - 频率（MHz）

fe

-

的F - 频率（MHz）

Y

fe

-forward TRANS 。导纳（ mmho ）

Y

fe

-forward TRANS导纳（ mmho ）

向前跨。纳VS收藏家

电流输出短路

120

向前跨。纳VS收藏家

电流输出短路

100

F = 10.7兆赫

100

F = 100 MHz的

V

CE

= 10V

g

fe

80

V

CE

= 10V

V

CE

= 5.0V

80

60

V

CE

= 5.0V

g

fe

V

CE

= 10V

60

40

20

-b

fe

0

2

4

6

8

10

-b

fe

0

2

4

6

8

10

0

I

C

- 集电极电流（毫安）

I

C

- 集电极电流（毫安）

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB

CODE

（ nA的）

(V)

民

40

50

60

80

100

300

500

400

60

80

20

30

--

40

50

60

300

500

--

30

140

100

30

75

40

60

30

40

80

25

6.0

12

(V)

* VCES

民

40*

50*

80*

100

300

400

350

60

80

20*

30*

40

40*

50*

60*

300

400

25*

25

120

100

15

40

15

60

12

15

25

30

40

60

40

25

6.0

12

(V)

最大

10

12

6.0

4.0

10

8.0

4.0

10

5.0

6.0

10

3.0

5.0

4.0

3.0

6.0

4.5

6.0

5.0

2.0

4.0

6.0

5.0

4.0

* ICES

* ICEV

最大

100

250

100

1,000

100

1,000

10

400

10

50

35*

10*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

民

最大

10,000

--

10,000

40

50

20,000

10,000

20,000

40,000

40

10,000

25

50

1,000

60

50

40

20

100

40

250

100

20

150

40

100

30

--

200

--

400

--

200

--

300

250

--

300

120

--

300

200

600

120

300

--

120

@ VCE

(V)

@ IC

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC

(V)

（MA ）

COB

fT

NF

花花公子

MPSA25

MPSA26

MPSA27

MPSA28

MPSA29

MPSA42

MPSA44

MPSA45

MPSA55

MPSA56

MPSA62

MPSA63

MPSA64

MPSA65

MPSA66

MPSA70

MPSA75

MPSA76

MPSA77

MPSA92

MPSA94

MPSD04

MPSD54

MPSH10

MPSH11

MPSL01

MPSL51

PN918

NPN达林顿

NPN高压

PNP幅度/ SWITCH

PNP达林顿

PNP低噪声

PNP达林顿

PNP高压

NPN达林顿

PNP达林顿

NPN RF OSC

NPN高压

PNP高压

NPN RF OSC

EBC

BEC

EBC

30

40

50

60

80

200

400

320

60

80

15

30

40

50

200

400

20

25

75

50

15

60

20

45

50

15

25

20

40

15

3.0

6.0

5.0

10

1.0

5.0

10

5.0

10

5.0

10

5.0

1.0

10

0.35

5.0

10

1.0

0.30

100

30

10

100

10

100

5.0

100

30

10

300

100

4.0

10

50

3.0

150

10

1.0

150

8.0

15

1.0

10

150

50

10

1.50

0.50

0.75

0.25

1.0

1.50

0.25

1.50

0.5

0.75

1.0

0.50

0.30

0.40

1.0

0.50

0.30

1.60

--

0.30

0.35

1.0

0.25

1.0

0.50

0.60

100

20

50

100

10

100

10

100

20

50

100

4.0

50

10

500

100

1.0

500

--

20

1.0

100

150

300

50

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

125

--

125

8.0

3.0

6.0

--

4.0

--

6.0

--

125

50

20

50

125

100

125

50

20

100

--

6.0

4.0

--

3.0

--

285

18

--

100

--

170

60

75

0.65* 650

0.90* 650

8.0

1.7

8.0

4.0

6.0

8.0

1.7

3.5

4.0

25

20

10

3.5

60

600

300

500

--

200

600

400

40

60

150

500

PN2222A

NPN幅度/ SWITCH

PN2369A

NPN SAT SWITCH

PN2484

NPN低噪声

PN2907A

PNP幅度/ SWITCH

PN3563

PN3564

PN3565

PN3566

PN3567

PN3568

PN3569

NPN RF OSC

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PN3638A

PNP幅度/ SWITCH

PN3639

PN3640

PNP SAT SWITCH

76

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。