【小信号晶体管TO- 92案例（续）型号描述领导CODEVCBO(V)民VCEO VEBO ICBO 】,IC型号PN5134,PN5134 PDF资料,PN5134经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* VCES

民

30

45

30

45

60

15

45

60

12

15

60

80

30

12

15

20

18

10

25

20

30

20

40

20

40

(V)

最大

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

3.0

1.0

3.0

3.5

4.0

3.0

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

* ICES

* ICEV

最大

50*

35*

500*

50

10

10*

400*

50

25

50

10,000

300

100

50

50*

50

10*

10

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

120

300

120

400

300

700

120

500

400

250

200

300

350

250

50

400

1,000

150

600

400

800

--

200

300

500

800

120

300

@VCE

(V)

@ IC VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

（MA ）

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

民

50

30

50

20

30

40

50

6.0

20

50

15

10

15

20

15

12

40

10

25

40

100

30

100

250

30

35

50

100

50

70

150

15

35

15

30

60

20

50

20

50

40

30

100

150

250

400

30

100

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

8.0

5.0

6.0

3.0

4.0

30

4.5

3.5

10

1.7

6.0

3.5

5.0

4.0

25

35

7.0

5.0

10

4.0

3.0

10

150

250

200

350

200

40

50

700

400

100

400

450

150

--

100

200

40

250

40

30

300

--

90

700

105

--

3.0

2.0

--

3.0

4.0

--

400

--

4.0

--

5.0

150

100

28

--

20

12

400

--

18

--

200

--

20

400

PN3641

PN3642

PN3643

PN3644

PN3645

PN3646

PN3694

PN4249

PN4250A

PN4258

PN4274

PN4275

PN4354

PN4355

PN4356

PN4916

PN4917

PN5127

PN5128

PN5129

PN5130

PN5131

PN5132

PN5133

PN5134

PN5135

PN5136

PN5137

PN5138

PN5139

PN5142

PN5143

PN5825

PN5826

PN5827

PN5828

PN5910

PN6010

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN RF OSC

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

EBC

60

45

60

40

45

60

12

30

40

60

80

30

20

15

30

20

30

20

50

20

50

10

0.40

10

5.0

3.0

1.0

10

1.0

10

1.0

10

5.0

1.0

10

1.0

10

1.0

5.0

0.30

1.0

150

30

10

0.10

10

2.0

50

8.0

10

1.0

10

150

0.10

10

50

2.0

10

0.22

1.0

0.50

--

0.25

0.50

1.0

0.50

0.30

0.25

0.60

1.0

2.0

0.40

0.25

1.0

0.25

0.30

0.50

2.0

0.125

0.50

150

300

--

10

50

100

500

1,000

500

50

10

150

10

1.0

10

100

150

10

50

300

10

50

500

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

77

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

PN5134

分立功率&信号

技术

PN5134

C

BE

TO-92

PNP通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为300毫安。来源

从工艺68.见PN200的特点。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

10

20

3.5

500

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

PN5134

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

1997仙童半导体公司

PN5134

PNP通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

（ BR ） CES

I

CBO

I

CES

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

I

C

= 10

A

V

CB

= 15 V，I

E

= 0, T

A

= 65

°C

V

CE

= 15 V，I

C

= 0

10

20

3.5

20

10

0.4

V

A

基本特征*

h

FE

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 0.4 V，I

C

= 30毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 3.3毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 3.3毫安

20

15

150

0.25

0.20

0.9

1.1

V

0.70

0.72

小信号特性

C

ob

h

fe

输出电容

小信号电流增益

V

CB

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 10 V,

F = 100 MHz的

2.5

4.0

pF

开关特性

t

s

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

贮存时间

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 3.0V ，我

C

= 10毫安

I

B1

= I

B2

= 3.3毫安

I

C

= I

B1

= I

B2

= 10毫安

V

CC

= 3.0 V，I

C

= 10毫安，

I

B1

= 3.3毫安

18

14

12

18

13

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* VCES

民

30

45

30

45

60

15

45

60

12

15

60

80

30

12

15

20

18

10

25

20

30

20

40

20

40

(V)

最大

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

3.0

1.0

3.0

3.5

4.0

3.0

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

* ICES

* ICEV

最大

50*

35*

500*

50

10

10*

400*

50

25

50

10,000

300

100

50

50*

50

10*

10

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

120

300

120

400

300

700

120

500

400

250

200

300

350

250

50

400

1,000

150

600

400

800

--

200

300

500

800

120

300

@VCE

(V)

@ IC VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

（MA ）

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

民

50

30

50

20

30

40

50

6.0

20

50

15

10

15

20

15

12

40

10

25

40

100

30

100

250

30

35

50

100

50

70

150

15

35

15

30

60

20

50

20

50

40

30

100

150

250

400

30

100

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

8.0

5.0

6.0

3.0

4.0

30

4.5

3.5

10

1.7

6.0

3.5

5.0

4.0

25

35

7.0

5.0

10

4.0

3.0

10

150

250

200

350

200

40

50

700

400

100

400

450

150

--

100

200

40

250

40

30

300

--

90

700

105

--

3.0

2.0

--

3.0

4.0

--

400

--

4.0

--

5.0

150

100

28

--

20

12

400

--

18

--

200

--

20

400

PN3641

PN3642

PN3643

PN3644

PN3645

PN3646

PN3694

PN4249

PN4250A

PN4258

PN4274

PN4275

PN4354

PN4355

PN4356

PN4916

PN4917

PN5127

PN5128

PN5129

PN5130

PN5131

PN5132

PN5133

PN5134

PN5135

PN5136

PN5137

PN5138

PN5139

PN5142

PN5143

PN5825

PN5826

PN5827

PN5828

PN5910

PN6010

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN RF OSC

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

EBC

60

45

60

40

45

60

12

30

40

60

80

30

20

15

30

20

30

20

50

20

50

10

0.40

10

5.0

3.0

1.0

10

1.0

10

1.0

10

5.0

1.0

10

1.0

10

1.0

5.0

0.30

1.0

150

30

10

0.10

10

2.0

50

8.0

10

1.0

10

150

0.10

10

50

2.0

10

0.22

1.0

0.50

--

0.25

0.50

1.0

0.50

0.30

0.25

0.60

1.0

2.0

0.40

0.25

1.0

0.25

0.30

0.50

2.0

0.125

0.50

150

300

--

10

50

100

500

1,000

500

50

10

150

10

1.0

10

100

150

10

50

300

10

50

500

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

77

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

PN5134

NPN通用放大器

本设备是专为使用一般通用放大器和

开关需要集电极电流300mA的电流。

1

TO-92

1. 2.发射基地3.收藏家

绝对最大额定值*

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

参数

价值

10

20

3.5

500

- 55 ~ 150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

T

J,

T

英镑

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能impaird 。

注意事项：

1.这些额定值是基于对150度C的最高结温

2.这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

C

= 10μA ，我

E

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

I

C

= 10A

V

CB

= 15V ，我

E

= 0, T

A

= 65°C

V

CB

= 15V ，我

C

= 0

V

CE

= 1.0V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 0.4V ，我

C

= 30毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 3.3毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 3.3毫安

V

CB

= 5.0V ， F = 1.0MHz的

I

C

= 10毫安，V

CE

= 10V ， F = 100MHz的

I

C

= I

B1

= I

B2

= 15毫安

V

CC

= 3.0V ，我

C

= 10毫安

I

B1

= 3.3毫安

V

CC

= 3.0V ，我

C

= 10毫安

I

B1

= I

B2

= 3.3毫安

2.5

18

14

12

18

13

ns

0.70

0.72

20

15

分钟。

10

20

3.5

20

10

0.4

150

0.25

0.20

0.9

1.1

4.0

V

pF

马克斯。

单位

V

A

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压*

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

（ BR ） CES

I

CBO

I

CES

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

集电极截止电流

收藏家Cuto FF电流

基本特征

直流电流增益

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

小信号特性

输出电容

C

ob

h

fe

t

s

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

小信号电流增益

贮存时间

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

开关特性

t

f

下降时间

13

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300毫秒，占空比

≤

2.0%

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年11月

PN5134

热特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

参数

马克斯。

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年11月

PN5134

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2002仙童半导体公司

版本B ， 2002年11月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

ACEX

FACT

ActiveArray

FACT静音系列

深不见底

快

FASTr

CoolFET

CROSSVOLT

FRFET

GlobalOptoisolator

DOME

EcoSPARK

GTO

2

CMOS

E

HiSeC

Ensigna

I

2

C

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

ImpliedDisconnect

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

2.关键部件是在生命支持任何组件

设备或系统，其未能履行可

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

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