PN5019
P沟道JFET
线性系统替换停产Siliconix的PN5019
该PN5019是单P沟道JFET开关
此p沟道模拟开关被设计为提供低
导通电阻和快速切换。
在TO-92提供了一种低成本的选择，并易于
制造业。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXPN5019
零点偏移电压
低导通电阻
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
r
DS （ ON） =
≤150Ω
最高温度
储存温度
‐55°Cto+200°C
低插入损耗
工作结温
‐55°Cto+200°C
无偏移或封闭的误差电压产生
最大功率耗散
开关
连续功率耗散
500mW
纯电阻
最大电流
PN5019应用：
GateCurrent(Note1)
I
G
=‐50mA
模拟开关
最大电压不
换向器
栅漏电压
V
GDS
=30V
菜刀
门源电压
V
GSS
=30V
PN5019ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
30
‐‐
‐‐
I
G
=1A,V
DS
=0V
V
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐‐
‐‐
5
V
DS
=‐15V,I
D
=‐1A
V
DS （ ON）
漏极至源极电压上
‐‐
‐‐
‐0.5
V
GS
=0V,I
D
=‐3mA
I
DSS
DraintoSourceSaturationCurrent(Note2)
‐5
‐‐
‐‐
mA
V
DS
=‐20V,V
GS
=0V
I
GSS
门反向电流
‐‐
‐‐
2
nA
V
GS
=15V,V
DS
=0V
I
D（关闭）
排水截止电流
‐‐
‐‐
‐10
V
DS
=‐15V,V
GS
=12V
‐‐
‐‐
‐10
A
V
DS
=‐15V,V
GS
=7V
I
DGO
排水反向电流
‐‐
‐‐
‐2
nA
V
DG
=‐15V,I
S
=0A
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
150
Ω
I
D
=‐1mA,V
GS
=0V
PN5019DYNAMICELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
‐‐
‐‐
150
Ω
I
D
=0A,V
GS
=0V,f=1kHz
C
国际空间站
输入电容
‐‐
‐‐
45
pF
V
DS
=‐15V,V
GS
=0V,f=1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
‐‐
10
V
DS
=0V,V
GS
=7V,f=1MHz
PN5019SWITCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
单位“
条件“
PN5019优点：
点击购买
启动时间
开启上升时间
关闭时间
关闭下降时间
15
75
25
100
ns
V
GS
(L)=7V
V
GS
(H)=0V
见开关电路
PN5019采用TO- 92
PN5019裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
切换测试电路
PN5019SWITCHINGCIRCUITPARAMETERS
TO- 92 （底视图）
V
DD
‐6V
可用的软件包：
V
GG
8V
R
L
1.8kΩ
R
G
390Ω
I
D（上）
‐3mA
Micross组件欧洲
注1 - 绝对最大额定值的限制值高于其中PN5019适用性可能受到损害。
注2 - 脉冲测试： PW≤ 300微秒，占空比≤ 3 ％
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