【PN4917分立功率&信号技术PN4917CBETO-92PNP通用放大器该器件是专为使用一】,IC型号PN4917,PN4917 PDF资料,PN4917经销商,ic,电子元器件-51电子网

PN4917

分立功率&信号

技术

PN4917

C

BE

TO-92

PNP通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为100 mA。来源

从工艺66.见2N3906的特性。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

30

5.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

PN4917

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

1997仙童半导体公司

PN4917

PNP通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

（ BR ） CES

I

B

I

CES

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

基地截止电流

收藏家Cuto FF电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

I

C

= 10

A

V

CE

= 15 V

V

CE

= 15 V

V

CE

= 15 V ，T

A

= 65

°C

30

5.0

30

25

V

nA

A

基本特征*

h

FE

直流电流增益

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 100

A

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 1.0毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 50毫安

I

C

= 1.0毫安，我

B

- 0.1毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 1.0毫安，我

B

- 0.1毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

100

150

30

300

0.13

0.14

0.30

0.75

0.90

1.10

V

CE（

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

V

BE （

SAT

)

基射极饱和电压

0.70

0.75

小信号特性

C

ob

C

ib

h

fe

rb'Cc

NF

输出电容

输入电容

小信号电流增益

集电极 - 基极时间常数

噪声系数

V

CB

= 10 V ， F = 1.0 MHz的

V

EB

= 0.5 V ， F = 1.0 MHz的

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

V

CE

= 20 V，I

C

= 10毫安

F = 80 MHz的

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 1.0毫安，

R

S

= 100

,

F = 100 MHz的

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100

Α,

R

S

= 1.0 k

4.5

50

ps

4.5

8.0

pF

6.0

4.0

dB

开关特性

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 10 V，I

C

= 50毫安

I

B1

= I

B2

= 5.0毫安

V

CC

= 10 V，I

C

= 50毫安，

I

B1

= 5.0毫安

40

15

40

150

140

40

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

TO- 92卷带数据

TO-92封装

CON组fi guration ：

图1.0

磁带和卷轴选项

FSCINT标签样本

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

LOT ：

CBVK741B019

HTB ： B

数量：

10000

参见图2.0不同

缫丝样式

NSID ：

PN2222N

产品规格：

D / C1 ：

D9842

SPEC REV ：

QA REV ：

B2

FSCINT

LABEL

（ FSCINT ）

5卷轴元

中级盒

F63TNR

LABEL

定制

LABEL

375毫米X 267毫米X 375毫米

中级盒

F63TNR标签样本

LOT ： CBVK741B019

FSID ： PN222N

D / C1 ： D9842

D / C2 ：

QTY1 ：

QTY2 ：

数量： 2000

产品规格：

SPEC REV ：

CPN ：

N / F： F

定制

LABEL

(F63TNR)3

TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION

填料

REEL

风格

A

E

弹药

M

P

QUANTITY

2,000

EOL代码

D26Z

D27Z

D74Z

D75Z

弹药盒OPTION

参见图3.0为2弹药

包选项

单位重量

= 0.22克

卷重量组件

= 1.04千克

弹药的重量与分量= 1.02公斤

每间箱= 10000台最大数量

FSCINT

LABEL

327毫米X 158毫米X 135毫米

立即盒

定制

LABEL

5弹药盒每

中级盒

F63TNR

LABEL

333毫米X 231毫米X 183毫米

中级盒

定制

LABEL

（ TO- 92 ）批量包装信息

EOL

CODE

J18Z

J05Z

NO EOL

CODE

描述

TO- 18 OPTION STD

TO- 5 OPTION STD

TO- 92标准

直： PKG 92 ，

94 （ NON PROELECTRON

系列）， 96

TO- 92标准

直： PKG 94

（ PROELECTRON系列

BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）

97, 98

LEADCLIP

维

不含铅CLIP

NO LEADCLIP

QUANTITY

2.0 K /盒

1.5 K /盒

2.0 K /盒

BULK选项

请参阅批量包装

信息表

防静电

泡泡表

FSCINT标签

L34Z

NO LEADCLIP

2.0 K /盒

2000个单位

EO70盒

std选项

114毫米X 102毫米X 51毫米

立即盒

5 EO70每个盒子

中级盒

530毫米X 130毫米X 83毫米

中级盒

定制

LABEL

FSCINT标签

最高1万台

每间箱

性病选项

2001仙童半导体公司

2001年3月，修订版B1

TO- 92卷带式数据，继续

TO- 92缫丝风格

CON组fi guration ：

图2.0

机选“A” （H ）

机选“E” （J ）

款式“A” ， D26Z ， D70Z （ S / H）

风格“E” ， D27Z ， D71Z （ S / H）

TO- 92径向弹药包装

CON组fi guration ：

图3.0

第一网关在集电极

胶带上侧

FLAT晶体管的顶部

第一网OFF为辐射源

胶带上侧

FLAT晶体管是底

ORDER风格

D74Z （M）的

ORDER风格

D75Z （P）的

第一网OFF为发射器（ ON PKG 92 ）

胶带，底面

FLAT晶体管是底

第一网关在集电极（ ON PKG 92 ）

胶带，底面

FLAT晶体管的顶部

1999年9月，修订版A

TO- 92卷带式数据，继续

TO- 92卷带编带包装

规格配置：

图4.0

Hd

P

Pd

b

Ha

何H1

d

L

L1

W1

S

WO

W2

W

t

t1

P1 F1

P2

DO

项目说明

PO

包装的基础引领弯

元件高度

铅克林奇高度

组件底高度

组件对齐（侧/侧）

组件对齐（前/后）

组件间距

饲料孔间距

孔中心到第一引线

孔中心到组件中心

铅价差

铅厚度

切引线长度

编带引线长度

编带铅厚度

载带厚度

符号

b

Ha

HO

H1

Pd

Hd

P

PO

P1

P2

F1/F2

d

L

L1

t

t1

W

WO

W1

W2

DO

S

维

0.098 （最大）

0.928 (+/- 0.025)

0.630 (+/- 0.020)

0.748 (+/- 0.020)

0.040 （最大）

0.031 （最大）

0.500 (+/- 0.020)

0.500 (+/- 0.008)

0.150 (+0.009, -0.010)

0.247 (+/- 0.007)

0.104 (+/- 0 .010)

0.018 (+0.002, -0.003)

0.429 （最大）

0.209 (+0.051, -0.052)

0.032 (+/- 0.006)

0.021 (+/- 0.006)

0.708 (+0.020, -0.019)

0.236 (+/- 0.012)

0.035 （最大）

0.360 (+/- 0.025)

0.157 (+0.008, -0.007)

0.004 （最大）

饲料用户方向

TO-92卷

CON组fi guration ：

图5.0

运输带宽

保持 - 倒胶带宽度

保持 - 下来的磁带位置

饲料孔位置

链轮孔直径

导致跳出

注：所有尺寸为英寸。

ELECT ROSTATIC

SEN SITIVE EVICES

D4

D1

项目说明

SYSMBOL

最低

最大

F63TNR标签

自定义标签

D2

卷筒直径

内孔直径（标准）

（小孔）

纤芯直径

轮毂凹槽内径

轮毂凹槽深度

法兰法兰内宽

W1

集线器到集线器宽度中心

W3

注：所有尺寸为英寸

D1

D2

D3

D4

W1

W2

W3

13.975

1.160

0.650

3.100

2.700

0.370

1.630

14.025

1.200

0.700

3.300

3.100

0.570

1.690

2.090

W2

D3

1999年7月，修订版A

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* VCES

民

30

45

30

45

60

15

45

60

12

15

60

80

30

12

15

20

18

10

25

20

30

20

40

20

40

(V)

最大

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

3.0

1.0

3.0

3.5

4.0

3.0

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

* ICES

* ICEV

最大

50*

35*

500*

50

10

10*

400*

50

25

50

10,000

300

100

50

50*

50

10*

10

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

120

300

120

400

300

700

120

500

400

250

200

300

350

250

50

400

1,000

150

600

400

800

--

200

300

500

800

120

300

@VCE

(V)

@ IC VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

（MA ）

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

民

50

30

50

20

30

40

50

6.0

20

50

15

10

15

20

15

12

40

10

25

40

100

30

100

250

30

35

50

100

50

70

150

15

35

15

30

60

20

50

20

50

40

30

100

150

250

400

30

100

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

8.0

5.0

6.0

3.0

4.0

30

4.5

3.5

10

1.7

6.0

3.5

5.0

4.0

25

35

7.0

5.0

10

4.0

3.0

10

150

250

200

350

200

40

50

700

400

100

400

450

150

--

100

200

40

250

40

30

300

--

90

700

105

--

3.0

2.0

--

3.0

4.0

--

400

--

4.0

--

5.0

150

100

28

--

20

12

400

--

18

--

200

--

20

400

PN3641

PN3642

PN3643

PN3644

PN3645

PN3646

PN3694

PN4249

PN4250A

PN4258

PN4274

PN4275

PN4354

PN4355

PN4356

PN4916

PN4917

PN5127

PN5128

PN5129

PN5130

PN5131

PN5132

PN5133

PN5134

PN5135

PN5136

PN5137

PN5138

PN5139

PN5142

PN5143

PN5825

PN5826

PN5827

PN5828

PN5910

PN6010

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN RF OSC

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

EBC

60

45

60

40

45

60

12

30

40

60

80

30

20

15

30

20

30

20

50

20

50

10

0.40

10

5.0

3.0

1.0

10

1.0

10

1.0

10

5.0

1.0

10

1.0

10

1.0

5.0

0.30

1.0

150

30

10

0.10

10

2.0

50

8.0

10

1.0

10

150

0.10

10

50

2.0

10

0.22

1.0

0.50

--

0.25

0.50

1.0

0.50

0.30

0.25

0.60

1.0

2.0

0.40

0.25

1.0

0.25

0.30

0.50

2.0

0.125

0.50

150

300

--

10

50

100

500

1,000

500

50

10

150

10

1.0

10

100

150

10

50

300

10

50

500

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

77

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

PN4917

分立功率&信号

技术

PN4917

C

BE

TO-92

PNP通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为100 mA。来源

从工艺66.见2N3906的特性。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

30

5.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

PN4917

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

1997仙童半导体公司

PN4917

PNP通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

（ BR ） CES

I

B

I

CES

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

基地截止电流

收藏家Cuto FF电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

I

C

= 10

A

V

CE

= 15 V

V

CE

= 15 V

V

CE

= 15 V ，T

A

= 65

°C

30

5.0

30

25

V

nA

A

基本特征*

h

FE

直流电流增益

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 100

A

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 1.0毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 50毫安

I

C

= 1.0毫安，我

B

- 0.1毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 1.0毫安，我

B

- 0.1毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

100

150

30

300

0.13

0.14

0.30

0.75

0.90

1.10

V

CE（

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

V

BE （

SAT

)

基射极饱和电压

0.70

0.75

小信号特性

C

ob

C

ib

h

fe

rb'Cc

NF

输出电容

输入电容

小信号电流增益

集电极 - 基极时间常数

噪声系数

V

CB

= 10 V ， F = 1.0 MHz的

V

EB

= 0.5 V ， F = 1.0 MHz的

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

V

CE

= 20 V，I

C

= 10毫安

F = 80 MHz的

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 1.0毫安，

R

S

= 100

,

F = 100 MHz的

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100

Α,

R

S

= 1.0 k

4.5

50

ps

4.5

8.0

pF

6.0

4.0

dB

开关特性

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 10 V，I

C

= 50毫安

I

B1

= I

B2

= 5.0毫安

V

CC

= 10 V，I

C

= 50毫安，

I

B1

= 5.0毫安

40

15

40

150

140

40

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* VCES

民

30

45

30

45

60

15

45

60

12

15

60

80

30

12

15

20

18

10

25

20

30

20

40

20

40

(V)

最大

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

3.0

1.0

3.0

3.5

4.0

3.0

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

* ICES

* ICEV

最大

50*

35*

500*

50

10

10*

400*

50

25

50

10,000

300

100

50

50*

50

10*

10

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

120

300

120

400

300

700

120

500

400

250

200

300

350

250

50

400

1,000

150

600

400

800

--

200

300

500

800

120

300

@VCE

(V)

@ IC VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

（MA ）

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

民

50

30

50

20

30

40

50

6.0

20

50

15

10

15

20

15

12

40

10

25

40

100

30

100

250

30

35

50

100

50

70

150

15

35

15

30

60

20

50

20

50

40

30

100

150

250

400

30

100

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

8.0

5.0

6.0

3.0

4.0

30

4.5

3.5

10

1.7

6.0

3.5

5.0

4.0

25

35

7.0

5.0

10

4.0

3.0

10

150

250

200

350

200

40

50

700

400

100

400

450

150

--

100

200

40

250

40

30

300

--

90

700

105

--

3.0

2.0

--

3.0

4.0

--

400

--

4.0

--

5.0

150

100

28

--

20

12

400

--

18

--

200

--

20

400

PN3641

PN3642

PN3643

PN3644

PN3645

PN3646

PN3694

PN4249

PN4250A

PN4258

PN4274

PN4275

PN4354

PN4355

PN4356

PN4916

PN4917

PN5127

PN5128

PN5129

PN5130

PN5131

PN5132

PN5133

PN5134

PN5135

PN5136

PN5137

PN5138

PN5139

PN5142

PN5143

PN5825

PN5826

PN5827

PN5828

PN5910

PN6010

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN RF OSC

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

EBC

60

45

60

40

45

60

12

30

40

60

80

30

20

15

30

20

30

20

50

20

50

10

0.40

10

5.0

3.0

1.0

10

1.0

10

1.0

10

5.0

1.0

10

1.0

10

1.0

5.0

0.30

1.0

150

30

10

0.10

10

2.0

50

8.0

10

1.0

10

150

0.10

10

50

2.0

10

0.22

1.0

0.50

--

0.25

0.50

1.0

0.50

0.30

0.25

0.60

1.0

2.0

0.40

0.25

1.0

0.25

0.30

0.50

2.0

0.125

0.50

150

300

--

10

50

100

500

1,000

500

50

10

150

10

1.0

10

100

150

10

50

300

10

50

500

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

77

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米