【小信号晶体管TO- 92案例（续）型号描述领导CODEVCBO(V)民VCEO VEBO ICBO 】,IC型号PN4356,PN4356 PDF资料,PN4356经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* VCES

民

30

45

30

45

60

15

45

60

12

15

60

80

30

12

15

20

18

10

25

20

30

20

40

20

40

(V)

最大

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

3.0

1.0

3.0

3.5

4.0

3.0

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

* ICES

* ICEV

最大

50*

35*

500*

50

10

10*

400*

50

25

50

10,000

300

100

50

50*

50

10*

10

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

120

300

120

400

300

700

120

500

400

250

200

300

350

250

50

400

1,000

150

600

400

800

--

200

300

500

800

120

300

@VCE

(V)

@ IC VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

（MA ）

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

民

50

30

50

20

30

40

50

6.0

20

50

15

10

15

20

15

12

40

10

25

40

100

30

100

250

30

35

50

100

50

70

150

15

35

15

30

60

20

50

20

50

40

30

100

150

250

400

30

100

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

8.0

5.0

6.0

3.0

4.0

30

4.5

3.5

10

1.7

6.0

3.5

5.0

4.0

25

35

7.0

5.0

10

4.0

3.0

10

150

250

200

350

200

40

50

700

400

100

400

450

150

--

100

200

40

250

40

30

300

--

90

700

105

--

3.0

2.0

--

3.0

4.0

--

400

--

4.0

--

5.0

150

100

28

--

20

12

400

--

18

--

200

--

20

400

PN3641

PN3642

PN3643

PN3644

PN3645

PN3646

PN3694

PN4249

PN4250A

PN4258

PN4274

PN4275

PN4354

PN4355

PN4356

PN4916

PN4917

PN5127

PN5128

PN5129

PN5130

PN5131

PN5132

PN5133

PN5134

PN5135

PN5136

PN5137

PN5138

PN5139

PN5142

PN5143

PN5825

PN5826

PN5827

PN5828

PN5910

PN6010

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN RF OSC

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

EBC

60

45

60

40

45

60

12

30

40

60

80

30

20

15

30

20

30

20

50

20

50

10

0.40

10

5.0

3.0

1.0

10

1.0

10

1.0

10

5.0

1.0

10

1.0

10

1.0

5.0

0.30

1.0

150

30

10

0.10

10

2.0

50

8.0

10

1.0

10

150

0.10

10

50

2.0

10

0.22

1.0

0.50

--

0.25

0.50

1.0

0.50

0.30

0.25

0.60

1.0

2.0

0.40

0.25

1.0

0.25

0.30

0.50

2.0

0.125

0.50

150

300

--

10

50

100

500

1,000

500

50

10

150

10

1.0

10

100

150

10

50

300

10

50

500

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

77

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

PN4356

分立功率&信号

技术

PN4356

C

BE

TO-92

PNP通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为500毫安。来源

从工艺67.见TN4033A的特点。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

80

5.0

1.0

-55到+150

单位

V

A

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

PN4356

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

1997仙童半导体公司

PN4356

PNP通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 50 V，I

E

= 0

V

CB

= 50 V，I

E

= 0, T

A

= 75

°C

V

EB

= 5.0 V，I

C

= 0

V

EB

= 4.0 V，I

C

= 0

80

5.0

50

5.0

10

100

V

nA

A

nA

基本特征*

h

FE

直流电流增益

V

CE

= 10 V，I

C

= 100

A

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安

V

CE

= 10 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 10 V，I

C

= 100毫安

V

CE

= 10 V，I

C

= 500毫安

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

25

40

50

40

30

250

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

0.15

0.50

0.90

1.10

V

小信号特性

C

ob

C

ib

h

fe

NF

输出电容

输入电容

小信号电流增益

噪声系数

V

CB

= 10 V ， F = 1.0 MHz的

V

EB

= 0.5 V ， F = 1.0 MHz的

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 10 V,

F = 100 MHz的

V

CE

= 10 V，I

C

= 100

A,

R

S

= 1.0千欧， F = 1.0千赫，

B

W

= 1.0赫兹

1.0

30

110

5.0

3.0

dB

pF

开关特性

t

on

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

V

CC

= 30 V，I

C

= 500毫安，

I

B1

= I

B2

= 50毫安

100

400

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

VCEO VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* VCES

民

30

45

30

45

60

15

45

60

12

15

60

80

30

12

15

20

18

10

25

20

30

20

40

20

40

(V)

最大

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

3.0

1.0

3.0

3.5

4.0

3.0

5.0

4.0

5.0

4.5

5.0

* ICES

* ICEV

最大

50*

35*

500*

50

10

10*

400*

50

25

50

10,000

300

100

50

50*

50

10*

10

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

120

300

120

400

300

700

120

500

400

250

200

300

350

250

50

400

1,000

150

600

400

800

--

200

300

500

800

120

300

@VCE

(V)

@ IC VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

（MA ）

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

民

50

30

50

20

30

40

50

6.0

20

50

15

10

15

20

15

12

40

10

25

40

100

30

100

250

30

35

50

100

50

70

150

15

35

15

30

60

20

50

20

50

40

30

100

150

250

400

30

100

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

8.0

5.0

6.0

3.0

4.0

30

4.5

3.5

10

1.7

6.0

3.5

5.0

4.0

25

35

7.0

5.0

10

4.0

3.0

10

150

250

200

350

200

40

50

700

400

100

400

450

150

--

100

200

40

250

40

30

300

--

90

700

105

--

3.0

2.0

--

3.0

4.0

--

400

--

4.0

--

5.0

150

100

28

--

20

12

400

--

18

--

200

--

20

400

PN3641

PN3642

PN3643

PN3644

PN3645

PN3646

PN3694

PN4249

PN4250A

PN4258

PN4274

PN4275

PN4354

PN4355

PN4356

PN4916

PN4917

PN5127

PN5128

PN5129

PN5130

PN5131

PN5132

PN5133

PN5134

PN5135

PN5136

PN5137

PN5138

PN5139

PN5142

PN5143

PN5825

PN5826

PN5827

PN5828

PN5910

PN6010

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

PNP SAT SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN RF OSC

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

EBC

60

45

60

40

45

60

12

30

40

60

80

30

20

15

30

20

30

20

50

20

50

10

0.40

10

5.0

3.0

1.0

10

1.0

10

1.0

10

5.0

1.0

10

1.0

10

1.0

5.0

0.30

1.0

150

30

10

0.10

10

2.0

50

8.0

10

1.0

10

150

0.10

10

50

2.0

10

0.22

1.0

0.50

--

0.25

0.50

1.0

0.50

0.30

0.25

0.60

1.0

2.0

0.40

0.25

1.0

0.25

0.30

0.50

2.0

0.125

0.50

150

300

--

10

50

100

500

1,000

500

50

10

150

10

1.0

10

100

150

10

50

300

10

50

500

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

77

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

TRANSYS

电子

L I M I T E

PNP硅平面外延晶体管

PN4354

PN4355

PN4356

TO-92

塑料包装

E

BC

一般通用放大器

描述

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极电压

连续集电极电流 -

功率耗散@ TA = 25℃

功耗@ T = 25℃

工作和存储结

温度范围

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

描述

符号测试条件

4354

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极电压

集电极切断电流

V

CEO （ SUS） *

V

CBO

V

EBO

I

CBO

I

C

=10mA,I

B

= 0（脉冲的）

I

C

=10uA,I

E

=0

I

E

=10uA,I

C

=0

V

CB

= 50V ，我

E

= 0

Vc

B

= 50V ，我

E

= 0,

TA = 75℃

V

BE

=4V,I

C

= 0

>60

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

4354

60

4355

60

5

500

625

1.0

-55到+150

4356

80

单位

V

mA

mW

°C

4355

>60

>5

4356

>80

<50

<5

<100

单位

V

nA

uA

nA

发射器切断电流

直流电流增益

I

EBO

h

FE

*

V

CE

=10V,I

C

=100uA

V

CE

=10V,I

C

=1mA

V

CE

=10V,I

C

=10mA

V

CE

=10V,I

C

=100mA

V

CE

=10V,I

C

=500mA

>25

>40

50-500

>40

>30

>60

>75

100-400

>75

>25

>40

50-250

>40

>30

黎民发射小

信号电流增益

L H

fe

l

I

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

1.0-5.0

1.0 - 1.5

1.0 - 5.0

集电极发射极饱和电压

V

CE

（SAT） * I

C

=150mA,I

B

=15mA

I

C

=500mA,I

B

=50mA

I

C

=1A,I

B

=100mA

PN4355

<0.15

<0.5

<0.15

<0.5

<1.0

<0.15

<0.5

V

PNP硅平面外延晶体管

PN4354

PN4355

PN4356

TO-92

塑料包装

E

BC

电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）

描述

符号测试条件

4354

V

BE （SAT） *

I

C

=150mA,I

B

=15mA

基极发射极饱和电压

<0.9

I

C

=500mA,I

B

=50mA

<1.1

I

C

=1A,I

B

=100mA

PN4355

V

BE（上） *

基极发射极电压

PN4355

小信号

动态特性

C

cb

集电极基极电容

C

eb

发射器基电容

吨

启动时间

花花公子

关闭时间

I

E

=0, V

CB

=10V,

f=1.0MH

Z

I

C

=0, V

EB

=0.5V,

f=1.0MH

Z

I

C

=500mA,I

B1

=50mA,

V

CC

=30V

I

C

=500mA,I

B1=

I

B2

=50mA,

V

CC

=30V

<400

<30

<110

<100

符号测试条件

4354

I

C

=500mA,V

CE

=0.5V

I

C

=1A,V

CE

=1V

<1.1

4355

<0.9

<1.1

<1.2

<1.1

<1.2

4356

<0.9

<1.1

单位

V

<1.1

4355

4356

单位

<30

<110

<100

<30

<110

<100

P

F

P

F

P

F

<400

ns

噪声系数

NF

V

CE

=10V,I

C

=100uA

R

S

=1K,f=1kH

Z,

<3.0

dB

B

W

= 1H

Z

*脉冲条件： = 300US ，占空比= 1 ％。

PN4354

PN4355

PN4356

TO-92

塑料包装

TO- 92塑料包装

B

TO- 92晶体管上的磁带和弹药包

弹药盒样式

机械数据

T

P

h

A

H1

W2

L

Wo

W1

W

在顶面胶带

(p)

D

费

支架

条

8.2"

A

h

A1

LABEL

扁方

3 2 1

H0

t1

t

F1

F

P2

Po

F2

Do

13"

K

1.7

7"

晶体管的平板侧面和

胶带可见

2000件/弹药包

D

G

3

E

2

1

尺寸：mm除非另有规定

项

车身宽度

主体高度

机身厚度

COMPONENT间距

饲料孔间距

输入孔中心

COMPONENT中心

距离OUTER之间

LEADS

部件排列

胶带宽度

压紧胶带宽度

孔位

压紧的磁带位置

引线CLINCH高度

元件高度

长度剪断引线

饲料孔直径

磁带总厚度

铅 - 要 - 铅DISTANCEF1 ，

再胜高度

拉 - 脱力

符号

A1

A

T

P

Po

P2

F

h

W

Wo

W1

W2

Ho

H1

L

Do

t

F2

H2

(P)

备注

MIN 。 NOM 。 MAX 。 TOL 。

4.0

4.8

5.2

4.8

4.2

3.9

12.7

±1

12.7

± 0.3齿距累积

错误1.0毫米/ 20

沥青

6.35

± 0.4待测量AT

BOTTOM再胜

+0.6

5.08

-0.2

1

0

AT TOP OF BODY

18

±0.5

6

±0.2

9

+0.7

-0.5

0.5

±0.2

16

±0.5

23.25

11.0

4

±0.2

1.2

t1 0.3 - 0.6

2.54

+0.4

-0.1

3

6N

规范

A A

SEC AA

F

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

K

分钟。

马克斯。

3 2 1

引脚配置

1.集热器

2.基

3.辐射源

在MM都diminsions 。

4.32

5.33

4.45

5.20

3.18

4.19

0.41

0.55

0.35

0.50

5度

1.14

12.70

1.40

1.53

—

H

C

笔记

之间的连线1.最大对齐偏差不得大于0.2毫米。

间的磁带输送孔2.最大非累积变化不得超过1毫米的20

音高。

3. HOLDDOWN TAPE不超过BEYOND载带的EDGE（ S），并须否

接触粘合剂。

4.不超过3个连续丢失的组件是允许的。

5.带尾，至少有三个送料孔的最后一个组件后是必需的。

6. SPLICES不得干扰的隙缝。

包装细节

包

TO-92散装

TO-92 T&A

标准包装

详细

净重量/数量

1K/polybag

200克/ 1K个

2K /弹药箱

645克/ 2K个

内箱箱

SIZE

数量

3" X 7.5" X 7.5"

5.0K

12.5 ＆ QUOT ; X 8英寸×1.8 ＆ QUOT ;

2.0K

外箱BOX

SIZE

数量

克重量

17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;

80.0K

23公斤

17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;

32.0K

12.5公斤