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PN3638 / PN3638A
分立功率&信号
技术
PN3638
PN3638A
C
BE
TO-92
PNP通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和交换机要求集电极电流为500毫安。来源
从工艺63.见PN2907A的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
25
25
4.9
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25
°
C
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
PN3638/A
625
5.0
83.3
200
单位
mW
毫瓦/
°
C
°
C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
PN3638 / PN3638A
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 100
A，I
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A，I
C
= 0
V
CE
= 15 V，I
E
= 0
V
CE
= 15 V，I
E
= 0, T
A
= 65
°
C
25
25
25
4.0
35
2.0
V
V
V
V
nA
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 50毫安
PN3638
PN3638A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 300毫安
PN3638
PN3638A
V
CE
= 10 V，I
C
= 100毫安
PN3638
PN3638A
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安
PN3638A
I
C
= 50 mA时，我
B
= 2.5毫安
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 2.5毫安
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
30
100
30
20
20
80
100
0.25
1.0
1.1
2.0
V
V
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.8
小信号特性
C
ob
输出电容
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
PN3638
PN3638A
V
BE
= 0.5 V ， F = 1.0 MHz的
PN3638
PN3638A
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 3.0 V,
PN3638
F = 100 MHz的
PN3638A
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
PN3638
PN3638A
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
PN3638
PN3638A
20
10
65
25
1.0
1.5
25
100
2.0
1.2
26
15
k
μmhos
x10
-4
x10
-4
pF
pF
pF
pF
C
ib
输入电容
h
fe
小信号电流增益
h
ie
h
oe
h
re
输入阻抗
输出导纳
电压反馈比例
开关特性
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 10 V，I
C
= 300毫安
I
B1
= I
B2
= 30毫安
V
CC
= 10 V，I
C
= 300毫安，
I
B1
= 30毫安
75
20
70
170
140
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
TO- 92卷带式数据，继续
TO- 92缫丝风格
CON组fi guration ：
图2.0
机选“A” （H ）
机选“E” （J ）
款式“A” ， D26Z ， D70Z （ S / H）
风格“E” ， D27Z ， D71Z （ S / H）
TO- 92径向弹药包装
CON组fi guration ：
图3.0
第一网关在集电极
胶带上侧
FLAT晶体管的顶部
第一网OFF为辐射源
胶带上侧
FLAT晶体管是底
ORDER风格
D74Z （M）的
ORDER风格
D75Z （P）的
第一网OFF为发射器（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管是底
第一网关在集电极（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管的顶部
1999年9月，修订版A
TO- 92卷带式数据，继续
TO- 92卷带编带包装
规格配置：
图4.0
Hd
P
Pd
b
Ha
何H1
d
L
L1
W1
S
WO
W2
W
t
t1
P1 F1
P2
DO
项目说明
PO
包装的基础引领弯
元件高度
铅克林奇高度
组件底高度
组件对齐（侧/侧）
组件对齐（前/后）
组件间距
饲料孔间距
孔中心到第一引线
孔中心到组件中心
铅价差
铅厚度
切引线长度
编带引线长度
编带铅厚度
载带厚度
符号
b
Ha
HO
H1
Pd
Hd
P
PO
P1
P2
F1/F2
d
L
L1
t
t1
W
WO
W1
W2
DO
S
维
0.098 （最大）
0.928 (+/- 0.025)
0.630 (+/- 0.020)
0.748 (+/- 0.020)
0.040 （最大）
0.031 （最大）
0.500 (+/- 0.020)
0.500 (+/- 0.008)
0.150 (+0.009, -0.010)
0.247 (+/- 0.007)
0.104 (+/- 0 .010)
0.018 (+0.002, -0.003)
0.429 （最大）
0.209 (+0.051, -0.052)
0.032 (+/- 0.006)
0.021 (+/- 0.006)
0.708 (+0.020, -0.019)
0.236 (+/- 0.012)
0.035 （最大）
0.360 (+/- 0.025)
0.157 (+0.008, -0.007)
0.004 （最大）
饲料用户方向
TO-92卷
CON组fi guration ：
图5.0
运输带宽
保持 - 倒胶带宽度
保持 - 下来的磁带位置
饲料孔位置
链轮孔直径
导致跳出
注：所有尺寸为英寸。
ELECT ROSTATIC
SEN SITIVE EVICES
D4
D1
项目说明
SYSMBOL
最低
最大
F63TNR标签
自定义标签
D2
卷筒直径
内孔直径（标准）
（小孔）
纤芯直径
轮毂凹槽内径
轮毂凹槽深度
法兰法兰内宽
W1
集线器到集线器宽度中心
W3
注：所有尺寸为英寸
D1
D2
D2
D3
D4
W1
W2
W3
13.975
1.160
0.650
3.100
2.700
0.370
1.630
14.025
1.200
0.700
3.300
3.100
0.570
1.690
2.090
W2
D3
1999年7月，修订版A
PN3638 / PN3638A
分立功率&信号
技术
PN3638
PN3638A
C
BE
TO-92
PNP通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和交换机要求集电极电流为500毫安。来源
从工艺63.见PN2907A的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
25
25
4.9
800
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25
°
C
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
PN3638/A
625
5.0
83.3
200
单位
mW
毫瓦/
°
C
°
C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
PN3638 / PN3638A
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 发射极击穿
电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 100
A，I
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A，I
C
= 0
V
CE
= 15 V，I
E
= 0
V
CE
= 15 V，I
E
= 0, T
A
= 65
°
C
25
25
25
4.0
35
2.0
V
V
V
V
nA
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 50毫安
PN3638
PN3638A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 300毫安
PN3638
PN3638A
V
CE
= 10 V，I
C
= 100毫安
PN3638
PN3638A
V
CE
= 10 V，I
C
= 1.0毫安
PN3638A
I
C
= 50 mA时，我
B
= 2.5毫安
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 2.5毫安
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
30
100
30
20
20
80
100
0.25
1.0
1.1
2.0
V
V
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.8
小信号特性
C
ob
输出电容
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
PN3638
PN3638A
V
BE
= 0.5 V ， F = 1.0 MHz的
PN3638
PN3638A
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 3.0 V,
PN3638
F = 100 MHz的
PN3638A
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
PN3638
PN3638A
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
PN3638
PN3638A
20
10
65
25
1.0
1.5
25
100
2.0
1.2
26
15
k
μmhos
x10
-4
x10
-4
pF
pF
pF
pF
C
ib
输入电容
h
fe
小信号电流增益
h
ie
h
oe
h
re
输入阻抗
输出导纳
电压反馈比例
开关特性
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 10 V，I
C
= 300毫安
I
B1
= I
B2
= 30毫安
V
CC
= 10 V，I
C
= 300毫安，
I
B1
= 30毫安
75
20
70
170
140
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
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    -
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更多配单专家
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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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