【小信号晶体管TO- 92案例（续）型号描述LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VC】,IC型号PN3566,PN3566 PDF资料,PN3566经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB

CODE

（ nA的）

(V)

民

40

50

60

80

100

300

500

400

60

80

20

30

--

40

50

60

300

500

--

30

140

100

30

75

40

60

30

40

80

25

6.0

12

(V)

* VCES

民

40*

50*

80*

100

300

400

350

60

80

20*

30*

40

40*

50*

60*

300

400

25*

25

120

100

15

40

15

60

12

15

25

30

40

60

40

25

6.0

12

(V)

最大

10

12

6.0

4.0

10

8.0

4.0

10

5.0

6.0

10

3.0

5.0

4.0

3.0

6.0

4.5

6.0

5.0

2.0

4.0

6.0

5.0

4.0

* ICES

* ICEV

最大

100

250

100

1,000

100

1,000

10

400

10

50

35*

10*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

民

最大

10,000

--

10,000

40

50

20,000

10,000

20,000

40,000

40

10,000

25

50

1,000

60

50

40

20

100

40

250

100

20

150

40

100

30

--

200

--

400

--

200

--

300

250

--

300

120

--

300

200

600

120

300

--

120

@ VCE

(V)

@ IC

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC

(V)

（MA ）

COB

fT

NF

花花公子

MPSA25

MPSA26

MPSA27

MPSA28

MPSA29

MPSA42

MPSA44

MPSA45

MPSA55

MPSA56

MPSA62

MPSA63

MPSA64

MPSA65

MPSA66

MPSA70

MPSA75

MPSA76

MPSA77

MPSA92

MPSA94

MPSD04

MPSD54

MPSH10

MPSH11

MPSL01

MPSL51

PN918

NPN达林顿

NPN高压

PNP幅度/ SWITCH

PNP达林顿

PNP低噪声

PNP达林顿

PNP高压

NPN达林顿

PNP达林顿

NPN RF OSC

NPN高压

PNP高压

NPN RF OSC

EBC

BEC

EBC

30

40

50

60

80

200

400

320

60

80

15

30

40

50

200

400

20

25

75

50

15

60

20

45

50

15

25

20

40

15

3.0

6.0

5.0

10

1.0

5.0

10

5.0

10

5.0

10

5.0

1.0

10

0.35

5.0

10

1.0

0.30

100

30

10

100

10

100

5.0

100

30

10

300

100

4.0

10

50

3.0

150

10

1.0

150

8.0

15

1.0

10

150

50

10

1.50

0.50

0.75

0.25

1.0

1.50

0.25

1.50

0.5

0.75

1.0

0.50

0.30

0.40

1.0

0.50

0.30

1.60

--

0.30

0.35

1.0

0.25

1.0

0.50

0.60

100

20

50

100

10

100

10

100

20

50

100

4.0

50

10

500

100

1.0

500

--

20

1.0

100

150

300

50

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

125

--

125

8.0

3.0

6.0

--

4.0

--

6.0

--

125

50

20

50

125

100

125

50

20

100

--

6.0

4.0

--

3.0

--

285

18

--

100

--

170

60

75

0.65* 650

0.90* 650

8.0

1.7

8.0

4.0

6.0

8.0

1.7

3.5

4.0

25

20

10

3.5

60

600

300

500

--

200

600

400

40

60

150

500

PN2222A

NPN幅度/ SWITCH

PN2369A

NPN SAT SWITCH

PN2484

NPN低噪声

PN2907A

PNP幅度/ SWITCH

PN3563

PN3564

PN3565

PN3566

PN3567

PN3568

PN3569

NPN RF OSC

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PN3638A

PNP幅度/ SWITCH

PN3639

PN3640

PNP SAT SWITCH

76

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

PN3566

NPN通用放大器

本设备是用作介质放大器和开关需要

集电极电流高达300毫安。

从加工19采购。

1

TO-92

1. 2.发射基地3.收藏家

绝对最大额定值

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J,

T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

工作和存储结温范围

参数

价值

30

40

5

600

- 55 ~ 150

单位

V

mA

°C

电气特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

I

C

= 30mA时我

B

= 0

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 2.0毫安

V

CE

= 10V ，我

C

= 10毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 10毫安

V

CE

= 1V ，我

C

= 100毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= 0

80

150

分钟。

30

40

5

50

10

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

A

开关特性

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压*

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

基本特征

h

FE

直流电流增益

V

CE

（SAT）

V

BE

（上）

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极电压上

600

1.0

0.9

25

V

pF

小信号特性

C

敖包

输出电容

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300毫秒，占空比

≤

2.0%

热特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJA

R

θJC

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

参数

马克斯。

625

5

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年10月

PN3566

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年10月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

A

CEX

ActiveArray

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

快

FASTr

FPS

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

我罗

ImpliedDisconnect

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerEdge

PowerSaver技术

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SerDes

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

放弃

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

2.关键部件是在生命支持任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

设备或系统，其未能履行可

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

合理预期造成的生命支持故障

如果使用得当按照使用说明

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2004仙童半导体公司

修订版I13

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

型号

描述

LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB

CODE

（ nA的）

(V)

民

40

50

60

80

100

300

500

400

60

80

20

30

--

40

50

60

300

500

--

30

140

100

30

75

40

60

30

40

80

25

6.0

12

(V)

* VCES

民

40*

50*

80*

100

300

400

350

60

80

20*

30*

40

40*

50*

60*

300

400

25*

25

120

100

15

40

15

60

12

15

25

30

40

60

40

25

6.0

12

(V)

最大

10

12

6.0

4.0

10

8.0

4.0

10

5.0

6.0

10

3.0

5.0

4.0

3.0

6.0

4.5

6.0

5.0

2.0

4.0

6.0

5.0

4.0

* ICES

* ICEV

最大

100

250

100

1,000

100

1,000

10

400

10

50

35*

10*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

民

最大

10,000

--

10,000

40

50

20,000

10,000

20,000

40,000

40

10,000

25

50

1,000

60

50

40

20

100

40

250

100

20

150

40

100

30

--

200

--

400

--

200

--

300

250

--

300

120

--

300

200

600

120

300

--

120

@ VCE

(V)

@ IC

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC

(V)

（MA ）

COB

fT

NF

花花公子

MPSA25

MPSA26

MPSA27

MPSA28

MPSA29

MPSA42

MPSA44

MPSA45

MPSA55

MPSA56

MPSA62

MPSA63

MPSA64

MPSA65

MPSA66

MPSA70

MPSA75

MPSA76

MPSA77

MPSA92

MPSA94

MPSD04

MPSD54

MPSH10

MPSH11

MPSL01

MPSL51

PN918

NPN达林顿

NPN高压

PNP幅度/ SWITCH

PNP达林顿

PNP低噪声

PNP达林顿

PNP高压

NPN达林顿

PNP达林顿

NPN RF OSC

NPN高压

PNP高压

NPN RF OSC

EBC

BEC

EBC

30

40

50

60

80

200

400

320

60

80

15

30

40

50

200

400

20

25

75

50

15

60

20

45

50

15

25

20

40

15

3.0

6.0

5.0

10

1.0

5.0

10

5.0

10

5.0

10

5.0

1.0

10

0.35

5.0

10

1.0

0.30

100

30

10

100

10

100

5.0

100

30

10

300

100

4.0

10

50

3.0

150

10

1.0

150

8.0

15

1.0

10

150

50

10

1.50

0.50

0.75

0.25

1.0

1.50

0.25

1.50

0.5

0.75

1.0

0.50

0.30

0.40

1.0

0.50

0.30

1.60

--

0.30

0.35

1.0

0.25

1.0

0.50

0.60

100

20

50

100

10

100

10

100

20

50

100

4.0

50

10

500

100

1.0

500

--

20

1.0

100

150

300

50

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

125

--

125

8.0

3.0

6.0

--

4.0

--

6.0

--

125

50

20

50

125

100

125

50

20

100

--

6.0

4.0

--

3.0

--

285

18

--

100

--

170

60

75

0.65* 650

0.90* 650

8.0

1.7

8.0

4.0

6.0

8.0

1.7

3.5

4.0

25

20

10

3.5

60

600

300

500

--

200

600

400

40

60

150

500

PN2222A

NPN幅度/ SWITCH

PN2369A

NPN SAT SWITCH

PN2484

NPN低噪声

PN2907A

PNP幅度/ SWITCH

PN3563

PN3564

PN3565

PN3566

PN3567

PN3568

PN3569

NPN RF OSC

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PN3638A

PNP幅度/ SWITCH

PN3639

PN3640

PNP SAT SWITCH

76

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

PN3566

NPN通用放大器

本设备是用作介质放大器和开关需要

集电极电流高达300毫安。

从加工19采购。

1

TO-92

1. 2.发射基地3.收藏家

绝对最大额定值

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J,

T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

- 连续

工作和存储结温范围

参数

价值

30

40

5

600

- 55 ~ 150

单位

V

mA

°C

电气特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

I

C

= 30mA时我

B

= 0

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 2.0毫安

V

CE

= 10V ，我

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= 10毫安

I

C

= 100mA时我

B

= 10毫安

V

CE

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C

= 100毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= 0

80

150

分钟。

30

40

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10

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

A

开关特性

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压*

V

（ BR ） CBO

V

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I

CBO

I

EBO

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

基本特征

h

FE

直流电流增益

V

CE

（SAT）

V

BE

（上）

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极电压上

600

1.0

0.9

25

V

pF

小信号特性

C

敖包

输出电容

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300毫秒，占空比

≤

2.0%

热特性

T

a

= 25 ° C除非另有说明

符号

P

D

R

θJA

R

θJC

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

参数

马克斯。

625

5

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年10月

PN3566

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年10月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

A

CEX

ActiveArray

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

EcoSPARK

E

2

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

快

FASTr

FPS

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

I

2

C

我罗

ImpliedDisconnect

等平面

LittleFET

MICROCOUPLER

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerEdge

PowerSaver技术

的PowerTrench

QFET

QS

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SerDes

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

放弃

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

2.关键部件是在生命支持任何组件

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

设备或系统，其未能履行可

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

合理预期造成的生命支持故障

如果使用得当按照使用说明

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2004仙童半导体公司

修订版I13