PIN光电二极管
PNZ300
(PN300)
, PNZ300F
(PN300F)
硅平面型
对于光控系统
■
特点
这是非常适合于高速调制光响应速度快
发现
宽光谱灵敏度
低暗电流和低噪声
良好的光电流的线性度和宽动态灵敏度
狭窄的指向性( PNZ300 )
广derectivity ( PNZ300F )
PAZ300
6.3
±0.3
φ4.6
±0.15
玻璃镜片
单位:mm
12.7分钟。
2-φ0.45
±0.05
2.54
±0.25
1.
0
±
2
0.
±3
45
°
1.
0
±
0.
15
°
2
1
φ5.75
马克斯。
1 :阳极
2 :阴极
MTGLR102-001套餐
玻璃橱窗
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向电压
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
R
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
50
100
25
to
+85
30
to
+100
单位
V
mW
°C
°C
PAZ300F
4.5
±0.2
φ4.6
±0.15
单位:mm
12.7分钟。
2-φ0.45
±0.05
2.45
±0.25
0
1.
.2
±0
±3
45
°
1.
0
±
0.
15
°
2
1
φ5.75
马克斯。
■
电气,光学特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
暗电流
光
*1
PNZ300
PNZ300F
峰值发射波长
上升时间
*2
下降时间
*2
终端电容
半功率角
PNZ300
PNZ300F
λ
p
t
r
t
f
C
t
θ
V
R
=
10 V,F
=
1兆赫
从哪个角度光
变为50%
V
R
=
10 V
V
R
=
20 V ,R
L
=
50
符号
I
D
I
L
V
R
=
10 V
V
R
=
10 V,L
=
1 000 LX
30
5
条件
民
1 :阳极
2 :阴极
MTGFR102-001套餐
典型值
0.1
55
7
800
1
1
7
10
40
最大
10
单位
nA
A
nm
ns
ns
pF
°
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
2.光谱灵敏度特性:灵敏度波长超过400nm的最大灵敏度为100% 。
3.该设备被设计被忽视的辐射。
4 * 1 :资料来源:钨(色温2 856 K)
* 2 :开关时间测量电路
SIG 。在
λ
P
=
900纳米
50
R
L
V
R
(输入脉冲)
SIG 。出
(输出脉冲)
t
r
t
f
90%
10%
t
r
:上升时间
t
f
:
下降时间
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2004年4月
SHE00030BED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
PIN光电二极管
PNZ300
(PN300)
, PNZ300F
(PN300F)
硅平面型
对于光控系统
■
特点
这是非常适合于高速调制光响应速度快
发现
宽光谱灵敏度
低暗电流和低噪声
良好的光电流的线性度和宽动态灵敏度
狭窄的指向性( PNZ300 )
广derectivity ( PNZ300F )
PAZ300
6.3
±0.3
φ4.6
±0.15
玻璃镜片
单位:mm
12.7分钟。
2-φ0.45
±0.05
2.54
±0.25
1.
0
±
2
0.
±3
45
°
1.
0
±
0.
15
°
2
1
φ5.75
马克斯。
1 :阳极
2 :阴极
MTGLR102-001套餐
玻璃橱窗
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
反向电压
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
R
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
50
100
25
to
+85
30
to
+100
单位
V
mW
°C
°C
PAZ300F
4.5
±0.2
φ4.6
±0.15
单位:mm
12.7分钟。
2-φ0.45
±0.05
2.45
±0.25
0
1.
.2
±0
±3
45
°
1.
0
±
0.
15
°
2
1
φ5.75
马克斯。
■
电气,光学特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
暗电流
光
*1
PNZ300
PNZ300F
峰值发射波长
上升时间
*2
下降时间
*2
终端电容
半功率角
PNZ300
PNZ300F
λ
p
t
r
t
f
C
t
θ
V
R
=
10 V,F
=
1兆赫
从哪个角度光
变为50%
V
R
=
10 V
V
R
=
20 V ,R
L
=
50
符号
I
D
I
L
V
R
=
10 V
V
R
=
10 V,L
=
1 000 LX
30
5
条件
民
1 :阳极
2 :阴极
MTGFR102-001套餐
典型值
0.1
55
7
800
1
1
7
10
40
最大
10
单位
nA
A
nm
ns
ns
pF
°
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
2.光谱灵敏度特性:灵敏度波长超过400nm的最大灵敏度为100% 。
3.该设备被设计被忽视的辐射。
4 * 1 :资料来源:钨(色温2 856 K)
* 2 :开关时间测量电路
SIG 。在
λ
P
=
900纳米
50
R
L
V
R
(输入脉冲)
SIG 。出
(输出脉冲)
t
r
t
f
90%
10%
t
r
:上升时间
t
f
:
下降时间
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2004年4月
SHE00030BED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月