PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
E
C
TO-92
EBC
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
B
NPN通用放大器
•本设备是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
•从加工19采购。
绝对最大额定值*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
工作和存储结温范围
价值
40
75
6.0
1.0
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
注意事项：
1 ）这些等级是基于对150度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
（ BR ） CEO
BV
（ BR ） CBO
BV
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
h
FE
参数
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0, T
a
= 125°C
V
EB
= 3.0V ，我
C
= 0
V
CE
= 60V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，T
a
= -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V *
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 10V
0.6
35
50
75
35
100
50
40
分钟。
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
马克斯。
单位
V
V
V
nA
µA
µA
µA
µA
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
直流电流增益
基本特征
300
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
©2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
电气特性
TA = 25° C除非另有说明
符号
参数
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
c
NF
回复（H
ie
)
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（续）
测试条件
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 300MHz的
分钟。
300
马克斯。
单位
兆赫
8.0
25
150
4.0
60
pF
pF
pS
dB
Ω
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
V
CC
= 30V, V
EB （O FF ）
= 0.5V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
热特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
PN2222A
625
5.0
83.3
200
357
125
*MMBT2222A
350
2.8
**PZT2222A
1,000
8.0
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB板1.6 “
×
1.6”
×
0.06”.
**装置安装在FR- 4 PCB 36毫米
×
18mm
×
1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34 IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092短路电流Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
©2004仙童半导体公司
A1修订版2004年8月
小信号晶体管
TO- 92案例（续）
型号
描述
LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
CODE
（ nA的）
(V)
民
40
50
60
80
100
300
500
400
60
80
20
30
30
30
30
--
40
50
60
300
500
--
--
30
30
140
100
30
75
40
60
60
30
30
30
40
80
80
80
25
6.0
12
(V)
* VCES
民
40*
50*
50*
80*
100
300
400
350
60
80
20*
30*
30*
30*
30*
40
40*
50*
60*
300
400
25*
25*
25
25
120
100
15
40
15
60
60
12
15
25
30
40
60
40
25
6.0
12
(V)
最大
10
10
10
12
12
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
10
10
10
8.0
8.0
4.0
10
10
10
5.0
6.0
10
10
3.0
3.0
5.0
4.0
3.0
6.0
4.5
6.0
5.0
2.0
4.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
4.0
4.0
* ICES
* ICEV
最大
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
250
100
1,000
1,000
100
100
1,000
1,000
10
10
400
10
10
50
50
50
50
50
50
50
35*
10*
10*
(V)
的hFE
*的hFE
(1kHZ)
民
最大
10,000
--
10,000
10,000
10,000
10,000
40
50
50
50
50
20,000
10,000
20,000
20,000
40,000
40
10,000
10,000
10,000
25
50
1,000
1,000
60
60
50
40
20
100
40
250
100
20
20
150
150
40
40
100
100
30
30
--
--
--
--
--
200
200
--
--
--
--
--
--
--
400
--
--
--
--
200
--
--
--
--
300
250
--
300
120
--
300
200
200
600
600
120
120
300
--
120
120
@ VCE
(V)
@ IC
（MA ）
VCE （ SAT ） @ IC
(V)
（MA ）
COB
fT
NF
花花公子
MPSA25
MPSA26
MPSA27
MPSA28
MPSA29
MPSA42
MPSA44
MPSA45
MPSA55
MPSA56
MPSA62
MPSA63
MPSA64
MPSA65
MPSA66
MPSA70
MPSA75
MPSA76
MPSA77
MPSA92
MPSA94
MPSD04
MPSD54
MPSH10
MPSH11
MPSL01
MPSL51
PN918
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN高压
NPN高压
NPN高压
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP低噪声
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP高压
PNP高压
NPN达林顿
PNP达林顿
NPN RF OSC
NPN RF OSC
NPN高压
PNP高压
NPN RF OSC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
BEC
BEC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
30
40
50
60
80
200
400
320
60
80
15
30
30
30
30
30
30
40
50
200
400
20
20
25
25
75
50
15
60
20
45
50
15
15
25
20
40
40
40
15
3.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
10
10
1.0
1.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
5.0
10
10
5.0
5.0
10
10
5.0
5.0
1.0
10
0.35
5.0
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.30
0.30
100
100
100
100
100
30
10
10
100
100
10
100
100
100
100
5.0
100
100
100
30
10
300
100
4.0
4.0
10
50
3.0
150
10
1.0
150
8.0
15
1.0
10
150
150
150
50
10
10
1.50
1.50
1.50
1.50
1.50
0.50
0.75
0.75
0.25
0.25
1.0
1.50
1.50
1.50
1.50
0.25
1.50
1.50
1.50
0.5
0.75
1.0
1.0
0.50
0.50
0.30
0.30
0.40
1.0
0.50
0.30
1.60
--
0.30
0.35
1.0
0.25
0.25
0.25
1.0
0.50
0.60
100
100
100
100
100
20
50
50
100
100
10
100
100
100
100
10
100
100
100
20
50
100
100
4.0
4.0
50
50
10
500
100
1.0
500
--
20
1.0
100
150
150
150
300
50
50
（ pF）的（兆赫） （ dB）的
* CRB * TYP
MAX MIN MAX MAX
125
--
--
--
125
125
8.0
8.0
3.0
6.0
6.0
--
--
--
--
--
--
--
4.0
--
--
--
6.0
6.0
--
--
--
--
125
125
50
20
20
50
50
125
125
125
100
100
125
125
125
125
50
20
100
100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
6.0
4.0
--
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
285
18
--
100
--
--
--
--
--
--
--
170
60
75
0.65* 650
0.90* 650
8.0
8.0
1.7
8.0
4.0
6.0
8.0
1.7
3.5
4.0
25
20
20
20
10
3.5
3.5
60
60
600
300
500
--
200
600
400
40
40
60
60
60
150
500
500
PN2222A
NPN幅度/ SWITCH
PN2369A
NPN SAT SWITCH
PN2484
NPN低噪声
PN2907A
PNP幅度/ SWITCH
PN3563
PN3564
PN3565
PN3566
PN3567
PN3568
PN3569
NPN RF OSC
NPN RF OSC
NPN低噪声
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PN3638A
PNP幅度/ SWITCH
PN3639
PN3640
PNP SAT SWITCH
PNP SAT SWITCH
76
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
器件可形成领先优势，
有关详细信息，请参阅第216页通219 。
此外，在Ammopack或磁带&卷可用，
有关详细信息，请参阅第230页通235 。
UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A
晶体管
NPN中等功率晶体管（开关）
UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A
！特点
1 ） BV
首席执行官
＆ GT ;
40V （我
C
=10mA)
2 ）补充了UMT2907A / SST2907A
/ MMST2907A / PN2907A 。
！外部
尺寸
（单位：毫米）
UMT2222A
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
0.2
0.9±0.1
0.7±0.1
1.25
±
0.1
2.1
±
0.1
0
∼
0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
0.3
+
0.1
0.15±0.05
−0
所有的终端都有相同的尺寸
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
！包，
标记和包装规格
产品型号
包装类型
记号
CODE
基本订购单位
（件）
UMT2222A
UMT3
R1P
T106
3000
SST2222A MMST2222A
SST3
R1P
T116
3000
SMT3
R1P
T146
3000
PN2222A
TO-92
−
T93
3000
SST2222A
0.95
+
0.2
−0.1
0.45±0.1
2.4
±
0.2
1.3
+
0.2
−
0.1
0
∼
0.1
0.2Min.
0.1
∼
0.4
(3)
0.4
+
0.1
−0.05
所有的终端都有相同的尺寸
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+
0.2
−0.1
0.8±0.1
ROHM ： SST3
+
0.1
0.15
−0.06
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
MMST2222A
！绝对
最大额定值
（ TA = 25°C ）
(3)
1.6
+
0.2
−
0.1
2.8
±
0.2
0
∼
0.1
结温
储存温度
∗
当安装在一个7 ×5× 0.6毫米陶瓷板
Tj
TSTG
0.35
0.625
150
−55 ∼ +150
W
W
°C
°C
(12.7Min.)
UMT2222A,SST2222A,
MMST2222A
集电极电源
SST2222A
耗散
PN2222A
4.8
±
0.2
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
75
40
6
0.6
0.2
V
V
V
A
W
0.4
+
0.1
−0.05
所有的终端都有相同的尺寸
+
0.1
0.15
−0.06
PN2222A
4.8
±
0.2
3.7
±
0.2
P
C
∗
2.5Min.
0.5
±
0.1
(1)
(2) (3)
5
+0.3
2.5
−
0.1
0.3
∼
0.6
参数
符号
范围
单位
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
ROHM ： TO- 92
EIAJ ： SC- 43
+0.15
0.45
−
0.05
2.3
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
！电
特征
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
分钟。
75
40
6
−
−
−
−
0.6
−
35
直流电流传输比
h
FE
50
75
50
100
跃迁频率
输出电容
发射极输入电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
COB
兴业银行
td
tr
TSTG
tf
40
300
−
−
−
−
−
−
典型值。
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
马克斯。
−
−
−
100
100
0.3
1
1.2
2
−
−
−
−
300
−
−
8
25
10
25
225
60
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
−
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
I
C
=10µA
I
C
=10mA
I
E
=10µA
V
CB
=
60V
V
EB
=
3V
I
C
/I
B
=150mA/15mA
I
C
/I
B
=500mA/50mA
I
C
/I
B
=150mA/15mA
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
=10V
, I
C
=0.1mA
V
CE
=10V
, I
C
=1mA
V
CE
=10V
, I
C
=10mA
V
CE
=1V
, I
C
=150mA
V
CE
=10V
, I
C
=150mA
V
CE
=10V
, I
C
=500mA
V
CE
=20V
, I
C
=−20mA,
f
=100MHz
V
CB
=10V
, f
=100kHz
V
EB
=0.5V
, f
=100kHz
V
CC
=30V
, V
BE （OFF）的
=0.5V
, I
C
=150mA
, I
B1
=15mA
V
CC
=30V
, V
BE （OFF）的
=0.5V
, I
C
=150mA
, I
B1
=15mA
V
CC
=30V
, I
C
=150mA
, I
B1
=−I
B2
=15mA
V
CC
=30V
, I
C
=150mA
, I
B1
=−I
B2
=15mA
条件
UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A
晶体管
！电
特性曲线
100
Ta=25°C
集电极电流： IC （MA ）
600
500
400
1000
Ta=25°C
直流电流增益：H
FE
V
CE
=
10V
50
300
200
100
100
1V
I
B
=0µA
0
0
10
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
(V)
10
0.1
1.0
10
集电极电流： IC （MA ）
100
1000
图1接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与集电极电流（ Ⅰ ）
集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25°C
I
C
/ I
B
=10
0.3
1000
V
CE
=
10V
直流电流增益：H
FE
Ta
=125°C
0.2
25
°C
−55°C
100
0.1
0
1.0
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
10
0.1
1.0
10
集电极电流： IC （MA ）
100
1000
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图4直流电流增益与集电极电流（ ΙΙ ）
基极发射极饱和电压： V
BE （ SAT ）
(V)
1000
1.8
1.6
Ta
=25°C
V
CE
=
10V
f
=
1kHz
Ta
=25°C
I
C
/ I
B
=
10
AC电流增益：H
FE
1.2
100
0.8
0.4
10
0.1
0
1.0
1.0
10
集电极电流： IC （MA ）
100
1000
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
图5交流电流增益与集电极电流
图6基射极饱和
电压与集电极电流
UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A
晶体管
基极发射极电压： V
BE（上）
(V)
1.8
1.6
Ta
=25°C
V
CE
=
10V
1000
Ta
=25°C
I
C
/ I
B
=
10
500
Ta
=25°C
V
CC
=
30V
I
C
/ I
B
=
10
开启时间：吨（ NS ）
1.2
100
V
CC
=
30V
10V
0.8
0.4
上升时间： TR （ NS ）
100
10
0
1
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
10
1.0
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
5
1.0
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
图7发射极接地传播
特征
图8接通时间与集电极
当前
图9上升时间与收藏家
当前
1000
Ta
=25°C
V
CC
=
30V
I
C
=
10I
B1
=
10I
B2
1000
Ta
=25°C
V
CC
=
30V
I
C
=
10I
B1
=
10I
B2
100
Ta
=25°C
f
=
1MHz
存储时间： TS （ NS ）
电容（pF）
下降时间TF （ NS ）
兴业银行
100
100
10
COB
10
1.0
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
10
1.0
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
1
0.1
1.0
10
反向偏置电压（V）的
100
图10存储时间与集电极
当前
图11下降时间与集电极
当前
图12中的输入/输出电容
与电压
100
集电极 - 发射极电压： V
CE
(V)
100MHz的250MHz的300MHz的
200MHz
10
1
250MHz
0.1
电流增益带宽积（兆赫）
Ta
=25°C
1000
Ta
=25°C
V
CE
=
10V
100
1
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
10
1.0
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
图13增益带宽积
图14增益带宽积
与集电极电流
MCC
特点
•
•
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
PN2222A
通孔封装
能功率耗散600mWatts的
引脚配置
底部视图
NPN通用
用途放大器
TO-92
A
40
75
6.0
20
10
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
B
E
C
B
E
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 10mAdc ，我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10μAdc ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ，我
C
=0)
基地截止电流
(V
CE
= 60V直流，V
BE
=3.0Vdc)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60V直流，V
BE
=3.0Vdc)
直流电流增益*
(I
C
= 0.1mAdc ，V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 150mAdc ，V
CE
=10Vdc)
(I
C
= 150mAdc ，V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 500mAdc ，V
CE
=10Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 150mAdc ，我
B
=15mAdc)
(I
C
= 500mAdc ，我
B
=50mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 20mAdc的，V
CE
= 20VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= 10Vdec ，我
E
= 0 ， F = 100kHz时）
输入电容
(V
BE
= 0.5VDC ，我
C
= 0 ， F = 100kHz时）
噪声系数
(I
C
= 100μAdc ，V
CE
= 10V直流，R
S
=1.0kΩ
f=1.0kHz)
延迟时间
(V
CC
= 30V直流，V
BE
=0.5Vdc
上升时间
I
C
= 150mAdc ，我
B1
=15mAdc)
贮存时间
(V
CC
= 30V直流，我
C
=150mAdc
下降时间
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
基本特征
h
FE
C
35
50
75
100
50
40
300
V
CE （ SAT ）
0.3
1.0
0.6
1.2
2.0
VDC
D
V
BE （ SAT ）
VDC
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
300
8.0
25
4.0
兆赫
pF
pF
dB
暗淡
A
B
C
D
E
G
英寸
民
.175
.175
.500
.016
.135
.095
尺寸
MM
民
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
G
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
*脉冲宽度
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
最大
.185
.185
---
.020
.145
.105
最大
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
记
www.mccsemi.com
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
MMPQ2222
E2
B2
E3
B3
E4
B4
NMT2222
C2
E1
C1
E1
B1
SOIC-16
针＃ 1
C1
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
B2
E2
SOT-6
马克： .1B
B1
NPN通用放大器
这个装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500 mA 。从亲源
塞斯19 。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
75
6.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
1997仙童半导体公司
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
V
V
V
nA
µA
µA
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ，T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
35
50
75
35
100
50
40
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和
电压*
基射极饱和电压*
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
C
NF
回复（H
ie
)
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 100千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CB
= 20 V ， F = 31.8兆赫
I
C
= 100
µA,
V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 300 MHz的
300
8.0
25
150
4.0
60
兆赫
pF
pF
pS
dB
Ω
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34f IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
PN2222A
625
5.0
83.3
200
最大
*PZT2222A
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
符号
P
D
R
θJA
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
最大
**MMBT2222A
350
2.8
357
MMPQ2222
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
**
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
125 °C
25 °C
400
300
200
25 °C
125 °C
0.2
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
0.6
125 °C
125 °C
0.4
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
科特
100
10
1
0.1
V
CB
= 40V
F = 1 MHz的
8
4
ç OB
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
I
c
10
时间（纳秒）
时间（纳秒）
240
160
80
T ON
吨关闭
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
测试电路
30 V
200
Ω
16 V
1.0 KΩ
Ω
0
≤
200ns
500
Ω
图1 ：饱和导通开关时间
- 15 V
6.0 V
1k
37
Ω
30 V
1.0 KΩ
Ω
0
≤
200ns
50
Ω
图2 ：饱和关断开关时间
PN2222A
TO- 92 AMMOPACK SHIPMENT （ Suffix" - AP" ）机械数据
DIM 。
A1
T
T1
T2
d
P0
P2
F1,F2
三角洲ħ
W
W0
W1
W2
H
H0
H1
D0
t
L
I1
增量P
mm
典型值。
寸
典型值。
分钟。
12.50
5.65
2.44
-2.00
17.50
5.70
8.50
18.50
15.50
3.80
12.70
6.35
2.54
18.00
6.00
9.00
16.00
4.00
马克斯。
4.80
3.80
1.60
2.30
0.48
12.90
7.05
2.94
2.00
19.00
6.30
9.25
0.50
20.50
16.50
25.00
4.20
0.90
11.00
1.00
分钟。
0.492
0.222
0.096
-0.079
0.689
0.224
0.335
0.728
0.610
0.150
0.500
0.250
0.100
0.709
0.236
0.354
0.630
0.157
马克斯。
0.189
0.150
0.063
0.091
0.019
0.508
0.278
0.116
0.079
0.748
0.248
0.364
0.020
0.807
0.650
0.984
0.165
0.035
0.433
0.039
3.00
-1.00
0.118
-0.039
5/6
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
特点
•
大电流（最大600 mA）的
•
低电压（最大40 V） 。
应用
•
通用开关和线性放大。
描述
NPN开关晶体管在TO -92 ; SOT54塑料
封装。 PNP补充： PN2907A 。
1
手册， halfpage
PN2222A
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
2
3
1
2
3
MAM279
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
−
−
−
−
−
−
−
−65
−
−65
分钟。
马克斯。
75
40
6
600
800
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年5月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
PN2222A
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年5月21日
5
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
PN2222A
MMBT2222A
C
PZT2222A
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 1P
B
SOT-223
MMPQ2222
E2
B2
E3
B3
E4
B4
NMT2222
C2
E1
C1
E1
B1
SOIC-16
针＃ 1
C1
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
B2
E2
SOT-6
马克： .1B
B1
NPN通用放大器
这个装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500 mA 。从亲源
塞斯19 。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
40
75
6.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
1997仙童半导体公司
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
BL
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 60 V, V
EB （O FF ）
= 3.0 V
40
75
6.0
10
0.01
10
10
20
V
V
V
nA
µA
µA
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ，T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
35
50
75
35
100
50
40
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和
电压*
基射极饱和电压*
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
rb'C
C
NF
回复（H
ie
)
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射极的实部
高频输入阻抗
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 100千赫
V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 100千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CB
= 20 V ， F = 31.8兆赫
I
C
= 100
µA,
V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 300 MHz的
300
8.0
25
150
4.0
60
兆赫
pF
pF
pS
dB
Ω
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ MMPQ2222和NMT2222除外）
V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V,
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
µs,
占空比
≤
2.0%
SPICE模型
NPN （ IS = 14.34f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 255.9 NE = 1.307伊势= 14.34f IKF = 0.2847 XTB = 1.5 BR = 6.092 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 1 CJC = 7.306p建超= 0.3416 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 22.01p MJE = 0.377 VJE = 0.75 TR表示46.91n铁蛋白= 411.1p ITF = 0.6
VTF = 1.7 XTF = 3的Rb = 10 ）
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
PN2222A
625
5.0
83.3
200
最大
*PZT2222A
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
符号
P
D
R
θJA
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
有效的4模
每个模具
最大
**MMBT2222A
350
2.8
357
MMPQ2222
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
**
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
β
= 10
0.3
125 °C
25 °C
400
300
200
25 °C
125 °C
0.2
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
0.6
125 °C
125 °C
0.4
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
科特
100
10
1
0.1
V
CB
= 40V
F = 1 MHz的
8
4
ç OB
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
I
c
10
时间（纳秒）
时间（纳秒）
240
160
80
T ON
吨关闭
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
SOT-223
TO-92
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
PN2222A / MMBT2222A / MMPQ2222 / NMT2222 / PZT2222A
NPN通用放大器
（续）
测试电路
30 V
200
Ω
16 V
1.0 KΩ
Ω
0
≤
200ns
500
Ω
图1 ：饱和导通开关时间
- 15 V
6.0 V
1k
37
Ω
30 V
1.0 KΩ
Ω
0
≤
200ns
50
Ω
图2 ：饱和关断开关时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
PN2222A
NPN通用
扩音器
特点
*此装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
NPN硅晶体管
订购信息
正常
PN2222A-AB3-R
PN2222A-T92-B
PN2222A-T92-K
订购数量
无铅电镀
PN2222AL-AB3-R
PN2222AL-T92-B
PN2222AL-T92-K
无卤
PN2222AG-AB3-R
PN2222AG-T92-B
PN2222AG-T92-K
包
SOT-89
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
磁带盒
体积
www.unisonic.com.tw
©2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R208-022.D
PN2222A
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
评级
单位
集电极 - 基极电压
75
V
集电极 - 发射极电压
40
V
发射极 - 基极电压
6
V
集电极电流
0.6
A
SOT-89
1.2
器件总功耗
P
C
W
TO-92
0.6
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明）
参数
结到环境
SOT-89
TO-92
符号
θ
JA
评级
104
200
单位
℃/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
底座截止电流
基本特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
I
BL
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V
（注）
I
C
= 150毫安，V
CE
=1.0V
（注）
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
（注）
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V ，R
S
=1.0kΩ,
f=1.0kHz
0.6
民
75
40
6
10
0.01
10
20
35
50
75
100
50
40
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
μA
nA
nA
直流电流增益
h
FE
300
0.3
1.0
1.2
2.0
集电极 - 发射极饱和电压
（注）
基射极饱和电压
（注）
小信号特性
跃迁频率
输出电容
输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
共发射高的实部
频率输入阻抗
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
f
T
科博
CIBO
rb'Cc
NF
300
8.0
25
150
4.0
60
兆赫
pF
pF
pS
dB
Ω
回复（ HJE ）I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 300MHz的
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PN2222A
NPN硅晶体管
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
开关特性
延迟时间
t
D
V
CC
=30V, V
BE （OFF）的
=0.5V
上升时间
t
R
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
贮存时间
t
S
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
下降时间
t
F
I
B1
= I
B2
=15mA
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
民
典型值
最大
10
25
225
60
单位
ns
ns
ns
ns
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测试电路
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典型特征
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