光电晶体管
PNZ102
(PN102)
硅平面型
φ4.6
±0.15
单位：mm
玻璃镜片
对于光控系统
■
特点
高灵敏度
宽的光谱灵敏度特性，适合于检测砷化镓
LED灯
低暗电流：I
首席执行官
=
5 NA（典型值）。
响应速度快：吨
r
, t
f
=
3
s
（典型值）。
管脚，方便电路设计
TO- 18标准型包
6.3
±0.3
12.7分钟。
3-φ0.45
±0.05
2.54
±0.25
1.
0
±
2
0.
15
±
3
45
°
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极电压（发射极开路）
发射极 - 集电极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
集电极耗散功率
*
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
V
EBO
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
等级
30
40
5
5
50
150
25
to
+85
30
to
+100
单位
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1.
0
±
0.
°
3
2
1
1 ：发射器
2 ：基本
φ5.75
马克斯。
3 ：收藏家
MTGLR103-001套餐
注）* ：电功率的降低速率为1.5毫瓦/ ° C以上牛逼
a
= 25°C.
■
电气，光学特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
光
暗电流
峰值发射波长
半功率角
上升时间
*2
下降时间
*2
集电极 - 发射极饱和电压
*1
*1
符号
I
CE （L）的
I
首席执行官
λ
p
θ
t
r
t
f
V
CE （ SAT ）
V
CE
=
10 V
V
CE
=
10 V
条件
V
CE
=
10 V，L
=
LX 100
民
1.5
典型值
3.5
5
800
10
3
3
最大
单位
mA
300
nA
nm
°
s
s
从哪个角度光
变为50％
V
CC
=
10 V，I
CE （L）的
=
5毫安，R
L
=
100
I
CE （L）的
=
1毫安，L
=
LX 500
0.2
0.4
V
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2.光谱灵敏度特性：灵敏度波长超过400nm的最大灵敏度为100％ 。
3.该设备被设计被忽视的辐射。
4 * 1 ：资料来源：钨（色温2 856 K）
* 2 ：开关时间测量电路
SIG 。在
V
CC
（输入脉冲）
SIG 。出
R
L
（输出脉冲）
t
r
t
f
90%
10%
t
r
：上升时间
t
f
:
下降时间
50
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年4月
SHE00005BED
1
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特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
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系统蒸发散满足您的要求。
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荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
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即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
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松下电器产业株式会社许可
2003年九月
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