PMZB670UPE
83B
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
第3版 - 2012年3月23日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
P沟道增强型场效应晶体管（ FET）的无铅超小
DFN1006B - 3 （ SOT883B ）表面贴装器件（ SMD）采用沟槽式塑料封装
MOSFET技术。
SO
T8
1.2特点和优点
非常快速的切换
低阈值电压
沟槽MOSFET技术
ESD保护高达2千伏
0.37毫米超轻薄封装简介
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
高端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -400毫安;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-8
-
-
典型值
-
-
-
0.67
最大
-20
8
-680
0.85
单位
V
V
mA
静态特性
[1]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
恩智浦半导体
PMZB670UPE
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
3
2
透明
顶视图
G
D
简化的轮廓
图形符号
DFN1006B-3
(SOT883B)
S
017aaa259
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMZB670UPE
DFN1006B-3
描述
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
身体1.0× 0.6× 0.37毫米
VERSION
SOT883B
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
0000 1011
类型编号
PMZB670UPE
[1]
对于DFN1006B - 3 （ SOT883B ）二进制代码标记说明，请参阅
图1 。
4.1二进制标记的代码说明
引脚1指示
阅读方向
阅读示范：
0111
1011
标识代码
（例）
阅读方向
006aac673
图1 。
DFN1006B - 3 （ SOT883B ）二进制标记代码说明
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5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
V
ESD
[1]
[2]
[3]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-8
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
HBM
[1]
最大
-20
8
-680
-425
-2.7
360
715
2700
150
150
150
-680
2000
单位
V
V
mA
mA
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
mA
V
结温
环境温度
储存温度
源出电流
静电放电电压
源极 - 漏极二极管
-
-
ESD最大额定值
[3]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
测量之间的所有引脚。
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图2 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图3 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
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-10
I
D
(A)
-1
(1)
(2)
017aaa375
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
-10
-1
(3)
(4)
(5)
-10
-2
-10
-1
-1
-10
V
DS
(V)
-10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 1毫秒
（ 2）直流;牛逼
sp
= 25 °C
(3) t
p
= 10毫秒
(4) t
p
= 100毫秒
（ 5 ）直流;牛逼
AMB
= 25°C ;漏装垫片1厘米
2
图4 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
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6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
305
150
-
最大
360
175
40
单位
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
10
3
017aaa109
Z
号（j -a）的
（K / W）
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
10
2
0.25
0.1
0.2
0.05
0.02
0.01
0
10
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图5 。
10
3
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa110
Z
号（j -a）的
（K / W）
占空比= 1
0.75
10
2
0.5
0.25
0.1
0.05
0.02
0.01
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
0.33
0.2
0
10
10
3
FR4 PCB，安装垫排水1厘米
2
图6 。
PMZB670UPE
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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