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PMZ270XN
N沟道的TrenchMOS极低水平FET
01.牧师 - 2008年2月21日
底部视图
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
使用N-沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的塑料包装
的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
廓比SOT23低55 ％
I
低通态电阻
I
无铅封装
I
体积比SOT23小90 ％
I
低阈值电压
I
快速开关
1.3应用
I
驱动电路
I
的DC- DC转换器
I
在便携式电器负载开关
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
20 V
I
R
DSON
≤
340 m
I
I
D
≤
2.15 A
I
P
合计
≤
2.50 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
钉扎
描述
栅极（G ）
源极（S ）
漏极（四）
1
3
2
透明
顶视图
G
G
mbb076
mbb076
简化的轮廓
符号
D
D
SOT883 （ SC- 101 ）
S
S
恩智浦半导体
PMZ270XN
N沟道的TrenchMOS极低水平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
PMZ270XN
SC-101
描述
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT883
类型编号
4.极限值
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。遵守的注意事项进行处理
静电敏感器件。
这样的预防措施，在所描述的
ANSI / ESD S20.20 ， IEC / ST 61340-5 ， JESD625 -A
or
同等标准。
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
V
ESD
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
静电放电电压
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;看
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V ;看
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
SEE
图1
-
-
T
sp
= 25
°C
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
所有引脚
人体模型; C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
机器型号; C = 200 pF的
-
-
65
35
V
V
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
±12
2.15
1.36
4.30
2.50
+150
+150
2.15
4.30
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
静电放电
PMZ270XN_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年2月21日
2 13
恩智浦半导体
PMZ270XN
N沟道的TrenchMOS极低水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa17
120
I
DER
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
2
I
D
(A)
10
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的焊点温度功能
003aac204
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
s
100
s
1
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
1
10
2
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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3 13
恩智浦半导体
PMZ270XN
N沟道的TrenchMOS极低水平FET
5.热特性
表4 。
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
[1]
热特性
条件
SEE
图4
最小的足迹
[1]
符号参数
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
民
-
-
典型值
-
670
最大
50
-
单位
K / W
K / W
安装在印刷电路板上;垂直在静止空气中。
10
2
003aab831
Z
日（J -SP ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
单脉冲
t
p
T
P
δ
=
t
p
T
t
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
PMZ270XN_1
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4 13
恩智浦半导体
PMZ270XN
N沟道的TrenchMOS极低水平FET
6.特性
表5 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 0.25毫安; V
DS
= V
GS
;看
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±12
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 0.2 A;看
图6
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 0.1 A;看
图6
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
I
S
= 0.3 A; V
GS
= 0 V ;看
图13
V
DS
= 10 V ;
L
= 10
;
V
GS
= 4.5 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1兆赫;看
图14
I
D
= 1 ; V
DS
= 10 V; V
GS
= 4.5 V ;看
图11
和
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.72
0.18
0.18
34
12
8
5
11
11
6
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
-
-
-
270
430
440
340
540
520
m
m
m
-
-
-
-
-
10
1
100
100
A
A
nA
0.5
0.35
-
1
-
-
1.5
-
1.8
V
V
V
20
18
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
PMZ270XN_1
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