PMWD26UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
牧师02 - 2005年5月19日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
双N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料包装
使用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
s
表面安装封装
s
非常低阈值电压
s
低廓
s
快速开关
1.3应用
s
便携式电器
s
电池管理
s
PCMCIA卡
s
负载开关
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
20 V
s
P
合计
≤
3.1 W
s
I
D
≤
7.8 A
s
R
DSON
≤
30 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2, 3
4
5
6, 7
8
钉扎
描述
drain1 （ d1）的
源1 （ S1 ）
GATE1 g1内
GATE2 （ g2的）
source2中（ s2中）
drain2 （ d2）中
1
4
S
1
G
1
S
2
G
2
msd901
简化的轮廓
8
5
符号
D
1
D
2
SOT530-1 （ （ TSSOP8 ）
飞利浦半导体
PMWD26UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PMWD26UN
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT530-1
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
±10
7.8
4.7
31.3
3.1
+150
+150
2.6
10.3
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源极 - 漏极二极管
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
单个器件导通。
9397 750 14982
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年5月19日
2 12
飞利浦半导体
PMWD26UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa17
120
I
DER
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
P
DER
P
合计
=
------------------------
×
100
%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
--------------------
×
100
%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
2
I
D
(A)
10
图2.归连续漏极电流为
的焊点温度功能
003aaa266
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
t
p
= 10
s
100
s
1毫秒
1
DC
10毫秒
100毫秒
10
-1
10
-2
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
9397 750 14982
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年5月19日
3 12
飞利浦半导体
PMWD26UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
5.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直静止空气中
民
-
-
典型值
-
100
最大
40
-
单位
K / W
K / W
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
符号参数
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
003aaa267
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P
δ
=
t
p
T
10
1
单脉冲
t
p
T
t
10
-1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
p
(s)
10
2
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
9397 750 14982
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年5月19日
4 12
PMWD26UN
双
μTrenchMOS
超低水平FET
M3D647
版本01 - 2003年1月22日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PMWD26UN在SOT530-1 （ TSSOP8 ） 。
1.2产品特点
s
表面安装封装
s
门槛非常低
s
低廓
s
快速切换。
1.3应用
s
便携式电器
s
电池管理
s
PCMCIA卡
s
负载开关。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
20 V
s
P
合计
≤
2.3 W
s
I
D
≤
5.2 A
s
R
DSON
≤
30 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2,3
4
5
6,7
8
穿针 - SOT530-1 ，简化的外形和符号
描述
drain1 （ d1）的
源1 （ S1 ）
GATE1 g1内
GATE2 （ g2的）
source2中（ s2中）
drain2 （ d2）中
1
顶视图
4
MBK885
简化的轮廓
8
5
符号
d1
d2
s1
g1
s2
g2
MSD901
SOT530-1
飞利浦半导体
PMWD26UN
双
μTrenchMOS
超低水平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
20
20
±10
5.2
3.1
18
2.3
+150
+150
2
7
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 10834
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
版本01 - 2003年1月22日
2 12
飞利浦半导体
PMWD26UN
双
μTrenchMOS
超低水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
TP = 10微秒
1毫秒
10毫秒
1
DC
100毫秒
003aaa266
10-1
1s
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 10834
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
版本01 - 2003年1月22日
3 12
飞利浦半导体
PMWD26UN
双
μTrenchMOS
超低水平FET
4.热特性
表3：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小的足迹;
安装在印刷电路板
最小典型最大
-
-
55
70
100 -
单位
K / W
K / W
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
符号参数
4.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
003aaa267
δ
= 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
单脉冲
1
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
TP （多个）
t
102
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
9397 750 10834
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
版本01 - 2003年1月22日
4 12
QQ：2881677436 复制
