产品speci fi cation
PMV90EN
30 V ,单N沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2012年2月13日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型场效应晶体管( FET) ,SOT23封装( TO- 236AB )
采用沟道MOSFET技术的小表面贴装器件( SMD )塑料封装。
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.9 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-20
-
-
典型值
-
-
-
70
最大
30
20
2.1
84
单位
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
2
S
017aaa253
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
SOT23封装( TO- 236AB )
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sales@twtysemi.com
1第3
产品speci fi cation
PMV90EN
30 V ,单N沟道沟槽MOSFET
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMV90EN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMV90EN
[1]
% =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
EC %
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
30
20
2.1
1.9
1.2
7.6
310
455
2085
150
150
150
0.5
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
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2 3
产品speci fi cation
PMV90EN
30 V ,单N沟道沟槽MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
在自由空气中;牛逼
≤
5 s
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-
-
典型值
350
240
186
50
最大
400
275
215
60
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日(J -SP )
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
7.特点
表7中。
符号
V
( BR ) DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 150 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.9 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.9 A;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.6 A;牛逼
j
= 25 °C
g
fs
前锋
跨
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
I
S
= 0.5 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 15 V ;我
D
= 1.9 A; V
GS
= 10 V;
R
G( EXT )
= 6
;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 15 V ; F = 1兆赫; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1.9 A;牛逼
j
= 25 °C
民
30
1
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
1.5
-
-
-
-
70
109
90
5.7
最大
-
2.5
1
10
100
100
84
130
115
-
单位
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
S
静态特性
动态特性
Q
G( TOT )
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
V
DS
= 15 V ;我
D
= 1.9 A; V
GS
= 10 V;
T
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.6
0.42
0.34
132
31
13
3
8
15
5
0.7
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
源极 - 漏极二极管
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sales@twtysemi.com
3 3