产品speci fi cation
PMV65UN
2012年11月13日
20 V ，单N沟道沟槽MOSFET
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型场效应晶体管（ FET ），采用小型SOT23
（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD）采用沟槽MOSFET塑料包装
技术。
1.2特点和优点
低阈值电压
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 2 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-8
-
典型值
-
-
-
最大
20
8
2.2
单位
V
V
A
静态特性
漏极 - 源极导通状态
阻力
[1]
2
-
64
76
mΩ
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米。
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PMV65UN
20 V ，单N沟道沟槽MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
2
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
S
017aaa253
TO- 236AB （ SOT23 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMV65UN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
类型编号
PMV65UN
[1]
ED ％
％ =占位符的生产基地代码
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤ 10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
[2]
[1]
[1]
[1]
[1]
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-8
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
8
2.2
2
1.3
8
310
455
2170
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
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产品speci fi cation
PMV65UN
20 V ，单N沟道沟槽MOSFET
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-55
-55
-65
最大
150
150
150
单位
°C
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源出电流
[1]
[2]
T
AMB
= 25 °C
2
[1]
-
0.7
A
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
[1]
[2]
条件
在自由空气
在自由空气中;吨≤ 5秒
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-
-
典型值
350
240
195
50
最大
402
275
225
58
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米。
2
7.特点
表7中。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
民
20
0.4
-
-
典型值
-
0.7
-
-
最大
-
1
1
100
单位
V
V
A
nA
静态特性
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