PMV48XP
20 V ， 3.5 A P沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2010年12月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
P沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的小
SOT23封装（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装使用
沟槽MOSFET技术。
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
沟槽MOSFET技术
非常快速的切换
1.3应用
高端loadswitch
高速线路驱动器
继电器驱动器
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源
电压
栅极 - 源
电压
漏电流
漏源
导通状态
阻力
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -2.4 A;
脉冲;吨
p
≤
300 s;
δ ≤
0.01;
T
j
= 25 °C
[1]
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-12
-
-
典型值
-
-
-
48
最大单位
-20
12
-3.5
55
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米
2
.
恩智浦半导体
PMV48XP
20 V ， 3.5 A P沟道沟槽MOSFET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-12
-
-
-
-
-
-
-
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
-20
12
-3.5
-2.2
-14
510
930
4150
150
150
150
-1
单位
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
PMV48XP
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第1版 - 2010年12月21日
3 15
恩智浦半导体
PMV48XP
20 V ， 3.5 A P沟道沟槽MOSFET
10
2
I
D
(A)
10
017aaa125
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
(1)
(2)
1
(3)
(4)
(5)
(6)
10
1
10
2
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 100 s
(2) t
p
= 1毫秒
(3) t
p
= 10毫秒
（4 ）直流;牛逼
sp
= 25 °C
(5) t
p
= 100毫秒
（ 6 ）直流;牛逼
AMB
= 25°C ;漏装垫片6厘米
2
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
213
117
25
最大
245
135
30
单位
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
PMV48XP
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第1版 - 2010年12月21日
4 15
恩智浦半导体
PMV48XP
20 V ， 3.5 A P沟道沟槽MOSFET
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
017aaa126
占空比= 1
0.75
0.5
0.25
0.1
0.05
0.33
0.2
10
0.02
0
0.01
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
占空比= 1
10
2
0.5
0.25
0.1
10
0.33
0.2
0.05
0.75
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa127
0
0.02
0.01
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水6厘米
2
图5 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PMV48XP
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
第1版 - 2010年12月21日
5 15
产品speci fi cation
PMV48XP
20 V ， 3.5 A P沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2010年12月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
P沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的小
SOT23封装（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装使用
沟槽MOSFET技术。
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
沟槽MOSFET技术
非常快速的切换
1.3应用
高端loadswitch
高速线路驱动器
继电器驱动器
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源
电压
栅极 - 源
电压
漏电流
漏源
导通状态
阻力
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -2.4 A;
脉冲;吨
p
≤
300 s;
δ ≤
0.01;
T
j
= 25 °C
[1]
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-12
-
-
典型值
-
-
-
48
最大单位
-20
12
-3.5
55
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米
2
.
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 4
产品speci fi cation
PMV48XP
20 V ， 3.5 A P沟道沟槽MOSFET
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
AMB
= 25 °C
民
-
-12
-
-
-
-
-
-
-
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
-20
12
-3.5
-2.2
-14
510
930
4150
150
150
150
-1
单位
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
213
117
25
最大
245
135
30
单位
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3 4
QQ：2880707522 复制
