产品speci fi cation
PMV37EN
30 V ， 3.1 A N沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2011年5月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强模式场效应晶体管（FET ）中的一个小
SOT23封装（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD）采用沟槽式塑料封装
MOSFET技术。
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3.1 ;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
典型值
-
-
-
28
最大
30
20
3.1
36
单位
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
2
mbb076
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
SOT23封装（ TO- 236AB ）
S
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1第3
产品speci fi cation
PMV37EN
30 V ， 3.1 A N沟道沟槽MOSFET
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMV37EN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMV37EN
[1]
％ =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
KX ％
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
30
20
3.1
1.9
12.4
380
520
1800
150
150
150
0.6
单位
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 3
SO
T2
PMV37EN
30 V ， 3.1 A N沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2011年5月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强模式场效应晶体管（FET ）中的一个小
SOT23封装（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD）采用沟槽式塑料封装
MOSFET技术。
3
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3.1 ;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
典型值
-
-
-
28
最大
30
20
3.1
36
单位
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
2
mbb076
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
SOT23封装（ TO- 236AB ）
S
恩智浦半导体
PMV37EN
30 V ， 3.1 A N沟道沟槽MOSFET
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMV37EN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMV37EN
[1]
％ =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
KX ％
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
30
20
3.1
1.9
12.4
380
520
1800
150
150
150
0.6
单位
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
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产品数据表
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2 15
恩智浦半导体
PMV37EN
30 V ， 3.1 A N沟道沟槽MOSFET
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
017aaa214
10
2
I
D
(A)
10
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
(1)
(2)
1
(3)
10
–1
(4)
(5)
(6)
10
–2
10
–1
1
10
V
DS
(V)
10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 100 s
(2) t
p
= 1毫秒
(3) t
p
= 10毫秒
(4) t
p
= 100毫秒
（ 5 ）直流;牛逼
sp
= 25 °C
（ 6 ）直流;牛逼
AMB
= 25°C ;漏装垫片6厘米
2
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
PMV37EN
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产品数据表
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3 15
恩智浦半导体
PMV37EN
30 V ， 3.1 A N沟道沟槽MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
285
208
60
最大
330
240
70
单位
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.25
0.1
0.05
10
0.02
0.01
0.33
0.2
017aaa215
0
1
10
–3
10
–2
10
–1
10
2
10
3
1
10
t
p
(s)
FR4 PCB，标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa216
占空比= 1
0.75
0.5
0.25
0.1
0.05
0.33
0.2
10
0.02
0.01
0
1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
FR4 PCB，安装垫排水6厘米
2
图5 。
PMV37EN
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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第1版 - 2011年5月9日
4 15
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