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产品speci fi cation
PMV33UPE
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
第1版 - 2012年6月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
P沟道增强型场效应晶体管（ FET ），采用小型SOT23
（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD）采用沟槽MOSFET塑料包装
技术。
1.2特点和优点
低阈值电压
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
2 kV的ESD保护
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
高端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -3 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-8
-
-
典型值
-
-
-
30
最大
-20
8
-5.3
36
单位
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 4
产品speci fi cation
PMV33UPE
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
2
G
简化的轮廓
3
图形符号
D
SOT23封装（ TO- 236AB ）
S
017aaa259
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMV33UPE
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
EJ ％
类型编号
PMV33UPE
[1]
％ =占位符的生产基地代码
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 4
产品speci fi cation
PMV33UPE
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
V
ESD
[1]
[2]
[3]
[2]
[1]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-8
-
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
HBM
[1]
最大
-20
8
-5.3
-4.4
-2.8
-17.6
490
980
4150
150
150
150
-1.2
2000
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
V
结温
环境温度
储存温度
源出电流
静电放电电压
源极 - 漏极二极管
-
-
ESD最大额定值
[3]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
测量之间的所有引脚。
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
典型值
222
111
74
25
最大
255
128
85
30
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
, t
≤
5 s.
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3 4
产品speci fi cation
PMV33UPE
20 V ，单P沟道MOSFET的沟道
7.特点
表7中。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
I
D
= -250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= -250 μA ; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C
V
DS
= -20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= -20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= -8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -3 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -3 A;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= -2.5 V ;我
D
= -3 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -1.8 V ;我
D
= -3 A;牛逼
j
= 25 °C
g
fs
前锋
跨
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
I
S
= -1.2 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= -10 V ;我
D
= -4.4 A; V
GS
= -4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 6
;
T
j
= 25 °C
V
DS
= -10 V ; F = 1兆赫; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
V
DS
= -10 V ;我
D
= -4.4 A;牛逼
j
= 25 °C
民
-20
-0.45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-0.7
-
-
-
-
30
43
38
51
16
最大
-
-0.95
-1
-15
-10
-10
36
51
47
65
-
单位
V
V
A
A
A
A
m
m
m
m
S
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
V
DS
= -10 V ;我
D
= -4.4 A; V
GS
= -4.5 V;
T
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14.7
2.6
2.5
1820
208
146
11
30
83
39
-0.7
22.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
源极 - 漏极二极管
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4 4
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