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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第987页 > PMV31XN
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
版本01 - 2003年2月26日
产品数据
1.描述
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PMV31XN ，SOT23封装。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
非常快速的切换
低阈值电压
表面贴装封装。
3.应用
s
电池供电的电动机控制
s
高速开关在机顶盒的电源。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
穿针 - SOT23封装，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
3
d
简化的轮廓
符号
源极（S ）
漏极（四）
1
顶视图
2
MSB003
g
s
MBB076
SOT23
飞利浦半导体
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V
T
sp
= 25
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 1 ;牛逼
j
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
31
44
最大
20
5.9
2
150
37
53
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DSR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
最大
20
20
±12
5.9
3.75
23.7
2
+150
+150
1.7
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 11066
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
版本01 - 2003年2月26日
2 12
飞利浦半导体
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(A)
10
100
s
03al69
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
1毫秒
1
10毫秒
DC
100毫秒
10-1
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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3 12
飞利浦半导体
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
7.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
60
K / W
从结热阻到焊点
图4
符号参数
7.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
δ
= 0.5
03al68
0.2
10
0.1
0.05
0.02
tp
T
10-3
10-2
10-1
1
10
102
t
tp
T
P
δ
=
单脉冲
1
10-4
TP （多个）
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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飞利浦半导体
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±12
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.5 A;
图7
和
8
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 1 A;
图7
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 1.5 A; V
GS
= 0 V;
图12
V
DD
= 10 V ;
D
= 10
;
V
GS
= 4.5 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1兆赫;
图11
V
DD
= 10 V; V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 6 A;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.8
1.4
1.7
410
115
80
10
15
25
12
0.75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
-
-
-
-
-
-
-
10
31
44
1
100
100
37
53
A
A
nA
m
m
0.5
0.35
-
-
-
-
1.5
-
1.8
V
V
V
20
18
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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产品数据
版本01 - 2003年2月26日
5 12
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
版本01 - 2003年2月26日
产品数据
1.描述
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PMV31XN ，SOT23封装。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
非常快速的切换
低阈值电压
表面贴装封装。
3.应用
s
电池供电的电动机控制
s
高速开关在机顶盒的电源。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
穿针 - SOT23封装，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
3
d
简化的轮廓
符号
源极（S ）
漏极（四）
1
顶视图
2
MSB003
g
s
MBB076
SOT23
飞利浦半导体
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V
T
sp
= 25
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 1 ;牛逼
j
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
31
44
最大
20
5.9
2
150
37
53
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DSR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
最大
20
20
±12
5.9
3.75
23.7
2
+150
+150
1.7
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
源极 - 漏极二极管
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产品数据
版本01 - 2003年2月26日
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飞利浦半导体
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(A)
10
100
s
03al69
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
1毫秒
1
10毫秒
DC
100毫秒
10-1
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
7.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
60
K / W
从结热阻到焊点
图4
符号参数
7.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
δ
= 0.5
03al68
0.2
10
0.1
0.05
0.02
tp
T
10-3
10-2
10-1
1
10
102
t
tp
T
P
δ
=
单脉冲
1
10-4
TP （多个）
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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产品数据
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飞利浦半导体
PMV31XN
μTrenchMOS
极低的水平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±12
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.5 A;
图7
和
8
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 1 A;
图7
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 1.5 A; V
GS
= 0 V;
图12
V
DD
= 10 V ;
D
= 10
;
V
GS
= 4.5 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1兆赫;
图11
V
DD
= 10 V; V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 6 A;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.8
1.4
1.7
410
115
80
10
15
25
12
0.75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
-
-
-
-
-
-
-
10
31
44
1
100
100
37
53
A
A
nA
m
m
0.5
0.35
-
-
-
-
1.5
-
1.8
V
V
V
20
18
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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产品数据
版本01 - 2003年2月26日
5 12
产品speci fi cation
PMV31XN
N沟道FET的TrenchMOS
第2版 - 二零一一年十一月三十零日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型场效应晶体管（ FET） ，SOT23封装（ TO- 236AB ）
采用沟道MOSFET技术的小表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
非常快速的切换
低阈值电压
沟槽MOSFET技术
1.3应用
电池供电的电动机控制
高速开关在机顶盒
电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
sp
= 25 ℃; V
GS
= 4.5 V ;看
图2 ;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25°C ;看
图1
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 1 ;牛逼
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
44
31
最大
20
5.9
2
53
37
单位
V
A
W
m
m
静态特性
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1第3
产品speci fi cation
PMV31XN
N沟道FET的TrenchMOS
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
门
来源
漏
1
2
S
017aaa253
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
SOT23封装（ TO- 236AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMV31XN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMV31XN
[1]
％ =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
%M4
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
sp
= 100℃ ; V
GS
= 4.5 V ;看
图2
T
sp
= 25 ℃; V
GS
= 4.5 V ;看
图2 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
T
sp
= 25 °C
T
sp
= 25°C ;脉冲;吨
p
≤
10微秒;看
科幻gure 3
T
sp
= 25°C ;看
图1
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-12
-
-
-
-
-55
-55
-
最大
20
20
12
3.75
5.9
23.7
2
150
150
1.7
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
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2 3
产品speci fi cation
PMV31XN
N沟道FET的TrenchMOS
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55°C ;看
图8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 150 ℃;看
图8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25°C ;看
图8
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 12 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -12 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 1 ;牛逼
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
I
S
= 1.5 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图13
V
DS
= 10 V ;
L
= 10
;
V
GS
= 4.5 V;
R
G（ EXT ）
= 6
;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图12
I
D
= 6 A; V
DS
= 10 V; V
GS
= 4.5 V;
T
j
= 25°C ;看
图11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.8
1.4
1.7
410
115
80
10
15
25
12
0.75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
民
18
20
-
0.35
0.5
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
10
10
44
31
最大
-
-
1.8
-
1.5
100
1
100
100
53
37
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
静态特性
源极 - 漏极二极管
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