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SO
T2
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2011年5月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强模式场效应晶体管(FET )中的一个小
SOT23封装( TO- 236AB )表面贴装器件( SMD)采用沟槽式塑料封装
MOSFET技术。
3
1.2特点和优点
低阈值电压
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.3 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
-
-8
-
-
典型值
-
-
-
25
最大
20
8
3.3
32
单位
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
来源
1
2
mbb076
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
SOT23封装( TO- 236AB )
S
恩智浦半导体
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PMV28UN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMV28UN
[1]
% =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
KU %
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
条件
T
j
= 25 °C
-
-8
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
20
8
3.3
2.2
13
380
520
1800
150
150
150
0.6
单位
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
PMV28UN
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NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
第1版 - 2011年5月26日
2 15
恩智浦半导体
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
017aaa227
10
2
I
D
(A)
10
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
(1)
(2)
1
(3)
10
–1
(4)
(5)
(6)
10
–2
10
–1
1
10
V
DS
(V)
10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 100 s
(2) t
p
= 1毫秒
(3) t
p
= 10毫秒
(4) t
p
= 100毫秒
( 5 )直流;牛逼
sp
= 25 °C
( 6 )直流;牛逼
AMB
= 25°C ;漏装垫片6厘米
2
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
PMV28UN
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产品数据表
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3 15
恩智浦半导体
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
-
-
-
典型值
285
208
60
最大
330
240
70
单位
K / W
K / W
K / W
R
日(J -SP )
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.25
0.1
0.05
10
0.02
0.01
0.33
0.2
017aaa228
0
1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
FR4 PCB,标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa229
占空比= 1
0.75
0.5
0.25
0.1
0.05
0.33
0.2
10
0.02
0.01
0
1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
FR4 PCB,安装垫排水6厘米
2
图5 。
PMV28UN
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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产品数据表
第1版 - 2011年5月26日
4 15
恩智浦半导体
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
7.特点
表7中。
符号
V
( BR ) DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.3 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.3 A;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 3 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 2.4 A;牛逼
j
= 25 °C
g
fs
前锋
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
I
S
= 0.6 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 10 V; V
GS
= 4.5 V ;
G( EXT )
= 6
;
T
j
= 25°C ;我
D
= 3 A
V
DS
= 10 V ; F = 1兆赫; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 10 V ;我
D
= 3 A;牛逼
j
= 25 °C
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
0.7
-
-
-
-
25
38
30
39
15
最大
-
1
1
25
100
100
32
48
40
65
-
单位
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
m
S
静态特性
动态特性
Q
G( TOT )
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
V
DS
= 10 V ;我
D
= 3 A; V
GS
= 4.5 V;
T
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.8
0.8
1.7
470
123
72
9
25
126
60
0.7
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
源极 - 漏极二极管
PMV28UN
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产品数据表
第1版 - 2011年5月26日
5 15
产品speci fi cation
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2011年5月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强模式场效应晶体管(FET )中的一个小
SOT23封装( TO- 236AB )表面贴装器件( SMD)采用沟槽式塑料封装
MOSFET技术。
1.2特点和优点
低阈值电压
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.3 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
-
-8
-
-
典型值
-
-
-
25
最大
20
8
3.3
32
单位
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
来源
1
2
mbb076
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
SOT23封装( TO- 236AB )
S
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 4
产品speci fi cation
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PMV28UN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMV28UN
[1]
% =占位符的生产基地代码
标记代码
标识代码
[1]
KU %
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
条件
T
j
= 25 °C
-
-8
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
20
8
3.3
2.2
13
380
520
1800
150
150
150
0.6
单位
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 4
产品speci fi cation
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
[2]
-
-
-
典型值
285
208
60
最大
330
240
70
单位
K / W
K / W
K / W
R
日(J -SP )
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米
2
.
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3 4
产品speci fi cation
PMV28UN
20 V , 3.3 A N沟道沟槽MOSFET
7.特点
表7中。
符号
V
( BR ) DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 20 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -8 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.3 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.3 A;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 3 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 2.4 A;牛逼
j
= 25 °C
g
fs
前锋
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
I
S
= 0.6 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 10 V; V
GS
= 4.5 V ;
G( EXT )
= 6
;
T
j
= 25°C ;我
D
= 3 A
V
DS
= 10 V ; F = 1兆赫; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 10 V ;我
D
= 3 A;牛逼
j
= 25 °C
20
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
0.7
-
-
-
-
25
38
30
39
15
最大
-
1
1
25
100
100
32
48
40
65
-
单位
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
m
S
静态特性
动态特性
Q
G( TOT )
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
V
DS
= 10 V ;我
D
= 3 A; V
GS
= 4.5 V;
T
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.8
0.8
1.7
470
123
72
9
25
126
60
0.7
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
源极 - 漏极二极管
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4 4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PMV28UN
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
PMV28UN
NXP
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
PMV28UN
NEXPERIA/安世
2024
26000
SOT-23
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
PMV28UN
NEXPERIA/安世
2024
26000
SOT-23
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
PMV28UN
NXP
24+
15000
SOT-23
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004375386 复制

电话:0755-82798529
联系人:钟小姐
地址:广东省深圳市福田区佳和大厦五楼5C041
PMV28UN
NXP/恩智浦
24+
25361
SOT-23
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