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产品speci fi cation
PMV185XN
2012年8月3日
30 V ,单N沟道沟槽MOSFET
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型场效应晶体管( FET ),采用小型SOT23
( TO- 236AB )表面贴装器件( SMD)采用沟槽MOSFET塑料包装
技术。
1.2特点和优点
低R
DSON
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.1 ;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
AMB
= 25 °C
-
-12
-
典型值
-
-
-
最大
30
12
1.2
单位
V
V
A
静态特性
漏极 - 源极导通状态
阻力
[1]
2
-
185
250
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫
漏6厘米。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 4
产品speci fi cation
PMV185XN
30 V ,单N沟道沟槽MOSFET
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
管脚信息
符号说明
G
S
D
来源
1
2
简化的轮廓
3
图形符号
D
G
S
017aaa253
TO- 236AB ( SOT23 )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PMV185XN
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
类型编号
PMV185XN
[1]
EH %
% =占位符的生产基地代码
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤ 10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
[2]
[1]
[1]
[1]
[1]
条件
T
AMB
= 25 °C
-
-12
-
-
-
-
-
-
-
最大
30
12
1.2
1.1
0.7
4.4
325
455
1275
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 4
产品speci fi cation
PMV185XN
30 V ,单N沟道沟槽MOSFET
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
-55
-55
-65
最大
150
150
150
单位
°C
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源出电流
[1]
[2]
T
AMB
= 25 °C
2
[1]
-
0.7
A
设备安装在一FR4印刷电路板( PCB ) ,单面铜,镀锡,安装垫
漏6厘米。
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
[1]
[2]
条件
在自由空气
在自由空气中;吨≤ 5秒
[1]
[2]
[2]
-
-
-
-
典型值
333
240
203
85
最大
385
275
235
100
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日(J -SP )
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫排水6厘米。
2
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3 4
产品speci fi cation
PMV185XN
30 V ,单N沟道沟槽MOSFET
符号
I
GSS
参数
栅极漏电流
条件
V
GS
= 12 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -12 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.1 ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.1 ;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 0.25 A;牛逼
j
= 25 °C
g
fs
前锋
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 15 V ;我
D
= 1.1 ; V
GS
= 4.5 V;
R
G( EXT )
= 6 Ω; T
j
= 25 °C
V
DS
= 15 V ; F = 1兆赫; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1.1 ;牛逼
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
185
300
255
2.9
最大
100
100
250
400
365
-
单位
nA
nA
S
动态特性
Q
G( TOT )
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
V
DS
= 15 V ;我
D
= 1.1 ; V
GS
= 4.5 V;
T
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.87
0.17
0.24
76
30
22
7
11
16
7
1.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管
源 - 漏电压
I
S
= 0.7 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
-
0.8
1.2
V
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4 4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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2023+PB
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