PMT200EN
2012年10月25日
100V的N沟道沟槽MOSFET
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个小SOT223
（ SC - 73 ）小型表面贴装器件（ SMD）采用沟槽MOSFET塑料包装
技术。
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
LED背光驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
典型值
-
-
-
最大
100
20
3.3
单位
V
V
A
静态特性
漏极 - 源极导通状态
阻力
[1]
2
-
190
235
mΩ
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米。
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恩智浦半导体
PMT200EN
100V的N沟道沟槽MOSFET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
门
漏
来源
漏
1
2
3
简化的轮廓
4
图形符号
D
G
S
017aaa253
SC- 73 （ SOT223 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMT200EN
SC-73
描述
塑料表面贴装封装，增加了散热片; 4
LEADS
VERSION
SOT223
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
T200EN
类型编号
PMT200EN
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤ 10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
PMT200EN
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
[1]
[1]
[1]
最大
100
20
3.3
1.8
1.1
13
800
1700
8300
150
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
°C
-
-
-
-
[2]
[1]
-
-
-
-55
结温
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100V的N沟道沟槽MOSFET
符号
T
AMB
T
英镑
I
S
参数
环境温度
储存温度
条件
民
-55
-65
最大
150
150
单位
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源出电流
[1]
[2]
T
AMB
= 25 °C
2
[1]
-
1.6
A
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
漏6厘米。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
017aaa123
120
P
DER
(%)
80
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
- 75
- 25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
- 75
- 25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图。 1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图。 2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
10
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
I
D
(A)
1
t
p
= 10 s
t
p
= 100 s
t
p
= 1毫秒
DC ;牛逼
sp
= 25 °C
10
-1
DC ;牛逼
AMB
= 25 °C;
漏装垫片6厘米
2
t
p
= 10毫秒
t
p
= 100毫秒
aaa-005458
10
-2
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
I
DM
- 单脉冲
图。 3 。
PMT200EN
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏极的函数
源极电压
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6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
[1]
[2]
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
占空比= 1
10
2
0.75
0.33
0.2
10
0.05
0.01
0.5
0.25
0.1
0.02
0
条件
在自由空气
在自由空气中;吨≤ 5秒
[1]
[2]
[2]
民
-
-
-
-
典型值
135
60
31
12
最大
155
70
36
15
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米。
aaa-005459
2
1
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图。 4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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100V的N沟道沟槽MOSFET
10
2
占空比= 1
0.75
Z
号（j -a）的
（K / W）
0.5
0.33
0.25
10
0.1
0.2
0.05
0.02
0.01
aaa-005460
0
1
10
-3
10
-2
10
-1
2
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水6厘米
图。 5 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表7中。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
漏极漏电流
栅极漏电流
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
R
DSON
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 150 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1 ;牛逼
j
= 25 °C
g
fs
前锋
跨
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
V
DS
= 80 V ; F = 1兆赫; V
GS
= 0 V;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1.5 A;牛逼
j
= 25 °C
民
100
1.3
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
1.7
-
-
-
190
420
200
5
最大
-
2.5
1
100
-100
235
520
270
-
单位
V
V
A
nA
nA
mΩ
mΩ
mΩ
S
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
V
DS
= 80 V ;我
D
= 1.5 A; V
GS
= 10 V;
T
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
7.4
0.7
1.9
315
35
10
-
-
475
-
nC
nC
nC
pF
pF
PMT200EN
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