【分立半导体数据表dbook ， halfpageM3D102PMSTA05 ; PMSTA06NPN】,IC型号PMSTA05,PMSTA05 PDF资料,PMSTA05经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

dbook ， halfpage

M3D102

PMSTA05 ; PMSTA06

NPN通用晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据06月16日

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大80 V）。

应用

主要用于电话和专业

通讯设备。

描述

NPN晶体管在SOT323塑料包装。

PNP补充： PMSTA55和PMSTA56 。

钉扎

针

BASE

辐射源

PMSTA05 ; PMSTA06

描述

集热器

手册， halfpage

记号

类型编号

PMSTA05

PMATA06

记

= - ：香港制造。

= T：在马来西亚。

Fig.1简化外形（ SOT323 ）和符号。

标识代码

(1)

顶视图

MAM062

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

参数

集电极 - 基极电压

PMSTA05

PMSTA06

首席执行官

集电极 - 发射极电压

PMSTA05

PMSTA06

EBO

合计

英镑

AMB

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C

集电极开路

开基

500

200

+150

150

+150

°C

条件

发射极开路

分钟。

马克斯。

单位

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

热特性

符号

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

参数

集电极截止电流

PMSTA05

PMSTA06

EBO

CESAT

BESAT

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

s; δ ≤

0.02.

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

= 0; V

= 60 V

= 0; V

= 80 V

= 0; V

= 3 V

= 10毫安; V

= 2 V

= 100毫安; V

= 1V ;注1

= 100毫安;我

= 10毫安;注1

= 100毫安;我

= 10毫安;注1

= 100毫安; V

= 1 V

条件

参数

从结点到环境的热阻

PMSTA05 ; PMSTA06

条件

注1

价值

625

单位

K / W

分钟。

马克斯。

100

500

250

900

1.2

单位

兆赫

= 10毫安; V

= 2 V ; F = 100 MHz的100

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PMSTA05 ; PMSTA06

SOT323

细节X

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.1

0.8

最大

0.1

0.4

0.3

0.25

0.10

2.2

1.8

1.35

1.15

1.3

0.65

2.2

2.0

0.45

0.15

0.23

0.13

0.2

概要

VERSION

SOT323

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-70

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

初步speci fi cation

产品speci fi cation

极限值

PMSTA05 ; PMSTA06

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。强调以上一个或

更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营

该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的

是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏

不当使用或销售。

1999年04月29日

分立半导体

数据表

ndbook ， halfpage

M3D102

PMSTA05 ; PMSTA06

NPN通用晶体管

产品数据表

取代1997年的数据06月16日

1999年04月29日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大80 V）。

应用

主要用于电话和专业

通讯设备。

描述

手册， halfpage

PMSTA05 ; PMSTA06

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

描述

NPN晶体管在SOT323塑料包装。

PNP补充： PMSTA55和PMSTA56 。

记号

类型编号

PMSTA05

PMATA06

记

= - ：香港制造。

= T：在马来西亚。

Fig.1简化外形（ SOT323 ）和符号。

标识代码

(1)

顶视图

MAM062

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

参数

集电极 - 基极电压

PMSTA05

PMSTA06

首席执行官

集电极 - 发射极电压

PMSTA05

PMSTA06

EBO

合计

英镑

AMB

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C

集电极开路

开基

500

200

+150

150

+150

°C

条件

发射极开路

分钟。

马克斯。

单位

1999年04月29日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

热特性

符号

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

参数

集电极截止电流

PMSTA05

PMSTA06

EBO

CESAT

BESAT

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

= 0; V

= 60 V

= 0; V

= 80 V

= 0; V

= 3 V

= 10毫安; V

= 2 V

= 100毫安; V

= 1V ;注1

= 100毫安;我

= 10毫安;注1

= 100毫安;我

= 10毫安;注1

= 100毫安; V

= 1 V

条件

参数

从结点到环境的热阻

PMSTA05 ; PMSTA06

条件

注1

价值

625

单位

K / W

分钟。

马克斯。

100

500

250

900

1.2

单位

兆赫

= 10毫安; V

= 2 V ; F = 100 MHz的100

1999年04月29日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PMSTA05 ; PMSTA06

SOT323

细节X

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.1

0.8

最大

0.1

0.4

0.3

0.25

0.10

2.2

1.8

1.35

1.15

1.3

0.65

2.2

2.0

0.45

0.15

0.23

0.13

0.2

概要

VERSION

SOT323

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-70

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月29日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN通用晶体管

数据表状态

文件

状态

(1)

目标数据表

初步数据表

产品数据表

笔记

产品

状态

(2)

发展

QUALI科幻阳离子

生产

PMSTA05 ; PMSTA06

德网络nition

本文件包含的数据从客观规范的产品

发展。

本文件包含的初步规格数据。

本文件包含的产品规格。

1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。

2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布

和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上

网址http://www.nxp.com 。

免责声明

一般

本文件中的信息被认为是

准确和可靠。然而，恩智浦半导体

不提供任何陈述或保证，

明示或暗示的内容的准确性或完整性

这样的信息，并有权对任何法律责任

使用这些信息的后果。

有权进行修改

恩智浦半导体

保留随时更改信息的权利

文件中公布的，包括但不限于

规格和产品说明，在任何时间，

恕不另行通知。本文件取代所有

之前，此次公布的信息。

适合使用

恩智浦半导体产品

没有设计，授权或担保适合

在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用

设备，或者是在故障或失效

的恩智浦半导体的产品可以合理

预期会导致人身伤害，死亡或严重

属性或环境损害。恩智浦半导体

接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任

半导体产品在此类设备或

应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在

客户自己的风险。

应用

在此描述为应用程序

任何这些产品仅用于说明性目的。

恩智浦半导体作任何陈述或

保修这样的应用将是适当的

没有进一步的测试或修改指定用途。

极限值

应力以上的一个或多个限制

值（如在绝对最大额定值定义

IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏

该设备。极限值值仅为

该器件在这些或任何其他条件操作

1999年04月29日

超过上述的这种特性部分给出

文档是不是暗示。暴露限制值

长时间可能会影响器件的可靠性。

销售条款和条件

恩智浦半导体

产品的销售都遵循的一般条款和

商业销售截至公布的条件下，

http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些

关于保修，知识产权

侵权和赔偿责任限制，除非明确

恩智浦半导体另有书面同意。在

案件信息有任何不一致或冲突

本文与此类条款和条件，后者

将占上风。

没有任何要约出售或许可

本文档中的任何内容

也许能被解释为要约出售产品

这是开放的接受或批，运送或

任何许可下的任何版权，专利暗示或

其它工业或知识产权。

出口管制

本文档以及所述一条（或多条）

这里描述可能会受到出口管制

的规定。出口可能需要从一个事先授权

国家主管部门。

快速参考数据

快速参考的数据是

在限制值赋予了产品数据的提取物和

本文档的特征的部分，并且因此是

不完整的，详尽的或具有法律约束力。