PMP5501V ; PMP5501G ;
PMP5501Y
PNP / PNP匹配的双晶体管
牧师03 - 2009年8月28日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP / PNP匹配的小型表面安装器件的双晶体管（ SMD ）塑料
包。在SOT666和SOT363 （ SC -88 ）封装的晶体管是完全隔离
在内部。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PMP5501V
PMP5501G
PMP5501Y
SOT666
SOT353
SOT363
JEITA
-
SC-88A
SC-88
PNP / PNP
FE1
/h
FE2
0.98补
PMP5201V
PMP5201G
PMP5201Y
NPN / NPN
补
PMP4501V
PMP4501G
PMP4501Y
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
电流增益匹配
基极 - 发射极电压的匹配
共发射极CON组fi guration的SOT353类型
应用优化的引脚
1.3应用
I
电流镜
I
差分放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
条件
开基
民
-
-
200
典型值
-
-
290
最大
45
100
450
单位
V
mA
每个晶体管
恩智浦半导体
PMP5501V ; PMP5501G ; PMP5501Y
PNP / PNP匹配的双晶体管
快速参考数据
- 续
参数
h
FE
匹配
V
BE
匹配
条件
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
[1]
表2中。
符号
每个器件
h
FE1
/h
FE2
V
BE1
V
BE2
民
0.95
-
典型值
1
-
最大
-
2
单位
[2]
mV
[1]
[2]
取两个值中的较小的分子。
所述两个值中的较小的一个从较大的值中减去。
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
SOT353
1
2
3
4
5
基地TR1
发射器TR1，TR2
基地TR2
收藏家TR2
收藏家TR1
1
2
3
1
2
3
006aaa551
钉扎
描述
基地TR1
基地TR2
收藏家TR2
发射TR2
发射TR1
收藏家TR1
1
1
2
3
001aab555
简化的轮廓
符号
SOT666 ; SOT363
6
5
4
6
TR1
TR2
5
4
2
3
006aaa550
5
4
5
4
TR1 Tr2的
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PMP5501V
PMP5501G
PMP5501Y
-
SC-88A
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
SOT353
SOT363
类型编号
PMP5501V_G_Y_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PMP5501V ; PMP5501G ; PMP5501Y
PNP / PNP匹配的双晶体管
4.标记
表5 。
PMP5501V
PMP5501G
PMP5501Y
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
ED
R4*
S6*
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT666
SOT353
SOT363
每个器件
P
合计
总功耗
SOT666
SOT353
SOT363
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
50
45
5
100
200
单位
V
V
V
mA
mA
每个晶体管
-
-
-
200
200
200
mW
mW
mW
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
-
-
-
-
65
65
300
300
300
150
+150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PMP5501V_G_Y_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PMP5501V ; PMP5501G ; PMP5501Y
PNP / PNP匹配的双晶体管
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT666
SOT353
SOT363
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT666
SOT353
SOT363
[1]
[2]
条件
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
-
-
625
625
625
K / W
K / W
K / W
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
416
416
416
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
条件
V
CB
=
30
V;
I
E
= 0 A
V
CB
=
30
V;
I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
=
5
V;
I
C
= 0 A
V
CE
=
5
V;
I
C
=
10 A
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
=
10
毫安;
I
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;
I
B
=
5
mA
V
BESAT
基极 - 发射极饱和我
C
=
10
毫安;
电压
I
B
=
0.5
mA
I
C
=
100
毫安;
I
B
=
5
mA
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
15
5
单位
nA
A
每个晶体管
-
-
200
-
-
-
-
-
250
290
50
200
760
920
100
-
450
200
400
-
-
nA
mV
mV
mV
mV
[1]
PMP5501V_G_Y_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PMP5501V ; PMP5501G ; PMP5501Y
PNP / PNP匹配的双晶体管
表8 。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
BE
参数
基射极电压
条件
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
V
CE
=
5
V;
I
C
=
10
mA
C
c
集电极电容
V
CB
=
10
V;
I
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
=
0.5
V;
I
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V;
I
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
V
CE
=
5
V;
I
C
=
0.2
毫安;
R
S
= 2 k;
F = 10Hz到
15.7千赫
V
CE
=
5
V;
I
C
=
0.2
毫安;
R
S
= 2 k;
F = 1千赫
B = 200赫兹
每个器件
h
FE1
/h
FE2
h
FE
匹配
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
V
CE
=
5
V;
I
C
=
2
mA
[3]
[2]
民
600
-
-
典型值
650
-
-
最大
700
760
2.2
单位
mV
mV
pF
[2]
C
e
发射极电容
-
10
-
pF
f
T
跃迁频率
100
175
-
兆赫
NF
噪音科幻gure
-
1.6
-
dB
-
3.1
-
dB
0.95
-
1
-
-
2
mV
V
BE1
V
BE2
V
BE
匹配
[4]
[1]
[2]
[3]
[4]
V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
取两个值中的较小的分子。
所述两个值中的较小的一个从较大的值中减去。
PMP5501V_G_Y_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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5 14
小信号分立器件解决方案
作为汽车制造商努力提高安全性，性能，舒适性和
燃料 - 英法fi效率水平，车辆的半导体含量上升和电子
系统正变得越来越复杂。因此，系统供应商必须满足
日益严格的要求。在这两种汽车的基础上我们的专业知识
和小信号分立器件解决方案，飞利浦提供了一个广泛的离散组合
组件，帮助供应商达到严格和多样化的技术要求
在汽车电子。宽范围，使汽车设计者是
灵活的在他们的设计中。通过集成产品的手段的部件数
降低，从而可以降低成本。
我们的所有新产品发布在著名的SOT23封装，
以及在像SOT323 （SC- 70） ， SOD323更小封装（SC- 76）
和SOD323F （ SC - 90 ） 。为了支持朝着一体化的趋势也
多个晶体管和二极管可集成到只是一个
单包像SOT457 （ SC - 74）和SOT363 （ SC - 88 ） 。
飞利浦拥有全部到位的技术引领小信号的方式
分立器件产品，让开发汽车应用
将驱动未来。
关键的家庭
- 低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
- 电阻 - 配备晶体管（分辨率增强技术）
- 复杂的分立器件
BISS Loadswitches
匹配的晶体管配对
MOSFET驱动器
- 低V
F
（ MEGA ）肖特基整流器器
- ESD保护二极管
重点班妮科幻TS
- 更多的权力
- 降低成本
- 更多功能
- 提高可靠性
- 汽车包
3
低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
这些突破性小信号（ BISS ）晶体管提供最好的一流的
因此，英法fi效率，得到了热出您的应用程序。这些成本效益
替代中等功率晶体管提供1 - 5 SOT223的一种功能
（ SC - 73 ） ， SOT89 （ SC - 62 ） ， SOT23和SOT457 （ SC - 74 ） 。
主要特点
- 减少热和电抗性
- 高达5 A集电极电流能力我
C
- 高达10 A的峰值集电极电流I
CM
- 高性能boardspace比
- 高电流增益
FE
- 即使在高我
C
- 可用的产品范围广泛
重点班妮科幻TS
- 减少热量的产生，因此，在使用
高温环境下可能
- 成本效益的替代介质
功率晶体管
- 小信号性能提高
离散足迹
VCC
调节器
MSD923
DC / DC转换器
主要应用领域
- 应用中的热量是一个问题
（例如引擎 - 或仪表板安装
组件）
- 高和低侧开关，例如在控制
单位
- 司机在低电源电压应用，
例如风机，电机
- 感性负载的驱动程序，例如继电器，蜂鸣器
- MOSFET驱动器
减少热量的产生与BISS晶体管
SOT223 ：我
C
= 1.55 ;我
B
= 0.1 A; PCB的FR4 + 1厘米
2
Cu
BCP51 ，T
j
= 130°C
PBSS9110Z ，T
j
= 103°C
SOT223 （ SC- 73 ）
PBSS5350Z ，T
j
= 60°C
SOT89 （ SC- 62 ）
PBSS5540Z ，T
j
= 45°C
SOT23
SOT457 （ SC- 74 ）
P
合计
2000毫瓦
I
C
(A)
V
首席执行官
(V)
30
1.0
40
60
100
30
2.0
40
50
20
30
3.0
50
60
80
100
4.0
5.0
40
80
20
PBSS4540Z
PBSS5540Z
PBSS4350Z
PBSS5350Z
PBSS8110Z
PBSS9110Z
NPN
PNP
P
合计
1300毫瓦
NPN
PNP
NPN
P
合计
480毫瓦
PNP
PBSS5130T
PBSS5140T
PBSS5160T
PBSS9110T
PBSS5230T
PBSS5240T
PBSS5350T
NPN
PBSS4130T
PBSS4140T
PBSS4160T
PBSS8110T
PBSS4230T
PBSS4240T
P
合计
750毫瓦
PNP
PBSS4140DPN （ NPN / PNP ）
PBSS8110D
PBSS9110D
PBSS4240DPN （ NPN / PNP ）
PBSS4250X
PBSS4320X
PBSS4330X
PBSS4350X
PBSS5250X
PBSS5320X
PBSS5330X
PBSS5350X
PBSS4350T
PBSS4350D
PBSS303ND
PBSS304ND
PBSS305ND
PBSS5350D
PBSS303PD
PBSS304PD
PBSS305PD
PBSS5440D
PBSS4540X
PBSS4480X
PBSS4520X
PBSS5540X
PBSS5480X
PBSS5520X
PBSS4440D
4
电阻配备晶体管（分辨率增强技术）
为汽车行业开发特别是， 500毫安可再生能源技术相结合的晶体管
用两个电阻来提供用于数字应用的最佳解决方案集成
车载系统，例如控制单元。也有单一个广泛的产品组合
和双百毫安可再生能源技术可用于标准的小信号数字化应用。
主要特点
- 集成的晶体管和两个电阻
一包
- 初始500毫安组合与几个电阻
SOT23和SOT346组合（ SC- 59A ）
- 进一步电阻器组合和双
版本计划
重点班妮科幻TS
- 降低处理成本和库存成本
- 减少boardspace要求
- 更短的安装时间并减少
拾取和放置的努力
- 简单的设计过程
- 提高最终产品的可靠性，由于
更少的焊接点
SOT23
SOT346 （ SC- 59A ）
动力
供应
R4
R3
控制
输入
R1
R2
Tr2
Tr1
RLOAD
高边开关
bra182
主要应用领域
- 数字化应用
- 开关负载，如对于仪表板
- 控制IC的输入，例如发动机
控制单元
500毫安可再生能源技术
I
C
MAX 。 （MA ）
500
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
50
R1 （ kΩ的）
1
2.2
1
2.2
R2值（kΩ ）
1
2.2
10
10
NPN
PDTD113ET
PDTD123ET
PDTD113ZT
PDTD123YT
PNP
PDTB113ET
PDTB123ET
PDTB113ZT
PDTB123YT
NPN
PDTD113EK
PDTD123EK
PDTD113ZK
PDTD123YK
PNP
PDTB113EK
PDTB123EK
PDTB113ZK
PDTB123YK
SOT363 （ SC -88 ）
百毫安可再生能源技术
SOT23
SOT323 （ SC- 70 ）
CON组fi guration
I
C
MAX 。 （MA ）
V
首席执行官
MAX 。 （V ）
R1 （ kΩ）连接R2 （千欧）
2.2
R1 = R2
4.7
10
22
47
100
2.2
2.2
4.7
R1
≠
R2
100
50
4.7
10
22
47
47
2.2
只有R1
4.7
10
22
47
100
2.2
4.7
10
22
47
100
10
47
10
47
47
47
10
22
-
-
-
-
-
-
NPN
PDTC123ET
PDTC143ET
PDTC114ET
PDTC124ET
PDTC144ET
PDTC115ET
PDTC123YT
PDTC123JT
PDTC143XT
PDTC143ZT
PDTC114YT
PDTC124XT
PDTC144VT
PDTC144WT
PDTC123TT
PDTC143TT
PDTC114TT
PDTC124TT
PDTC144TT
PDTC115TT
PNP
PDTA123ET
PDTA143ET
PDTA114ET
PDTA124ET
PDTA144ET
PDTA115ET
PDTA123YT
PDTA123JT
PDTA143XT
PDTA143ZT
PDTA114YT
PDTA124XT
PDTA144VT
单身
NPN
PDTC123EU
PDTC143EU
PDTC114EU
PDTC124EU
PDTC144EU
PDTC115EU
PDTC123YU
PDTC123JU
PDTC143XU
PDTC143ZU
PDTC114YU
PDTC124XU
PDTC144VU
PDTC144WU
PDTC123TU
PDTC143TU
PDTC114TU
PDTC124TU
PDTC144TU
PDTC115TU
PNP
PDTA123EU
PDTA143EU
PDTA114EU
PDTA124EU
PDTA144EU
PDTA115EU
PDTA123YU
PDTA123JU
PDTA143XU
PDTA143ZU
PDTA114YU
PDTA124XU
PDTA144VU
PDTA144WU
PDTA123TU
PDTA143TU
PDTA114TU
PDTA124TU
PDTA144TU
PDTA115TU
PUMH17
PUMH30
PUMH7
PUMH4
PUMH19
PUMH14
PUMH10
PUMH18
PUMH13
PUMH9
PUMH16
NPN / NPN
PUMH20
PUMH15
PUMH11
PUMH1
PUMH2
PUMH24
双
NPN / PNP
PUMD20
PUMD15
PUMD3
PUMD2
PUMD12
PUMD24
PUMD10
PUMD18
PUMD13
PUMD9
PUMD16
PUMD17
PUMD30
PUMD6
PUMD4
PUMD19
PUMD14
PNP / PNP
PUMB20
PUMB15
PUMB11
PUMB1
PUMB2
PUMB24
PUMB10
PUMB18
PUMB13
PUMB9
PUMB16
PUMB17
PUMB30
PUMB3
PUMB4
PUMB19
PUMB14
PDTA144WT
PDTA123TT
PDTA143TT
PDTA114TT
PDTA124TT
PDTA144TT
PDTA115TT
5
QQ：2880707522 复制
