PMP4501V ; PMP4501G ;
PMP4501Y
NPN / NPN匹配的双晶体管
牧师04 - 2009年8月28日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / NPN匹配的小型表面安装器件的双晶体管（ SMD ）塑料
包。在SOT666和SOT363 （ SC -88 ）封装的晶体管是完全隔离
在内部。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PMP4501V
PMP4501G
PMP4501Y
SOT666
SOT353
SOT363
JEITA
-
SC-88A
SC-88
NPN / NPN
FE1
/h
FE2
0.98补
PMP4201V
PMP4201G
PMP4201Y
PNP / PNP
补
PMP5501V
PMP5501G
PMP5501Y
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
电流增益匹配
基极 - 发射极电压的匹配
共发射极CON组fi guration的SOT353类型
应用优化的引脚
1.3应用
I
电流镜
I
差分放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
条件
开基
民
-
-
200
典型值
-
-
290
最大
45
100
450
单位
V
mA
每个晶体管
恩智浦半导体
PMP4501V ; PMP4501G ; PMP4501Y
NPN / NPN匹配的双晶体管
快速参考数据
- 续
参数
h
FE
匹配
V
BE
匹配
条件
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
[1]
表2中。
符号
每个器件
h
FE1
/h
FE2
V
BE1
V
BE2
民
0.95
-
典型值
1
-
最大
-
2
单位
[2]
mV
[1]
[2]
取两个值中的较小的分子。
所述两个值中的较小的一个从较大的值中减去。
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
SOT353
1
2
3
4
5
基地TR1
发射器TR1，TR2
基地TR2
收藏家TR2
收藏家TR1
1
2
3
1
2
3
006aaa549
钉扎
描述
基地TR1
基地TR2
收藏家TR2
发射TR2
发射TR1
收藏家TR1
1
1
2
3
001aab555
简化的轮廓
符号
SOT666 ; SOT363
6
5
4
6
TR1
TR2
5
4
2
3
006aaa548
5
4
5
4
TR1 Tr2的
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PMP4501V
PMP4501G
PMP4501Y
-
SC-88A
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 5线索
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
SOT353
SOT363
类型编号
PMP4501V_G_Y_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PMP4501V ; PMP4501G ; PMP4501Y
NPN / NPN匹配的双晶体管
4.标记
表5 。
PMP4501V
PMP4501G
PMP4501Y
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
EB
R6*
S8*
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT666
SOT353
SOT363
每个器件
P
合计
总功耗
SOT666
SOT353
SOT363
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
单位
V
V
V
mA
mA
每个晶体管
-
-
-
200
200
200
mW
mW
mW
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
-
-
-
-
65
65
300
300
300
150
+150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PMP4501V_G_Y_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PMP4501V ; PMP4501G ; PMP4501Y
NPN / NPN匹配的双晶体管
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT666
SOT353
SOT363
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT666
SOT353
SOT363
[1]
[2]
条件
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
-
-
625
625
625
K / W
K / W
K / W
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
416
416
416
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
条件
V
CB
= 30 V;
I
E
= 0 A
V
CB
= 30 V;
I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
= 5 V;
I
C
= 0 A
V
CE
= 5 V;
I
C
= 10
A
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 10毫安;
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;
I
B
= 5毫安
V
BESAT
基极 - 发射极饱和我
C
= 10毫安;
电压
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;
I
B
= 5毫安
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
15
5
单位
nA
A
每个晶体管
-
-
200
-
-
-
-
-
250
290
50
200
760
910
100
-
450
200
400
-
-
nA
mV
mV
mV
mV
[1]
PMP4501V_G_Y_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PMP4501V ; PMP4501G ; PMP4501Y
NPN / NPN匹配的双晶体管
表8 。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
BE
参数
基射极电压
条件
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V;
I
C
= 10毫安
C
c
集电极电容
V
CB
= 10 V;
I
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V;
I
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V;
I
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CE
= 5 V;
I
C
= 0.2毫安;
R
S
= 2 k;
F = 10Hz到
15.7千赫
V
CE
= 5 V;
I
C
= 0.2毫安;
R
S
= 2 k;
F = 1千赫
B = 200赫兹
每个器件
h
FE1
/h
FE2
h
FE
匹配
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
[3]
[2]
民
610
-
-
典型值
660
-
-
最大
710
770
1.5
单位
mV
mV
pF
[2]
C
e
发射极电容
-
11
-
pF
f
T
跃迁频率
100
250
-
兆赫
NF
噪音科幻gure
-
2.8
-
dB
-
3.3
-
dB
0.95
-
1
-
-
2
mV
V
BE1
V
BE2
V
BE
匹配
[4]
[1]
[2]
[3]
[4]
V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
取两个值中的较小的分子。
所述两个值中的较小的一个从较大的值中减去。
PMP4501V_G_Y_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年8月28日
5 14
QQ：2881677436 复制
