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PMN49EN
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本01 - 2007年4月13日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
逻辑电平阈值
I
快速开关
1.3应用
I
电池管理
I
高速开关
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
30 V
I
R
DSON
≤
47 m
I
I
D
≤
4.6 A
I
Q
GD
= 1.6 NC （典型值）
2.管脚信息
表1中。
针
1, 2, 5, 6
3
4
钉扎
描述
漏极（四）
栅极（G ）
源极（S ）
1
2
3
mbb076
简化的轮廓
6
5
4
符号
D
G
S
SOT457 （ TSOP6 ）
恩智浦半导体
PMN49EN
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
PMN49EN
SC-74
描述
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
sp
= 25
°C
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
SEE
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
30
±20
4.6
2.9
18.4
1.75
+150
+150
1.4
5.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
PMN49EN_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年4月13日
2 12
恩智浦半导体
PMN49EN
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa17
120
I
DER
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
2
I
D
(A)
10
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的焊点温度功能
003aab227
t
p
= 10
s
100
s
1
DC
10
-1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-2
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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3 12
恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
5.热特性
表4 。
R
日（J -SP ）
热特性
条件
SEE
图4
民
-
典型值
-
最大
70
单位
K / W
从结热阻到焊点
符号参数
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
δ =
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1
单脉冲
P
003aab596
δ
=
t
p
T
t
p
t
T
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
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恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表5 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;看
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
G
R
DSON
栅极漏电流
栅极电阻
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
F = 1兆赫; V
GSS （AC）的
- 150毫伏
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2 A;看
图6
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1.5 A;看
图6
和
8
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源电压平台
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 1.5 A; V
GS
= 0 V ;看
图13
I
S
= 2 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V ;
L
= 15
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 30 V ; F = 1兆赫;
SEE
图14
I
D
= 3 A; V
DS
= 15 V; V
GS
= 4.5 V;
SEE
图11
和
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.8
1.1
1.6
2.83
350
100
64.1
570
4.1
4.3
12.9
4.9
0.79
0.73
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
-
40
68
49
47
80
60
m
m
m
-
-
-
-
-
-
10
1.9
1
100
100
-
A
A
nA
1
0.6
-
1.5
-
-
2
-
2.2
V
V
V
30
27
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
19.25 -
PMN49EN_1
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5 12
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