SO
T4
57
PMN20EN
30 V ， 6.7 A N沟道沟槽MOSFET
第1版 - 二零一一年五月三十日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强模式场效应晶体管（FET ）中的一个小的SOT457 （SC- 74）
采用沟道MOSFET技术表面安装器件（ SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 6.7 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
典型值
-
-
-
16
最大
30
20
6.7
20
单位
V
V
A
m
静态特性
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
管脚信息
符号说明
D
D
G
S
D
D
漏
漏
门
来源
漏
漏
1
2
3
mbb076
简化的轮廓
6
5
4
图形符号
D
G
SOT457 （ TSOP6 ）
S
恩智浦半导体
PMN20EN
30 V ， 6.7 A N沟道沟槽MOSFET
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMN20EN
TSOP6
描述
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4 。
PMN20EN
标记代码
标识代码
SK
类型编号
5.极限值
表5 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
极限值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
T
j
T
AMB
T
英镑
I
S
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-20
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-65
T
AMB
= 25 °C
[1]
最大
30
20
6.7
4.5
27
545
1390
4170
150
150
150
1.2
单位
V
V
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
A
结温
环境温度
储存温度
源出电流
源极 - 漏极二极管
-
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
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恩智浦半导体
PMN20EN
30 V ， 6.7 A N沟道沟槽MOSFET
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
017aaa240
10
2
I
D
(A)
10
(1)
(2)
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
1
(3)
10
–1
10
–1
(4)
(5)
(6)
1
10
V
DS
(V)
10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 100 s
(2) t
p
= 1毫秒
(3) t
p
= 10毫秒
（4 ）直流;牛逼
sp
= 25 °C
(5) t
p
= 100毫秒
（ 6 ）直流;牛逼
AMB
= 25°C ;漏装垫片6厘米
2
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
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恩智浦半导体
PMN20EN
30 V ， 6.7 A N沟道沟槽MOSFET
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
198
78
15
最大
230
90
30
单位
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
017aaa241
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.25
0.1
0.05
0.2
10
0.01
0.02
0
1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa242
0.25
0.1
10
0.05
0.01
1
10
–3
0.02
0
10
–2
10
–1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水6厘米
2
图5 。
PMN20EN
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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