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PML260SN
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师02 - 2006年5月29日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在
表面安装用的TrenchMOS技术的塑料包装。
1.2产品特点
I
标准电平阈值
I
非常低的热阻抗
I
低廓，占地面积小
I
低通态电阻
1.3应用
I
初级侧开关
I
便携式电器
I
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
200 V
I
R
DSON
≤
294 m
I
I
D
≤
8.8 A
I
Q
GD
= 4.2 NC （典型值）
2.管脚信息
表1中。
针
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
钉扎
描述
源极（S ）
栅极（G ）
漏极（四）
G
简化的轮廓
8 7 6 5
符号
D
1 2 3 4
透明
顶视图
mbb076
S
SOT873-1 （ HVSON8 ）
飞利浦半导体
PML260SN
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
PML260SN
HVSON8
描述
VERSION
塑料的热增强型非常薄小外形封装;没有线索; SOT873-1
8终端;机身3.3
×
3.3
×
0.85 mm
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 3.5 A;
t
p
= 0.05毫秒; V
DS
≤
200 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
SEE
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
民
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
200
±20
8.8
5.5
15
50
+150
+150
8.8
15
22
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
PML260SN_2
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2 12
飞利浦半导体
PML260SN
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03ne36
120
I
DER
(%)
80
03ne37
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
2
I
D
(A)
10
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aab281
t
p
= 10
s
100
s
DC
1
1毫秒
10毫秒
10
-1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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飞利浦半导体
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
5.热特性
表4 。
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
[1]
热特性
条件
最小的足迹
[1]
符号参数
从结点到环境的热阻
民
-
-
典型值
-
60
最大
2.5
-
单位
K / W
K / W
从结热阻安装基座见
图4
安装在印刷电路板上;垂直在静止空气中。
10
003aab280
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ =
0.5
1
0.2
0.1
0.05
10
-1
10
-5
0.02
单脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
T
t
P
δ
=
t
p
T
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
6.特性
表5 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿
电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;看
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
G
R
DSON
栅极漏电流
栅极电阻
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.6 A;看
图6
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
V
GS
= 6 V ;我
D
= 2.5 A
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
预-V
GS （ TH）
栅极 - 源电荷
后-V
GS （ TH）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源电压平台
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 3.2 A; V
GS
= 0 V ;看
图13
I
S
= 3.2 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
R
= 120 V
V
DS
≤ 100 V ;
L
= 100
;
V
GS
= 10 V;
R
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 30 V ; F = 1兆赫;
SEE
图14
I
D
= 2.6 A; V
DS
= 100 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图11
和
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13.3
2.4
1.15
1.25
4.2
4.2
657
74
25
7
11
19
7
0.8
101
267
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
-
250
550
263
294
647
309
m
m
m
-
-
-
-
-
-
10
0.6
1
100
100
-
A
A
nA
2
1.2
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
200
178
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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