【PMK35EPP沟道的TrenchMOS极低水平FET版本02 - 2010年4月29日产品数据表1】,IC型号PMK35EP,PMK35EP PDF资料,PMK35EP经销商,ic,电子元器件-51电子网

PMK35EP

P沟道的TrenchMOS极低水平FET

版本02 - 2010年4月29日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

极低水平的P沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的一

塑料包装使用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的

仅在计算，通信，消费电子和工业应用。

1.2特点和优点

低导通损耗是由于低

导通状态电阻

1.3应用

电池管理

负载开关

1.4快速参考数据

表1中。

符号

合计

快速参考数据

参数

漏源

电压

漏电流

总功率

耗散

漏源

导通状态

阻力

条件

25 °C

≤

150 °C

= 25 ℃; V

= -10 V ;看

图1 ;

SEE

科幻gure 3

= 25°C ;看

图2

民

典型值

最大单位

-30

-14.

6.9

静态特性

DSON

= -10 V ;我

= -9.2 A;

= 25°C ;看

图9

动态特性

栅极 - 漏极电荷V

= -10 V ;我

= -9.2 A;

= -15 V ;牛逼

= 25 °C;

SEE

图11 ;

SEE

图12

恩智浦半导体

PMK35EP

P沟道的TrenchMOS极低水平FET

2.管脚信息

表2中。

针

管脚信息

符号说明

来源

门

漏

001aaa025

简化的轮廓

图形符号

SOT96-1 （ SO8 ）

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

PMK35EP

SO8

描述

塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米

VERSION

SOT96-1

类型编号

4.极限值

表4 。

符号

DGR

极限值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

= 25 ℃; V

= -10 V ;看

图1 ;

SEE

科幻gure 3

= 100℃ ; V

= -10 V ;看

图1

合计

英镑

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源出电流

峰源电流

= 25 °C

= 25°C ;吨

≤

10微秒;脉冲

= 25°C ;吨

≤

10微秒;脉冲;

SEE

科幻gure 3

= 25°C ;看

图2

条件

25 °C

≤

150 °C

25 °C

≤

150 ℃;

= 20 k

民

-25

-55

典型值

最大

-30

-14.9

-7

-28.8

6.9

150

-5.8

-23

单位

°C

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

源极 - 漏极二极管

PMK35EP

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产品数据表

版本02 - 2010年4月29日

2 12

恩智浦半导体

PMK35EP

P沟道的TrenchMOS极低水平FET

120

DER

(%)

003aab604

120

DER

(%)

003aab948

100

150

(°C)

200

100

150

(°C)

200

图1 。

标准化的连续漏极电流为

的焊点温度功能

图2 。

归一化的总功耗为

的焊点温度功能

003aab603

性限R

DSON

= V

/ I

(A)

1毫秒

= 10

μs

10毫秒

100毫秒

(V)

= 25°C ;我

是单脉冲

图3 。

安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数

5.热特性

表5 。

符号

日（J -SP ）

热特性

参数

热阻

从结点到焊点

点

条件

SEE

图4

民

典型值

最大

单位

K / W

PMK35EP

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3 12

恩智浦半导体

PMK35EP

P沟道的TrenchMOS极低水平FET

日（J -SP ）

（K / W）

= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

003aab605

单脉冲

(s)

图4 。

从结瞬态热阻抗焊接点作为脉冲持续时间的函数

6.特性

表6 。

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

特征

参数

漏源

击穿电压

门极 - 源

电压

条件

= -250 μA ; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= -250 μA ; V

= 0 V ;牛逼

= -55 °C

= -250 μA ; V

= V

; T

= 25 °C;

SEE

图7 ;

SEE

图8

= -250 μA ; V

= V

; T

= 150 °C;

SEE

图7 ;

SEE

图8

= -250 μA ; V

= V

; T

= -55 °C;

SEE

图7 ;

SEE

图8

DSS

GSS

DSON

漏极漏电流

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

= -30 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= -30 V; V

= 0 V ;牛逼

= 70 °C

= 20 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= -20 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C

= -10 V ;我

= -9.2 A;牛逼

= 25 °C;

SEE

图9

= -10 V ;我

= -9.2 A;牛逼

= 150 °C;

SEE

图9

= -4.5 V ;我

= -6.8 A;牛逼

= 25 °C;

SEE

图10 ;

SEE

图9

动态特性

G（ TOT ）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -9.2 A; V

= -15 V; V

= -10 V;

= 25°C ;看

图11 ;

SEE

图12

民

-30

-27

-1

-0.7

典型值

最大

-3

-3.3

-1

-10

-100

单位

静态特性

PMK35EP

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4 12

恩智浦半导体

PMK35EP

P沟道的TrenchMOS极低水平FET

表6 。

符号

GS （ PL ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

特征

- 续

参数

栅源高原

电压

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

= -3.45 A; V

= 0 V ;牛逼

= 25 °C;

SEE

图14

= -25 V ;

= 6

;

= -10 V;

G（ EXT ）

= 6

;

= 25 °C

条件

= -9.2 A; V

= -15 V ;牛逼

= 25 °C;

SEE

图11 ;

SEE

图12

= -25 V; V

= 0 V ; F = 1兆赫;

= 25°C ;看

图13

民

典型值

-2.5

2100

365

275

-0.8

最大

-1.2

单位

源极 - 漏极二极管

(A)

003aab606

(V) =

(A)

003aab608

3.5

2.8

= 150

°C

0.5

1.5

(V)

= 25 °C

图5 。

输出特性：漏极电流为

漏极 - 源极电压的函数;典型值

图6 。

＆ GT ;我

个R

DSON

传输特性：漏极电流为

栅极 - 源极电压的函数;典型值

PMK35EP

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5 12

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联系人：李先生【原装正品,可开发票】

地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12

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