PMK27XP
P沟道极低水平FET
M3D315
版本01 - 2004年1月15日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
极低水平的P沟道增强型音响场效于一个塑料晶体管
包装采用TrenchDMOS技术。
1.2产品特点
s
低门槛
s
低通态电阻。
1.3应用
s
负载开关
s
笔记本电脑
s
电池组
s
电池供电的便携式设备。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤ 20
V
s
P
合计
≤
2.5 W
s
I
D
≤ 6.5
A
s
R
DSON
= 27毫欧（典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
5,6,7,8
穿针 - SOT96-1 （ SO - 8 ） ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
栅极（G ）
漏极（四）
g
1
顶视图
4
MBK187
简化的轮廓
8
5
符号
d
s
MBB075
SOT 96-1 （ SO - 8 ）
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PMK27XP
S08
描述
塑料表面贴装封装; 8线索
VERSION
SOT96-1
类型编号
飞利浦半导体
PMK27XP
P沟道极低水平FET
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流
条件
T
AMB
= 25
°C
V
GS
=
4.5
V ;牛逼
p
＆ LT ;
10s
T
AMB
= 25
°C;
图2
T
AMB
= 70
°C;
图2
V
GS
=
4.5
V ;牛逼
p
> 10S
T
AMB
= 25
°C;
图2
T
AMB
= 70
°C;
图2
V
GS
I
DM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
栅极 - 源极电压（直流）
峰值漏极电流
总功耗
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
300
s;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
t
p
＆ LT ;
10s;
图1
T
AMB
= 25
°C;
t
p
> 10S ;
图1
-
-
-
-
-
-
55
55
-
4.6
3.7
12
32
2.5
1.25
+150
+150
1.7
A
A
V
A
W
W
°C
°C
A
-
-
6.5
5.2
A
A
民
-
最大
20
单位
V
源极 - 漏极二极管
9397 750 11549
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
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飞利浦半导体
PMK27XP
P沟道极低水平FET
120
PDER
(%)
80
03an63
120
伊德尔
%
03an62
80
40
40
0
0
50
100
TAMB （ ° C）
150
0
0
50
100
TAMB
°C
150
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(-A)
10
TP = 100
s
1毫秒
10毫秒
1
DC
100毫秒
限制导通电阻= VDS / ID
03an64
10-1
10-2
10-1
1
10
VDS （-V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
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P沟道极低水平FET
5.热特性
表4：
符号
R
日（J -SP ）
热特性
参数
条件
最小的足迹;
安装在印刷电路板
稳定状态
t
p
< 10秒
-
-
-
-
100
50
K / W
K / W
民
-
典型值
-
最大
27
单位
K / W
从结热阻到焊点
图4
R
日（ J- AMB ）
从结点到环境的热阻
5.1瞬态热阻抗
1
03an61
a
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
P
0.02
单脉冲
10-2
10-4
tp
T
10-2
10-1
102
δ
=
tp
T
t
10-3
1
10
TP （多个）
103
Z
th
(
j
–
AMB
)
a
=
--------------------------
-
R
th
(
j
–
AMB
)
图4.正常化的瞬态热阻抗结点到环境作为脉冲持续时间的函数。
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版本01 - 2004年1月15日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
极低水平的P沟道增强型音响场效于一个塑料晶体管
包装采用TrenchDMOS技术。
1.2产品特点
s
低门槛
s
低通态电阻。
1.3应用
s
负载开关
s
笔记本电脑
s
电池组
s
电池供电的便携式设备。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤ 20
V
s
P
合计
≤
2.5 W
s
I
D
≤ 6.5
A
s
R
DSON
= 27毫欧（典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1,2,3
4
5,6,7,8
穿针 - SOT96-1 （ SO - 8 ） ，简化的外形和符号
描述
源极（S ）
栅极（G ）
漏极（四）
g
1
顶视图
4
MBK187
简化的轮廓
8
5
符号
d
s
MBB075
SOT 96-1 （ SO - 8 ）
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PMK27XP
S08
描述
塑料表面贴装封装; 8线索
VERSION
SOT96-1
类型编号
飞利浦半导体
PMK27XP
P沟道极低水平FET
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流
条件
T
AMB
= 25
°C
V
GS
=
4.5
V ;牛逼
p
＆ LT ;
10s
T
AMB
= 25
°C;
图2
T
AMB
= 70
°C;
图2
V
GS
=
4.5
V ;牛逼
p
> 10S
T
AMB
= 25
°C;
图2
T
AMB
= 70
°C;
图2
V
GS
I
DM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
栅极 - 源极电压（直流）
峰值漏极电流
总功耗
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
300
s;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
t
p
＆ LT ;
10s;
图1
T
AMB
= 25
°C;
t
p
> 10S ;
图1
-
-
-
-
-
-
55
55
-
4.6
3.7
12
32
2.5
1.25
+150
+150
1.7
A
A
V
A
W
W
°C
°C
A
-
-
6.5
5.2
A
A
民
-
最大
20
单位
V
源极 - 漏极二极管
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飞利浦半导体
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P沟道极低水平FET
120
PDER
(%)
80
03an63
120
伊德尔
%
03an62
80
40
40
0
0
50
100
TAMB （ ° C）
150
0
0
50
100
TAMB
°C
150
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(-A)
10
TP = 100
s
1毫秒
10毫秒
1
DC
100毫秒
限制导通电阻= VDS / ID
03an64
10-1
10-2
10-1
1
10
VDS （-V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4：
符号
R
日（J -SP ）
热特性
参数
条件
最小的足迹;
安装在印刷电路板
稳定状态
t
p
< 10秒
-
-
-
-
100
50
K / W
K / W
民
-
典型值
-
最大
27
单位
K / W
从结热阻到焊点
图4
R
日（ J- AMB ）
从结点到环境的热阻
5.1瞬态热阻抗
1
03an61
a
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
P
0.02
单脉冲
10-2
10-4
tp
T
10-2
10-1
102
δ
=
tp
T
t
10-3
1
10
TP （多个）
103
Z
th
(
j
–
AMB
)
a
=
--------------------------
-
R
th
(
j
–
AMB
)
图4.正常化的瞬态热阻抗结点到环境作为脉冲持续时间的函数。
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