PMGD400UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
MBD128
版本01 - 2004年3月3日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
表面贴装封装
s
双驱动器
s
低通态电阻
s
足迹比SOT23小40 ％
s
快速开关
s
低阈值电压。
1.3应用
s
驱动电路
s
开关在便携式电器。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
0.41 W
s
I
D
≤
0.71 A
s
R
DSON
≤
480 m.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5
6
钢钉 - SOT363 （ SC - 88 ） ，简化的外形和符号
描述
源（S1）
栅极（G1）
漏极（ d2）中
源（ s2中）
栅极（G2）
漏极（ d1）的
s1
1
顶视图
2
3
MSA370
简化的轮廓
6
5
4
符号
d1
d2
g1
s2
g2
MSD901
SOT363 （ SC -88 ）
飞利浦半导体
PMGD400UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PMGD400UN
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT363
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
[1]
[1]
最大
30
30
±8
0.71
0.45
1.42
0.41
+150
+150
0.34
0.69
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源极 - 漏极二极管
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
单个器件导通。
-
-
9397 750 12759
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
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2 12
飞利浦半导体
PMGD400UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
10
03an21
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
1
100
s
10-1
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 4.5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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PMGD400UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
5.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
300
单位
K / W
从结热阻到焊点
图4
符号参数
5.1瞬态热阻抗
103
第Z （J -SP ）
（K / W）
δ
= 0.5
102
0.2
0.1
0.05
0.02
10
单脉冲
P
03an28
δ
=
tp
T
tp
T
1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
TP （多个）
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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超低水平FET
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
表面贴装封装
s
双驱动器
s
低通态电阻
s
足迹比SOT23小40 ％
s
快速开关
s
低阈值电压。
1.3应用
s
驱动电路
s
开关在便携式电器。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
0.41 W
s
I
D
≤
0.71 A
s
R
DSON
≤
480 m.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5
6
钢钉 - SOT363 （ SC - 88 ） ，简化的外形和符号
描述
源（S1）
栅极（G1）
漏极（ d2）中
源（ s2中）
栅极（G2）
漏极（ d1）的
s1
1
顶视图
2
3
MSA370
简化的轮廓
6
5
4
符号
d1
d2
g1
s2
g2
MSD901
SOT363 （ SC -88 ）
飞利浦半导体
PMGD400UN
双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PMGD400UN
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT363
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
[1]
[1]
最大
30
30
±8
0.71
0.45
1.42
0.41
+150
+150
0.34
0.69
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源极 - 漏极二极管
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
单个器件导通。
-
-
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飞利浦半导体
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双N沟道
μTrenchMOS
超低水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
10
03an21
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
1
100
s
10-1
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 4.5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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超低水平FET
5.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
300
单位
K / W
从结热阻到焊点
图4
符号参数
5.1瞬态热阻抗
103
第Z （J -SP ）
（K / W）
δ
= 0.5
102
0.2
0.1
0.05
0.02
10
单脉冲
P
03an28
δ
=
tp
T
tp
T
1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
TP （多个）
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
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