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分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
M3D302
PMEM4010PD
PNP晶体管/肖特基二极管
模块
产品数据表
2002年10月28日
恩智浦半导体
产品数据表
PNP晶体管/肖特基二极管模块
特点
600 mW的总功耗
高电流能力
减少所需PCB面积
减少取放成本
小型塑料SMD封装。
晶体管：
低集电极 - 发射极饱和电压。
二极管：
超高速开关
极低的正向电压
保护环。
手册， halfpage
6
PMEM4010PD
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
辐射源
没有连接
阴极
阳极
BASE
集热器
描述
5
4
4
3
6
应用
DC / DC转换器
感性负载驱动器
通用负载驱动
反极性保护电路。
描述
PNP晶体管的低V组合
CESAT
和高
电流能力和一个平面肖特基势垒二极管
综合保护环，在SOT457应力保护
（ SC - 74 ）小型塑料封装。
NPN补充： PMEM4010ND 。
标识代码：
B2.
5
1
1
2
3
MGU868
Fig.1简化外形（ SOT457 ）和符号。
2002年10月28日
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP晶体管/肖特基二极管模块
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
NPN晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
T
j
V
R
I
F
I
FSM
T
j
P
合计
T
英镑
T
AMB
记
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
结温
发射极开路
开基
集电极开路
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
参数
条件
分钟。
PMEM4010PD
马克斯。
40
40
5
1
2
1
150
单位
V
V
V
A
A
A
°C
肖特基二极管
连续反向电压
连续正向电流
非重复峰值正向电流
结温
20
1
5
125
V
A
A
°C
联合装置
总功耗
储存温度
工作环境温度
600
+150
+125
mW
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气中;注1
价值
208
单位
K / W
2002年10月28日
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP晶体管/肖特基二极管模块
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
NPN晶体管
I
CBO
集电极 - 基极截止电流
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0;
T
AMB
= 150
°C
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
V
BESAT
R
CESAT
V
BEON
f
T
基射极饱和电压
导通电阻的等效
基射极导通电压
跃迁频率
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;
注1
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
300
300
250
160
150
参数
条件
分钟。
PMEM4010PD
典型值。
300
马克斯。
100
50
100
100
800
140
170
310
1.1
<340
1
单位
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
V
m
V
兆赫
肖特基二极管
V
F
连续的正向电压
I
F
= 10毫安;注1
I
F
= 100毫安;注1
I
F
=千毫安;见图7 ;注1
I
R
反向电流
V
R
= 5 V ;注1
V
R
= 8 V ;注1
V
R
= 15 V ;见图8 ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 5 V ; F = 1兆赫;见图9
240
300
480
5
7
10
19
270
350
550
10
20
50
25
mV
mV
mV
A
A
A
pF
2002年10月28日
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP晶体管/肖特基二极管模块
PMEM4010PD
手册， halfpage
1200
MHC088
的hFE
1000
(1)
手册， halfpage
10
MHC089
VBE
(V)
800
600
(2)
1
(1)
(2)
400
(3)
(3)
200
10
1
10
1
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
PNP晶体管;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
PNP晶体管;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
MHC090
10
2
手册， halfpage
RCEsat
()
MHC091
10
2
10
(1)
10
1
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
4
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
PNP晶体管;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
PNP晶体管;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
等效导通电阻的函数
集电极电流;典型值。
2002年10月28日
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D302
PMEM4010PD
PNP晶体管/肖特基二极管
模块
产品speci fi cation
2002年10月28日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管/肖特基二极管模块
特点
600 mW的总功耗
高电流能力
减少所需PCB面积
减少取放成本
小型塑料SMD封装。
晶体管：
低集电极 - 发射极饱和电压。
二极管：
超高速开关
极低的正向电压
保护环。
手册， halfpage
6
PMEM4010PD
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
辐射源
没有连接
阴极
阳极
BASE
集热器
描述
5
4
4
3
6
应用
DC / DC转换器
感性负载驱动器
通用负载驱动
反极性保护电路。
描述
PNP晶体管的低V组合
CESAT
和高
电流能力和一个平面肖特基势垒二极管
综合保护环，在SOT457应力保护
（ SC - 74 ）小型塑料封装。
NPN补充： PMEM4010ND 。
标识代码：
B2.
5
1
1
2
3
MGU868
Fig.1简化外形（ SOT457 ）和符号。
2002年10月28日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管/肖特基二极管模块
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
NPN晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
T
j
V
R
I
F
I
FSM
T
j
P
合计
T
英镑
T
AMB
记
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
结温
发射极开路
开基
集电极开路
T = 8.3毫秒半正弦波;
JEDEC的方法
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
参数
条件
分钟。
PMEM4010PD
马克斯。
40
40
5
1
2
1
150
单位
V
V
V
A
A
A
°C
V
A
A
°C
mW
°C
°C
肖特基二极管
连续反向电压
连续正向电流
非重复峰值正向电流
结温
20
1
5
125
联合装置
总功耗
储存温度
工作环境温度
600
+150
+125
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气中;注1
价值
208
单位
K / W
2002年10月28日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管/肖特基二极管模块
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
NPN晶体管
I
CBO
集电极 - 基极截止电流
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0;
T
AMB
= 150
°C
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
V
BESAT
R
CESAT
V
BEON
f
T
基射极饱和电压
导通电阻的等效
基射极导通电压
跃迁频率
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;
注1
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
300
300
250
160
150
参数
条件
分钟。
PMEM4010PD
典型值。
300
马克斯。
100
50
100
100
800
140
170
310
1.1
<340
1
单位
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
V
m
V
兆赫
肖特基二极管
V
F
连续的正向电压
I
F
= 10毫安;注1
I
F
= 100毫安;注1
I
F
=千毫安;见图7 ;注1
I
R
反向电流
V
R
= 5 V ;注1
V
R
= 8 V ;注1
V
R
= 15 V ;见图8 ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 5 V ; F = 1兆赫;见图9
240
300
480
5
7
10
19
270
350
550
10
20
50
25
mV
mV
mV
A
A
A
pF
2002年10月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP晶体管/肖特基二极管模块
PMEM4010PD
手册， halfpage
1200
MHC088
的hFE
1000
(1)
手册， halfpage
10
MHC089
VBE
(V)
800
600
(2)
1
(1)
(2)
400
(3)
(3)
200
10
1
10
1
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
PNP晶体管;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
PNP晶体管;
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
MHC090
10
2
手册， halfpage
RCEsat
()
MHC091
10
(1)
10
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
4
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
PNP晶体管;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
PNP晶体管;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
等效导通电阻的函数
集电极电流;典型值。
2002年10月28日
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P54FCT32953DDM
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PM39F010-55JCE
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