恩智浦半导体
产品数据表
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
特点
正向电流： 1
反向电压： 20 V ， 30 V ， 40 V
极低的正向电压
超小，非常小的塑料SMD封装
功耗媲美SOT23封装。
应用
高英法fi效率的DC- DC变换
电压钳位
保护电路
低压整流
阻塞二极管
低功耗的应用。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个非常小的SOD323
（ SC - 76 ）和超小型SOT666塑料SMD封装。
记号
类型编号
PMEG2010BEA
PMEG3010BEA
PMEG4010BEA
PMEG2010BEV
PMEG3010BEV
PMEG4010BEV
标识代码
V1
V2
V3
G6
G5
G4
6
5
4
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
快速参考数据
符号
I
F
V
R
钉扎
针
PMEGXX10BEA
（参见图1）
1
2
PMEGXX10BEV
（见图2）
1, 2, 5, 6
3, 4
阴极
阳极
阴极
阳极
描述
参数
正向电流
反向电压
1
20; 30; 40
马克斯。
单位
A
V
1
2
1
2
sym001
标记栏显示的阴极。
Fig.1
简化外形（ SOD323 ; SC- 76）和
符号。
1, 2
5, 6
3, 4
sym038
1
2
3
图2简体外形（ SOT666 ）和符号。
2004年6月14日
2
恩智浦半导体
产品数据表
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
订购信息
包
类型编号
名字
PMEGXX10BEA
PMEGXX10BEV
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
VERSION
SOD323
SOT666
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
参数
连续反向电压
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76）和SOT666标准安装条件。
2.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
3.对于肖特基势垒二极管的热失控已经被考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
结温
工作环境温度
储存温度
T
s
≤
55
°C;
注1
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5 ;注意2
t
p
= 8毫秒;方波;
注2
注3
注3
65
65
20
30
40
1
3.5
10
150
+150
+150
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
2004年6月14日
3
恩智浦半导体
产品数据表
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
热特性
符号
PMEGXX10BEA （ SOD323 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注1和2
在自由空气中;注意到图2和3
注4
参数
条件
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
价值
单位
450
210
90
K / W
K / W
K / W
PMEGXX10BEV （ SOT666 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76 ）标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.设备安装在一FR4印刷电路板用覆铜10
×
10 mm.
4.焊接点阴极标签。
5.参考SOT666标准安装条件。
6.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
PMEG2010BEA / PMEG3010BEA / PMEG4010BEA /
PMEG2010BEV PMEG3010BEV PMEG4010BEV单位
典型值。
V
F
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
F
= 1 000毫安
I
R
连续
反向电流
V
R
= 10 V ;注1
V
R
= 20V;注1
V
R
= 30 V ;注1
V
R
= 40 V ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
90
150
210
280
355
420
15
40
66
马克斯。
130
190
240
330
390
500
40
200
80
典型值。
90
150
215
285
380
450
12
40
55
马克斯。
130
200
250
340
430
560
30
150
70
典型值。
95
155
220
295
420
540
7
30
43
马克斯。
130
210
270
350
470
640
20
100
50
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
μA
μA
pF
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注意到2和5
在自由空气中;注意到2和6
注4
405
215
80
K / W
K / W
K / W
符号
参数
条件
2004年6月14日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
特点
正向电流： 1
反向电压： 20 V ， 30 V ， 40 V
极低的正向电压
超小，非常小的塑料SMD封装
功耗媲美SOT23封装。
应用
高英法fi效率的DC- DC变换
电压钳位
保护电路
低压整流
阻塞二极管
低功耗的应用。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个非常小的SOD323
（ SC - 76 ）和超小型SOT666塑料SMD封装。
记号
类型编号
PMEG2010BEA
PMEG3010BEA
PMEG4010BEA
PMEG2010BEV
PMEG3010BEV
PMEG4010BEV
标识代码
V1
V2
V3
G6
G5
G4
6
5
4
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
快速参考数据
符号
I
F
V
R
钉扎
针
PMEGXX10BEA
（参见图1）
1
2
PMEGXX10BEV
（见图2）
1, 2, 5, 6
3, 4
阴极
阳极
阴极
阳极
描述
参数
正向电流
反向电压
1
20; 30; 40
马克斯。
单位
A
V
1
2
1
2
sym001
顶视图
标记栏显示的阴极。
Fig.1
简化外形（ SOD323 ; SC- 76）和
符号。
1, 2
5, 6
3, 4
sym038
1
顶视图
2
3
图2简体外形（ SOT666 ）和符号。
2004年6月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
订购信息
包
类型编号
名字
PMEGXX10BEA
PMEGXX10BEV
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
VERSION
SOD323
SOT666
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
参数
连续反向电压
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76）和SOT666标准安装条件。
2.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
3.对于肖特基势垒二极管的热失控已经被考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
结温
工作环境温度
储存温度
T
s
≤
55
°C;
注1
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5 ;注意2
t
p
= 8毫秒;方波;
注2
注3
注3
65
65
20
30
40
1
3.5
10
150
+150
+150
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
2004年6月14日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
热特性
符号
PMEGXX10BEA （ SOD323 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注1和2
在自由空气中;注意到图2和3
注4
参数
条件
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
价值
单位
450
210
90
K / W
K / W
K / W
PMEGXX10BEV （ SOT666 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76 ）标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.设备安装在一FR4印刷电路板用覆铜10
×
10 mm.
4.焊接点阴极标签。
5.参考SOT666标准安装条件。
6.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
PMEG2010BEA / PMEG3010BEA / PMEG4010BEA /
PMEG2010BEV PMEG3010BEV PMEG4010BEV单位
典型值。
V
F
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
F
=千毫安
I
R
连续倒V
R
= 10 V ;注1
当前
V
R
= 20V;注1
V
R
= 30 V ;注1
V
R
= 40 V ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
90
150
210
280
355
420
15
40
66
马克斯。
130
190
240
330
390
500
40
200
80
典型值。
90
150
215
285
380
450
12
40
55
马克斯。
130
200
250
340
430
560
30
150
70
典型值。
95
155
220
295
420
540
7
30
43
马克斯。
130
210
270
350
470
640
20
100
50
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
pF
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注意到2和5
在自由空气中;注意到2和6
注4
405
215
80
K / W
K / W
K / W
符号
参数
条件
2004年6月14日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
特点
正向电流： 1
反向电压： 20 V ， 30 V ， 40 V
极低的正向电压
超小，非常小的塑料SMD封装
功耗媲美SOT23封装。
应用
高英法fi效率的DC- DC变换
电压钳位
保护电路
低压整流
阻塞二极管
低功耗的应用。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个非常小的SOD323
（ SC - 76 ）和超小型SOT666塑料SMD封装。
记号
类型编号
PMEG2010BEA
PMEG3010BEA
PMEG4010BEA
PMEG2010BEV
PMEG3010BEV
PMEG4010BEV
标识代码
V1
V2
V3
G6
G5
G4
6
5
4
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
快速参考数据
符号
I
F
V
R
钉扎
针
PMEGXX10BEA
（参见图1）
1
2
PMEGXX10BEV
（见图2）
1, 2, 5, 6
3, 4
阴极
阳极
阴极
阳极
描述
参数
正向电流
反向电压
1
20; 30; 40
马克斯。
单位
A
V
1
2
1
2
sym001
顶视图
标记栏显示的阴极。
Fig.1
简化外形（ SOD323 ; SC- 76）和
符号。
1, 2
5, 6
3, 4
sym038
1
顶视图
2
3
图2简体外形（ SOT666 ）和符号。
2004年6月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
订购信息
包
类型编号
名字
PMEGXX10BEA
PMEGXX10BEV
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
VERSION
SOD323
SOT666
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
参数
连续反向电压
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76）和SOT666标准安装条件。
2.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
3.对于肖特基势垒二极管的热失控已经被考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
结温
工作环境温度
储存温度
T
s
≤
55
°C;
注1
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5 ;注意2
t
p
= 8毫秒;方波;
注2
注3
注3
65
65
20
30
40
1
3.5
10
150
+150
+150
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
2004年6月14日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
热特性
符号
PMEGXX10BEA （ SOD323 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注1和2
在自由空气中;注意到图2和3
注4
参数
条件
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
价值
单位
450
210
90
K / W
K / W
K / W
PMEGXX10BEV （ SOT666 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76 ）标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.设备安装在一FR4印刷电路板用覆铜10
×
10 mm.
4.焊接点阴极标签。
5.参考SOT666标准安装条件。
6.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
PMEG2010BEA / PMEG3010BEA / PMEG4010BEA /
PMEG2010BEV PMEG3010BEV PMEG4010BEV单位
典型值。
V
F
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
F
=千毫安
I
R
连续倒V
R
= 10 V ;注1
当前
V
R
= 20V;注1
V
R
= 30 V ;注1
V
R
= 40 V ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
90
150
210
280
355
420
15
40
66
马克斯。
130
190
240
330
390
500
40
200
80
典型值。
90
150
215
285
380
450
12
40
55
马克斯。
130
200
250
340
430
560
30
150
70
典型值。
95
155
220
295
420
540
7
30
43
马克斯。
130
210
270
350
470
640
20
100
50
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
pF
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注意到2和5
在自由空气中;注意到2和6
注4
405
215
80
K / W
K / W
K / W
符号
参数
条件
2004年6月14日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
特点
正向电流： 1
反向电压： 20 V ， 30 V ， 40 V
极低的正向电压
超小，非常小的塑料SMD封装
功耗媲美SOT23封装。
应用
高英法fi效率的DC- DC变换
电压钳位
保护电路
低压整流
阻塞二极管
低功耗的应用。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个非常小的SOD323
（ SC - 76 ）和超小型SOT666塑料SMD封装。
记号
类型编号
PMEG2010BEA
PMEG3010BEA
PMEG4010BEA
PMEG2010BEV
PMEG3010BEV
PMEG4010BEV
标识代码
V1
V2
V3
G6
G5
G4
6
5
4
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
快速参考数据
符号
I
F
V
R
钉扎
针
PMEGXX10BEA
（参见图1）
1
2
PMEGXX10BEV
（见图2）
1, 2, 5, 6
3, 4
阴极
阳极
阴极
阳极
描述
参数
正向电流
反向电压
1
20; 30; 40
马克斯。
单位
A
V
1
2
1
2
sym001
顶视图
标记栏显示的阴极。
Fig.1
简化外形（ SOD323 ; SC- 76）和
符号。
1, 2
5, 6
3, 4
sym038
1
顶视图
2
3
图2简体外形（ SOT666 ）和符号。
2004年6月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
订购信息
包
类型编号
名字
PMEGXX10BEA
PMEGXX10BEV
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 6引线
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
VERSION
SOD323
SOT666
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
参数
连续反向电压
PMEG2010BEA/PMEG2010BEV
PMEG3010BEA/PMEG3010BEV
PMEG4010BEA/PMEG4010BEV
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76）和SOT666标准安装条件。
2.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
3.对于肖特基势垒二极管的热失控已经被考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
结温
工作环境温度
储存温度
T
s
≤
55
°C;
注1
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5 ;注意2
t
p
= 8毫秒;方波;
注2
注3
注3
65
65
20
30
40
1
3.5
10
150
+150
+150
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
2004年6月14日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1非常低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器
热特性
符号
PMEGXX10BEA （ SOD323 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注1和2
在自由空气中;注意到图2和3
注4
参数
条件
PMEGXX10BEA;
PMEGXX10BEV
价值
单位
450
210
90
K / W
K / W
K / W
PMEGXX10BEV （ SOT666 ）
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
笔记
1.参考SOD323 （ SC - 76 ）标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图，用于确定反向功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.设备安装在一FR4印刷电路板用覆铜10
×
10 mm.
4.焊接点阴极标签。
5.参考SOT666标准安装条件。
6.只有有效的，如果销3,4并联连接（ SOT666封装） 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
PMEG2010BEA / PMEG3010BEA / PMEG4010BEA /
PMEG2010BEV PMEG3010BEV PMEG4010BEV单位
典型值。
V
F
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
F
=千毫安
I
R
连续倒V
R
= 10 V ;注1
当前
V
R
= 20V;注1
V
R
= 30 V ;注1
V
R
= 40 V ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
90
150
210
280
355
420
15
40
66
马克斯。
130
190
240
330
390
500
40
200
80
典型值。
90
150
215
285
380
450
12
40
55
马克斯。
130
200
250
340
430
560
30
150
70
典型值。
95
155
220
295
420
540
7
30
43
马克斯。
130
210
270
350
470
640
20
100
50
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
pF
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
在自由空气中;注意到2和5
在自由空气中;注意到2和6
注4
405
215
80
K / W
K / W
K / W
符号
参数
条件
2004年6月14日
4
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