PMEG6002EB ; PMEG6002TV
0.2一个非常低的V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
牧师01 - 2006年11月24日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用( MEGA )肖特基势垒整流器器与
综合保护环应力保护,封装在超小扁平的铅
表面贴装器件( SMD )塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PMEG6002EB
PMEG6002TV
SOD523
SOT666
JEITA
SC-79
-
单身
双隔离
CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
正向电流:我
F
≤
0.2 A
反向电压: V
R
≤
60 V
极低的正向电压
超小扁平的铅SMD塑料封装
1.3应用
I
I
I
I
I
低压整流,阳离子
高英法fi效率的DC- DC变换
开关模式电源
反极性保护
低功耗的应用
1.4快速参考数据
表2中。
符号
每二极管
I
F
V
R
V
F
[1]
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
正向电压
I
F
= 200毫安
[1]
条件
T
AMB
≤
25
°C
民
-
-
-
典型值
-
-
540
最大
0.2
60
600
单位
A
V
mV
脉冲测试:吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PMEG6002EB ; PMEG6002TV
0.2一个非常低的V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
P
合计
反向电压
正向电流
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
总功耗
PMEG6002EB
PMEG6002TV
每个器件
P
合计
总功耗
PMEG6002TV
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
条件
民
-
最大
60
0.2
2
2.5
单位
V
A
A
A
T
AMB
≤
25
°C
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.25
方波;
t
p
8毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[2]
[1]
-
-
-
-
-
-
300
200
300
mW
mW
mW
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
-
-
-
65
65
300
400
150
+150
+150
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
PMEG6002EB_PMEG6002TV_1
NXP B.V. 2006年保留所有权利。
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6.热特性
表7中。
符号
每个器件
R
号(j -a)的
从热阻
结到环境
PMEG6002EB
PMEG6002TV
R
日(J -SP )
从热阻
结点到焊点
PMEG6002EB
PMEG6002TV
[1]
[2]
[3]
[4]
热特性
参数
条件
在自由空气
[1][2]
[1][2]
[1][3]
[4]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
400
416
318
K / W
K / W
K / W
-
-
-
-
75
195
K / W
K / W
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑到,在某些应用中的反向
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
焊接点阴极标签。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
每二极管
V
F
正向电压
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
反向电流
V
R
= 10 V
V
R
= 60 V
V
R
= 10 V ;牛逼
AMB
= 100
°C
C
d
[1]
[1]
条件
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
130
190
260
420
540
2
20
310
14
170
230
300
470
600
10
100
-
20
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
pF
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
脉冲测试:吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
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