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PMEG4010EPK
62
'


40 V ,1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
第2版 - 2012年3月6日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用( MEGA )肖特基势垒整流器器与
综合保护环应力保护,封装在一个无铅超小
SOD1608 ( DFN1608D - 2 )表面贴装器件( SMD)塑料封装可见
和可焊性侧焊盘。
1.2特点和优点
平均正向电流:I
F( AV )
1 A
反向电压: V
R
40 V
低正向电压V
F
600毫伏
低反向电流
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
可焊性侧焊盘
封装高度(典型值) 。 0.37毫米
超小型无管脚SMD塑料
1.3应用
低压整流
高英法fi效率的DC- DC变换
开关模式电源
LED背光源的移动应用程序
低功耗的应用
超高速开关
反极性保护
1.4快速参考数据
表1中。
符号
I
F( AV )
快速参考数据
参数
平均正向
当前
条件
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;牛逼
AMB
90 °C;
方波
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;牛逼
sp
135 °C;
方波
V
R
V
F
I
R
t
rr
反向电压
正向电压
反向电流
反向恢复时间
T
j
= 25 °C
I
F
= 1 ;脉冲;吨
p
300 s;
δ ≤
0.02;
T
j
= 25 °C
V
R
= 10 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
R
= 0.5 A;我
F
= 0.5 A;我
R( MEAS )
= 0.1 A;
T
j
= 25 °C
[1]
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
540
0.6
3
最大
1
1
40
600
4
-
单位
A
A
V
mV
A
ns
[1]
设备安装在陶瓷印刷电路板( PCB ) ,铝
2
O
3
,标准的足迹。
恩智浦半导体
PMEG4010EPK
40 V ,1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
2.管脚信息
表2中。
1
2
管脚信息
符号说明
K
A
阴极
[1]
阳极
1
2
sym001
简化的轮廓
图形符号
1
2
透明的顶视图
SOD1608 ( DFN1608D -2)的
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PMEG4010EPK
DFN1608D-2
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子
VERSION
SOD1608
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
1010 0000
类型编号
PMEG4010EPK
供应商代码
阴极棒
阅读方向
阅读示范:
0111
1011
标识代码
(例)
阅读方向
006aac909
图1 。
SOD1608二进制标记的代码说明
PMEG4010EPK
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产品数据表
第2版 - 2012年3月6日
2 14
恩智浦半导体
PMEG4010EPK
40 V ,1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
5.极限值
表5 。
符号
V
R
I
F
I
F( AV )
极限值
参数
反向电压
正向电流
平均正向电流
条件
T
j
= 25 °C
T
sp
130 °C
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;方波;
T
AMB
90 °C
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;方波;
T
sp
135 °C
I
FRM
I
FSM
P
合计
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
总功耗
t
p
1毫秒;
δ ≤
0.25
t
p
= 8毫秒;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;方波
T
AMB
25 °C
[2][3]
[4][3]
[1][3]
[1]
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-65
最大
40
1.4
1
1
3
5
410
860
1565
150
150
150
单位
V
A
A
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在陶瓷印刷电路板( PCB ) ,铝
2
O
3
,标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
条件
在自由空气
[1][2][3]
[1][4][3]
[1][5][3]
[6]
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
305
145
80
20
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日(J -SP )
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑到,在某些应用中的反向功率损耗P
R
有显著
的总功率损耗的一部分。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
焊接点阴极标签。
PMEG4010EPK
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产品数据表
第2版 - 2012年3月6日
3 14
恩智浦半导体
PMEG4010EPK
40 V ,1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
10
3
006aac997
Z
号(j -a)的
(K / W)
占空比=
1
0.75
0.5
10
2
0.33
0.2
0.25
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
10
10
-3
0
FR4 PCB,标准的足迹
图2 。
10
3
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aac998
Z
号(j -a)的
(K / W)
占空比=
10
2
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.05
10
10
-3
0
0.02
0.01
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
0.25
0.1
FR4印刷电路板,安装板为阴极1厘米
2
图3 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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4 14
恩智浦半导体
PMEG4010EPK
40 V ,1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
10
2
占空比=
1
Z
号(j -a)的
(K / W)
0.75
0.5
0.33
0.2
006aac999
0.25
0.1
0.05
0
10
10
-3
0.02
0.01
10
-2
10
-1
10
2
10
3
1
10
t
p
(s)
陶瓷电路板,铝
2
O
3
,标准的足迹
图4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表7中。
符号
V
F
特征
参数
正向电压
条件
I
F
= 100毫安;脉冲;吨
p
300 s;
δ ≤
0.02; T
j
= 25 °C
I
F
= 500毫安;脉冲;吨
p
300 s;
δ ≤
0.02; T
j
= 25 °C
I
F
= 700毫安;脉冲;吨
p
300 s;
δ ≤
0.02; T
j
= 25 °C
I
F
= 1 ;脉冲;吨
p
300 s;
δ ≤
0.02;
T
j
= 25 °C
I
R
C
d
t
rr
V
FRM
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
峰值正向恢复
电压
V
R
= 10 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
R
= 40 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
R
= 1V ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25 °C
V
R
= 10 V ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25 °C
I
F
= 0.5 A;我
R
= 0.5 A;我
R( MEAS )
= 0.1 A;
T
j
= 25 °C
I
F
= 0.5 A;迪
F
/ DT = 20 A / μs的;牛逼
j
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
345
440
480
540
0.6
3
50
20
3
460
最大
390
500
550
600
4
20
60
25
-
-
单位
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
pF
ns
mV
PMEG4010EPK
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    联系人:杨小姐
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    PMEG4010EPK
    -
    -
    -
    -
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
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联系人:何小姐
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电话:15112667855
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