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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1274页 > PMEG4002EL
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器中无引脚连接器
超小型SOD882封装
版本01 - 2004年2月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用( MEGA )肖特基势垒二极管用
综合保护环,封装在一个SOD882无铅应力保护的超小
塑料封装。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
正向电流: 0.2 A
反向电压40 V
低正向电压
无铅超小型塑料包装
功耗媲美SOT23封装。
1.3应用
s
s
s
s
s
s
超高速开关
电压钳位
保护电路
低压整流,阳离子
阻塞二极管
低功耗的应用。
1.4快速参考数据
表1:
符号
I
F
V
R
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
价值
0.2
40
单位
A
V
飞利浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
2.管脚信息
表2:
1
2
离散钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
1
2
sym001
1
底部视图
2
顶视图
001aaa332
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3:
订购信息
名字
PMEG4002EL
-
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOD882
类型编号
4.标记
表4:
记号
标识代码
F4
类型编号
PMEG4002EL
5.极限值
表5:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
结温
工作环境温度
储存温度
t
p
1毫秒;
δ ≤
0.25
t
p
8毫秒
方波
[1]
[1]
条件
-
-
-
-
-
65
65
最大
40
0.2
1
3
150
+150
+150
单位
V
A
A
A
°C
°C
°C
9397 750 12467
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
版本01 - 2004年2月17日
2第8
飞利浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
[1]
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑,因为在一些应用中,相反的
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。列线图,用于确定反向
功率损耗P
R
F( AV )
评级将根据要求提供。
6.热特性
表6:
符号
R
号(j -a)的
[1]
[2]
热特性
参数
热阻结
到环境
条件
在自由空气
[1] [2]
价值
500
单位
K / W
请参考SOD882标准安装条件(足迹) , FR4 60
m
铜带线。
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑,因为在一些应用中,相反的
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。列线图,用于确定反向
功率损耗P
R
F( AV )
评级将根据要求提供。
7.特点
表7:
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
连续
正向电压
条件
SEE
图1
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
连续
反向电流
SEE
图2
V
R
= 25 V
V
R
= 40 V
C
d
[1]
[1]
典型值
190
250
320
440
520
0.3
0.7
14
最大
220
290
360
500
600
0.5
10
20
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
二极管电容V
R
= 1V ; F = 1兆赫;
SEE
科幻gure 3
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
9397 750 12467
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飞利浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
10
3
I
F
(MA )
10
2
001aaa337
10
4
I
R
(A)
10
3
(1)
(2)
001aaa338
10
2
(3)
(1)
(2)
(3)
(4)
10
10
1
1
10
1
10
1
0
200
400
V
F
(毫伏)
600
10
2
0
10
20
30
V
R
(V)
40
(4)
(1) T
j
= 150
°C.
(2) T
j
= 125
°C.
(3) T
j
= 85
°C.
(4) T
j
= 25
°C.
(1) T
j
= 150
°C.
(2) T
j
= 125
°C.
(3) T
j
= 85
°C.
(4) T
j
= 25
°C.
图1.正向电流为正向功能
电压;典型值。
30
C
d
(PF )
20
图2.反向电流反向的函数
电压;典型值。
001aaa339
10
0
0
10
20
30
V
R
(V)
40
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
图3二极管的电容为反向电压的函数;典型值。
9397 750 12467
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
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飞利浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
8封装外形
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;身体1.0× 0.6× 0.5毫米
SOD882
L
L
1
2
b
e1
A
A1
E
D
(2)
0
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
(1)
0.50
0.46
A
1
马克斯。
0.03
b
0.55
0.47
D
0.62
0.55
E
1.02
0.95
e
1
0.65
L
0.30
0.22
0.5
规模
1 mm
笔记
1.包括镀层厚度
2.标记栏表示阴极
概要
VERSION
SOD882
参考文献:
IEC
JEDEC
JEITA
欧洲
投影
发行日期
03-04-16
03-04-17
图4.封装外形。
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PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
牧师02 - 2009年3月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用( MEGA )肖特基势垒整流器器与
综合保护环应力保护,封装在一个SOD882无铅超小
表面贴装器件( SMD )塑料封装。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
正向电流:我
F
0.2 A
反向电压: V
R
40 V
低正向电压
无铅超小型SMD塑料包装
功耗媲美SOT23
1.3应用
I
I
I
I
I
I
超高速开关
电压钳位
保护电路
低压整流,阳离子
阻塞二极管
低功耗的应用
1.4快速参考数据
表1中。
符号
I
F
V
R
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
条件
-
-
典型值
-
-
最大
0.2
40
单位
A
V
恩智浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
2.管脚信息
表2中。
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
1
2
sym001
1
2
透明
顶视图
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PMEG4002EL -
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOD882
类型编号
4.标记
表4 。
记号
标识代码
F4
类型编号
PMEG4002EL
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值
正向电流
结温
环境温度
储存温度
条件
-
-
最大
40
0.2
1
3
150
+150
+150
单位
V
A
A
A
°C
°C
°C
t
p
1毫秒;
δ ≤
0.25
方波;
t
p
8毫秒
[1]
[1]
-
-
-
65
65
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑到,在某些应用中的反向
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。列线图,用于确定反向
功率损耗P
R
F( AV )
等级可根据要求提供。
PMEG4002EL_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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恩智浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1][2]
-
典型值
-
最大
500
单位
K / W
请参考SOD882标准安装条件(足迹) , FR4印刷电路板( PCB)与
60
m
铜带线。
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑到,在某些应用中的反向
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。列线图,用于确定反向
功率损耗P
R
F( AV )
等级可根据要求提供。
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
R
反向电流
V
R
= 25 V
V
R
= 40 V
C
d
[1]
[1]
典型值
190
250
320
440
520
0.3
0.7
14
最大
220
290
360
500
600
0.5
10
20
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
pF
二极管电容
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
PMEG4002EL_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
10
3
I
F
(MA )
10
2
001aaa337
10
4
I
R
(A)
10
3
(1)
(2)
001aaa338
10
2
(3)
(1)
(2)
(3)
(4)
10
10
1
1
10
1
10
1
0
200
400
V
F
(毫伏)
600
10
2
0
10
20
30
V
R
(V)
40
(4)
(1) T
j
= 150
°C
(2) T
j
= 125
°C
(3) T
j
= 85
°C
(4) T
j
= 25
°C
(1) T
j
= 150
°C
(2) T
j
= 125
°C
(3) T
j
= 85
°C
(4) T
j
= 25
°C
图1 。
正向电流为正向功能
电压;典型值
30
C
d
(PF )
20
图2 。
反向电流反向的函数
电压;典型值
001aaa339
10
0
0
10
20
30
V
R
(V)
40
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3 。
二极管电容的反向电压的函数;典型值
PMEG4002EL_2
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产品数据表
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恩智浦半导体
PMEG4002EL
40 V , 0.2 A的低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
8封装外形
0.62
0.55
2
0.50
0.46
0.30
0.22
0.65
0.30
0.22
0.55
0.47
尺寸(mm)
1.02
0.95
1
阴极标记在上面边
03-04-17
图4 。
封装外形SOD882
9.包装信息
表8 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
描述
2毫米间距8毫米磁带和卷轴
包装数量
10000
PMEG4002EL SOD882
[1]
-315
如需进一步信息和包装方法的途径,请参阅
第13节。
10.焊接
1.3
0.7
R0.05 (8×)
焊区
阻焊
锡膏
占领区
0.3
(2×)
0.4
(2×)
sod882_fr
0.9
0.6 0.7
(2×) (2×)
尺寸(mm)
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
图5 。
PMEG4002EL_2
再溢流焊接足迹SOD882
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PMEG4002EL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
PMEG4002EL
Nexperia/安世
24+
7500
SOD-882
100%原装正品,只做原装正品
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NXP
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PMEG4002EL
NXP
2019
79600
SOD882
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
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PMEG4002EL
NXP
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只做原装实单申请
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电话:755-83252273
联系人:郑
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NXP
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SOD882
绝对全新原装/自己库存现货
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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PMEG4002EL
Nexperia/安世
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PMEG4002EL
NXP
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全新原装正品/质量有保证
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PMEG4002EL
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SOD882
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