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PMEG3020EPA
2低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
版本01 - 2009年12月15日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用( MEGA )肖特基势垒整流器器与
综合保护环应力保护。 PMEG3020EPA封装在超薄
SOT1061无引脚小型表面贴装器件( SMD)塑料封装中
功率容量。
1.2产品特点
平均正向电流:I
F( AV )
2 A
反向电压: V
R
30 V
低正向电压
露出的散热片(阴极板)为优良的导热性和导电性
小型无引线塑料SMD封装,中等功率能力
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
低压整流
高英法fi效率的DC- DC变换
开关模式电源(SMPS )
反极性保护
低功耗的应用
电池充电器为移动设备
1.4快速参考数据
表1中。
快速参考数据
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
F( AV )
参数
平均正向电流
条件
方波;
δ
= 0.5;
F = 20千赫
T
AMB
65
°C
T
sp
140
°C
V
R
V
F
I
R
[1]
[1]
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
410
435
2
2
30
470
2500
A
A
V
mV
μA
反向电压
正向电压
反向电流
I
F
= 2 A
V
R
= 30 V
设备安装在陶瓷印刷电路板( PCB ) ,铝
2
O
3
,标准的足迹。
恩智浦半导体
PMEG3020EPA
2低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
钉扎
描述
阳极
阳极
阴极
3
3
1, 2
006aab624
简化的轮廓
图形符号
1
2
透明的顶视图
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
描述
VERSION
类型编号
PMEG3020EPA HUSON3塑料的热增强型超薄小外形封装; SOT1061
没有线索;三个端子;体2
×
2
×
0.65 mm
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
A2
类型编号
PMEG3020EPA
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F( AV )
参数
反向电压
平均正向电流
条件
T
j
= 25
°C
方波;
δ
= 0.5;
F = 20千赫
T
AMB
65
°C
T
sp
140
°C
I
FRM
I
FSM
P
合计
正向重复峰值
当前
非重复性峰值
正向电流
总功耗
t
p
1毫秒;
δ ≤
0.25
方波;
t
p
8毫秒
T
AMB
25
°C
[2]
[1]
-
最大
30
单位
V
-
-
-
-
-
-
-
2
2
7
17
500
960
1800
A
A
A
A
mW
mW
mW
[2][3]
[4][5]
[4][6]
[4][1]
PMEG3020EPA_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年12月15日
2 13
恩智浦半导体
PMEG3020EPA
2低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
-
55
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
这两种阳极管脚相连。
T
j
= 25
°C
前激增。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1][2]
[3]
[4]
[5]
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
250
130
70
12
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日(J -SP )
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
从热阻
结点到焊点
[6]
为肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑到,在某些应用中的反向
功率损耗P
R
是的总功率损耗的显著一部分。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板,单面铜,镀锡,安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
焊接点阴极标签。
PMEG3020EPA_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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版本01 - 2009年12月15日
3 13
恩智浦半导体
PMEG3020EPA
2低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
占空比=
1
0.75
0.5
0.25
0.1
0.05
10
0.02
0
0.01
0.33
0.2
006aab637
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB,标准的足迹
图1 。
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aab638
占空比=
10
2
1
0.75
0.5
0.33
0.25
0.1
10
0
0.02
0.01
0.2
0.05
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板,安装板为阴极1厘米
2
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PMEG3020EPA_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年12月15日
4 13
恩智浦半导体
PMEG3020EPA
2低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
10
2
占空比=
1
0.75
Z
号(j -a)的
(K / W)
0.5
0.33
0.25
10
0.1
0.2
0.05
006aab639
0
0.02
0.01
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板,铝
2
O
3
,标准的足迹
图3 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
I
R
C
d
反向电流
二极管电容
V
R
= 10 V
V
R
= 30 V
F = 1 MHz的
V
R
= 1 V
V
R
= 10 V
t
rr
[1]
-
-
-
-
-
-
-
[1]
典型值
290
335
410
100
435
150
55
47
最大
-
-
470
-
2500
-
-
-
单位
mV
mV
mV
μA
μA
pF
pF
ns
反向恢复时间
-
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 1毫安。
PMEG3020EPA_1
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    联系人:杨小姐
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    PMEG3020EPA
    -
    -
    -
    -
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32570
3HUSON
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联系人:刘先生
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▲10/11+
8328
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