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PMEG3010EP
1低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
版本01 - 2008年12月30日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用（ MEGA ）肖特基势垒整流器器与
综合保护环应力保护，封装在一个SOD128小而扁平的铅
表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
I
平均正向电流：I
F（ AV ）
≤
1 A
反向电压： V
R
≤
30 V
低正向电压
由于夹正邦科技的高功率能力
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
小而扁平的铅SMD塑料包装
1.3应用
I
I
I
I
I
低压整流，阳离子
高英法fi效率的DC- DC变换
开关模式电源（SMPS ）
反极性保护
低功耗的应用
1.4快速参考数据
表1中。
快速参考数据
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
F（ AV ）
参数
平均正向电流
条件
方波;
δ
= 0.5;
F = 20千赫
T
AMB
≤
130
°C
T
sp
≤
145
°C
V
R
V
F
I
R
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
320
0.6
1
1
30
360
1.5
A
A
V
mV
mA
反向电压
正向电压
反向电流
I
F
= 1 A
V
R
= 30 V
设备安装在陶瓷印刷电路板（ PCB ） ，铝
2
O
3
，标准的足迹。
恩智浦半导体
PMEG3010EP
1低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
图形符号
1
2
sym001
1
2
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMEG3010EP
-
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD128
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
A1
类型编号
PMEG3010EP
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F（ AV ）
参数
反向电压
平均正向电流
条件
T
j
= 25
°C
方波;
δ
= 0.5;
F = 20千赫
T
AMB
≤
130
°C
T
sp
≤
145
°C
I
FSM
P
合计
非重复性峰值
正向电流
总功耗
方波;
t
p
8毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[2]
[1]
民
-
最大
30
单位
V
-
-
-
-
-
-
1
1
50
625
1050
2100
A
A
A
mW
mW
mW
[3][4]
[3][5]
[3][1]
PMEG3010EP_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年12月30日
2 13
恩智浦半导体
PMEG3010EP
1低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
55
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
T
j
= 25
°C
前激增。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1][2]
[3]
[4]
[5]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
200
120
60
12
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
从热阻
结点到焊点
[6]
为肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑到，在某些应用中的反向
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
焊接点阴极标签。
PMEG3010EP_1
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版本01 - 2008年12月30日
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恩智浦半导体
PMEG3010EP
1低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比=
1
0.5
0.25
0.1
10
0.02
0.05
0.01
0.75
0.33
0.2
006aab296
1
0
10
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aab297
占空比=
1
0.75
0.5
0.25
0.33
0.2
0.05
0.02
0.01
10
0.1
1
0
10
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板为阴极1厘米
2
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PMEG3010EP_1
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恩智浦半导体
PMEG3010EP
1低V
F
MEGA肖特基势垒整流器器
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比=
1
0.5
0.25
10
0.1
0.05
0.02
1
0
0.01
0.75
0.33
0.2
006aab298
10
1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图3 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 0.5 A
I
F
= 1 A
I
R
C
d
反向电流
二极管电容
V
R
= 5 V
V
R
= 30 V
F = 1 MHz的
V
R
= 1 V
V
R
= 10 V
-
-
170
60
-
-
pF
pF
民
-
-
-
-
-
典型值
230
280
320
55
0.6
最大
260
310
360
-
1.5
单位
mV
mV
mV
A
mA
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PJ-A298C-140.0
P54FCT827BDM
PIC17LCR43-16/P
PCN21B-95SB-2W-G
P83C380
PI6C102-16H
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