PMEG2010BELD
D8
82D
20 V ，1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
第1版 - 2012年4月18日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面实现最大的效率一般应用（ MEGA ）肖特基势垒整流器器与
综合保护环应力保护，封装在一个无铅超小
DFN1006D - 2 （ SOD882D ）表面贴装器件（ SMD）塑料封装可见
和可焊性侧焊盘。
SO
1.2特点和优点
平均正向电流：I
F（ AV ）
≤
1 A
反向电压： V
R
≤
20 V
低正向电压V
F
≤
490毫伏
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
超小型无管脚SMD塑料
包
可焊性侧焊盘
封装高度（典型值） 。 0.37毫米
1.3应用
低压整流
高英法fi效率的DC- DC变换
开关模式电源
反极性保护
低功耗的应用
超高速开关
LED背光源的移动应用程序
1.4快速参考数据
表1中。
符号
I
F（ AV ）
快速参考数据
参数
平均正向
当前
条件
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;牛逼
AMB
≤
80 °C;
方波
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;牛逼
sp
≤
130 °C;
方波
V
R
V
F
I
R
t
rr
反向电压
正向电压
反向电流
反向恢复时间
T
j
= 25 °C
I
F
= 1 ;脉冲;吨
p
≤
300 s;
δ ≤
0.02 ;
T
j
= 25 °C
V
R
= 10 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
R
= 0.5 A;我
F
= 0.5 A;我
R（ MEAS ）
= 0.1 A;
T
j
= 25 °C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
428
28
1.6
最大
1
1
20
490
50
-
单位
A
A
V
mV
A
ns
[1]
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
恩智浦半导体
PMEG2010BELD
20 V ，1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
管脚信息
符号说明
K
A
阴极
[1]
阳极
1
1
2
sym001
简化的轮廓
图形符号
2
透明
顶视图
DFN1006D-2
(SOD882D)
[1]
标记栏显示的阴极。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMEG2010BELD
DFN1006D-2
描述
无铅超小型塑料封装; 2接线端子
VERSION
SOD882D
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
0000 1001
类型编号
PMEG2010BELD
阴极棒
阅读方向
阅读示范：
0111
1011
标识代码
（例）
阅读方向
006aac927
图1 。
DFN1006D - 2 （ SOD882D ）二进制标记代码说明
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2 14
恩智浦半导体
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20 V ，1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
5.极限值
表5 。
符号
V
R
I
F
I
F（ AV ）
极限值
参数
反向电压
正向电流
平均正向电流
条件
T
j
= 25 °C
T
sp
≤
130 °C
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;方波;
T
AMB
≤
80 °C
δ
= 0.5; F = 20 kHz的;方波;
T
sp
≤
130 °C
I
FRM
I
FSM
P
合计
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
总功耗
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.25
t
p
= 8毫秒;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;方波
T
AMB
≤
25 °C
[2][3]
[4][3]
[1][3]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-65
最大
20
1
1
1
3
6
370
735
1135
150
150
150
单位
V
A
A
A
A
A
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
条件
在自由空气
[1][2][3]
[1][4][3]
[1][5][3]
[6]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
340
170
110
25
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
为肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑到，在某些应用中的反向功率损耗P
R
有
的总功率损耗显著一部分。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，安装焊盘用于阴极1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
焊接点阴极标签。
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恩智浦半导体
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20 V ，1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
10
3
006aac928
Z
号（j -a）的
（K / W）
占空比=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
10
2
0.25
0.1
0.05
0
10
10
-3
0.02
0.01
10
-2
10
-1
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
10
3
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aac929
Z
号（j -a）的
（K / W）
占空比=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.25
0
10
10
-3
0.05
0.02
0.01
10
-2
10
-1
1
10
10
2
10
3
10
2
t
p
(s)
FR4印刷电路板，安装板为阴极1厘米
2
图3 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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恩智浦半导体
PMEG2010BELD
20 V ，1 A的低VF MEGA肖特基势垒整流器
10
3
006aac930
Z
号（j -a）的
（K / W）
占空比=
10
2
0.75
0.33
0.2
0.05
0.02
0.01
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
0.25
0.1
1
0.5
0
10
10
-3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表7中。
符号
V
F
特征
参数
正向电压
条件
I
F
= 100毫安;脉冲;吨
p
≤
300 s;
δ ≤
0.02 ; T
j
= 25 °C
I
F
= 500毫安;脉冲;吨
p
≤
300 s;
δ ≤
0.02 ; T
j
= 25 °C
I
F
= 1 ;脉冲;吨
p
≤
300 s;
δ ≤
0.02 ;
T
j
= 25 °C
I
R
C
d
t
rr
V
FRM
反向电流
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复
电压
V
R
= 10 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
R
= 20V;牛逼
j
= 25 °C
V
R
= 1V ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25 °C
I
F
= 0.5 A;我
R
= 0.5 A;我
R（ MEAS ）
= 0.1 A;
T
j
= 25 °C
I
F
= 0.5 A;迪
F
/ DT = 20 A / μs的;牛逼
j
= 25 °C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
266
353
428
28
87
31
1.6
565
最大
310
390
490
50
200
40
-
-
单位
mV
mV
mV
A
A
pF
ns
mV
PMEG2010BELD
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