恩智浦半导体
产品数据表
低V
F
MEGA肖特基势垒二极管
特点
正向电流： 0.5 A
反向电压： 20 V
极低的正向电压
保护环
超小型SMD封装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
低电流整流
低功耗应用（如手持式
设备）。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒二极管，封装在一个SOD523
（ SC - 79 ）超小型SMD塑料包装。
Fig.1
钉扎
针
1
PMEG2005EB
描述
阴极
阳极
手册， halfpage
标识代码：
L5.
标记栏显示的阴极。
;
2
k
顶视图
a
MAM403
简化外形（ SOD523 ; SC -79 ）和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
= 1毫秒;
δ ≤
0.25
T = 8毫秒的方波
条件
65
65
分钟。
马克斯。
20
500
3.5
6
+150
125
+125
V
mA
A
A
°C
°C
°C
单位
2003 4月04
2
恩智浦半导体
产品数据表
低V
F
MEGA肖特基势垒二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
连续的正向电压
条件
见图2
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
μs; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOD523 （ SC - 79 ）标准安装条件。
参数
热阻结到
环境
注1
条件
连续反向电流
二极管电容
V
R
= 10 V ;见图3 ;注1
120
180
245
320
430
7
PMEG2005EB
典型值。
马克斯。
180
240
290
380
480
30
30
单位
mV
mV
mV
mV
mV
μA
pF
V
R
= 1V ; F = 1兆赫;见图4 24
价值
400
单位
K / W
2003 4月04
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
20 V ，1 A超低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器在SOD523封装
特点
正向电流： 1.0
反向电压： 20 V
超低正向电压
超小型SMD封装。
钉扎
应用
低压整流
高效率的DC / DC转换
电压钳位
反极性保护
低功耗的应用。
1
2
PMEG2010AEB
快速参考数据
符号
I
F
V
R
参数
正向电流
反向电压
马克斯。
1
20
单位
A
V
针
1
2
描述
阴极
阳极
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个SOD523 （ SC- 79 ）超
小型塑料SMD封装。
顶视图
col001
标识代码：
L6.
标记栏显示的阴极。
Fig.1
简化外形（ SOD523 ; SC -79 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
PMEG2010AEB
相关产品
TYPE
PMEG2005EB
PMEG2010EA
描述
1 ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器器
特征
更低的正向电流，降低我
R
SOD323
(SC76)
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD523
0.5 A ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器呃下我
R
在同一个包中
2003年12月3
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
20 V ，1 A超低V
F
MEGA肖特基
垒整流器器在SOD523封装
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
记
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
注1
注1
T
s
≤
55
°C
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5
T = 8毫秒的方波
条件
65
65
PMEG2010AEB
分钟。
马克斯。
20
1.0
3.5
6
+150
150
+150
V
A
A
A
单位
°C
°C
°C
1.对于肖特基势垒整流器，热失控，必须考虑到，在某些应用中的反向功率
损耗P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图测定的反向功率损耗
P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
热特性
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
笔记
1.参考SOD523 （ SC - 79 ）标准安装条件。
2.对于肖特基势垒整流器，热失控，必须考虑到，在某些应用中的反向功率
损耗P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图测定的反向功率损耗
P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.焊接点阴极选项卡。
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
条件
在自由空气中;注1和2
注意到图2和3
价值
400
75
单位
K / W
K / W
2003年12月3
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低V
F
MEGA肖特基势垒二极管
特点
正向电流： 0.5 A
反向电压： 20 V
极低的正向电压
保护环
超小型SMD封装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
低电流整流
低功耗应用（如手持式
设备）。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒二极管，封装在一个SOD523
（ SC - 79 ）超小型SMD塑料包装。
Fig.1
钉扎
针
1
PMEG2005EB
描述
阴极
阳极
手册， halfpage
k
标识代码：
L5.
标记栏显示的阴极。
2
顶视图
a
MAM403
简化外形（ SOD523 ; SC -79 ）和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
= 1毫秒;
δ ≤
0.25
T = 8毫秒的方波
条件
65
65
分钟。
马克斯。
20
500
3.5
6
+150
125
+125
V
mA
A
A
°C
°C
°C
单位
2003 4月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低V
F
MEGA肖特基势垒二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
连续的正向电压
条件
见图2
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOD523 （ SC - 79 ）标准安装条件。
参数
热阻结到
环境
注1
条件
连续反向电流
二极管电容
V
R
= 10 V ;见图3 ;注1
120
180
245
320
430
7
PMEG2005EB
典型值。
马克斯。
180
240
290
380
480
30
30
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
V
R
= 1V ; F = 1兆赫;见图4 24
价值
400
单位
K / W
2003 4月04
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低V
F
MEGA肖特基势垒二极管
特点
正向电流： 0.5 A
反向电压： 20 V
极低的正向电压
保护环
超小型SMD封装。
应用
超高速开关
电压钳位
保护电路
低电流整流
低功耗应用（如手持式
设备）。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒二极管，封装在一个SOD523
（ SC - 79 ）超小型SMD塑料包装。
Fig.1
钉扎
针
1
PMEG2005EB
描述
阴极
阳极
手册， halfpage
k
标识代码：
L5.
标记栏显示的阴极。
2
顶视图
a
MAM403
简化外形（ SOD523 ; SC -79 ）和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
储存温度
结温
工作环境温度
t
p
= 1毫秒;
δ ≤
0.25
T = 8毫秒的方波
条件
65
65
分钟。
马克斯。
20
500
3.5
6
+150
125
+125
V
mA
A
A
°C
°C
°C
单位
2003 4月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低V
F
MEGA肖特基势垒二极管
电气特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
连续的正向电压
条件
见图2
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
R
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOD523 （ SC - 79 ）标准安装条件。
参数
热阻结到
环境
注1
条件
连续反向电流
二极管电容
V
R
= 10 V ;见图3 ;注1
120
180
245
320
430
7
PMEG2005EB
典型值。
马克斯。
180
240
290
380
480
30
30
单位
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
V
R
= 1V ; F = 1兆赫;见图4 24
价值
400
单位
K / W
2003 4月04
3
QQ：2880707522 复制
