分立半导体
数据表
M3D744
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
非常低V
F
MEGA肖特基势垒
整流器
产品speci fi cation
2003年8月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
特点
极低的正向电压
高浪涌电流
超小型塑料SMD封装。
应用
低压整流
高效率的DC / DC转换
电压钳位
反极性保护
低功耗的应用。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个SOT666超小
SMD塑料包装。
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
快速参考数据
符号
I
F
V
R
参数
正向电流
反向电压
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
描述
阴极
阴极
阳极
阳极
阴极
阴极
20
30
40
V
V
V
马克斯。
0.5
单位
A
手册， halfpage
6
5
4
1, 2
5, 6
3, 4
MHC310
1
2
3
Fig.1
记号
类型编号
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
相关产品
类型编号
PMEGxx05AEA
PMEG2005EB
PMEG2010EA
描述
标识代码
G1
G2
G3
简化外形（ SOT666和符号） 。
特征
SOD323 （ SC - 76 ）封装
SOD523 （ SC - 79 ）封装
较高的正向电流
0.5 A ; 20/30/40 V非常低V
F
MEGA肖特基整流器器
0.5 A ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器器
1 ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器器
2003年8月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
参数
连续反向电压
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.参考SOT666标准安装条件。
2.只有当销3,4并联连接有效。
3.对于肖特基势垒二极管的热失控已经被考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
(P
R
）是总功率损耗的显著一部分。列线图用于判定反向功率损耗P的
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
笔记
1.参考SOT666标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图用于判定反向功率损耗P的
R
和
I
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.设备安装在一FR4印刷电路板用覆铜10
×
10 mm.
4.焊接点阴极标签。
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
条件
在自由空气中;注1和2
在自由空气中;注意到图2和3
注4
价值
405
215
80
单位
K / W
K / W
K / W
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
结温
工作环境温度
储存温度
注1
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5 ;注意2
t
p
= 8毫秒;方波;注意2
注3
注3
65
65
20
30
40
0.5
3.5
10
150
+150
+150
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
2003年8月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
PMEG2005AEV PMEG3005AEV PMEG4005AEV
符号
V
F
参数
正向电压
条件
典型值。
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
R
连续反向
当前
V
R
= 10 V ;注1
V
R
= 20V;注1
V
R
= 30 V ;注1
V
R
= 40 V ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
90
150
210
280
355
15
40
66
马克斯。
130
190
240
330
390
40
200
80
典型值。
90
150
215
285
380
12
40
55
马克斯。
130
200
250
340
430
30
150
70
典型值。
95
155
220
295
420
7
30
43
马克斯。
130
210
270
350
470
20
100
50
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
pF
单位
2003年8月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
图形数据
10
3
MDB675
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
2
10
5
手册， halfpage
IR
(A)
(1)
MDB676
10
4
(1)
(2)
(3)
10
3
(2)
10
10
2
1
10
(3)
10
1
0
0.2
0.4
VF （ V）
0.6
1
0
PMEG2005AEV
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
5
10
15
VR （ V）
20
PMEG2005AEV
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.2
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.3
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
150
MDB677
Cd
（PF ）
100
50
0
0
5
10
15
VR （ V）
20
PMEG2005AEV
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2003年8月20日
5
分立半导体
数据表
M3D744
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
非常低V
F
MEGA肖特基势垒
整流器
产品speci fi cation
2003年8月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
特点
极低的正向电压
高浪涌电流
超小型塑料SMD封装。
应用
低压整流
高效率的DC / DC转换
电压钳位
反极性保护
低功耗的应用。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个SOT666超小
SMD塑料包装。
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
快速参考数据
符号
I
F
V
R
参数
正向电流
反向电压
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
描述
阴极
阴极
阳极
阳极
阴极
阴极
20
30
40
V
V
V
马克斯。
0.5
单位
A
手册， halfpage
6
5
4
1, 2
5, 6
3, 4
MHC310
1
2
3
Fig.1
记号
类型编号
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
相关产品
类型编号
PMEGxx05AEA
PMEG2005EB
PMEG2010EA
描述
标识代码
G1
G2
G3
简化外形（ SOT666和符号） 。
特征
SOD323 （ SC - 76 ）封装
SOD523 （ SC - 79 ）封装
较高的正向电流
0.5 A ; 20/30/40 V非常低V
F
MEGA肖特基整流器器
0.5 A ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器器
1 ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器器
2003年8月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
参数
连续反向电压
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.参考SOT666标准安装条件。
2.只有当销3,4并联连接有效。
3.对于肖特基势垒二极管的热失控已经被考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
(P
R
）是总功率损耗的显著一部分。列线图用于判定反向功率损耗P的
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
笔记
1.参考SOT666标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图用于判定反向功率损耗P的
R
和
I
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.设备安装在一FR4印刷电路板用覆铜10
×
10 mm.
4.焊接点阴极标签。
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
条件
在自由空气中;注1和2
在自由空气中;注意到图2和3
注4
价值
405
215
80
单位
K / W
K / W
K / W
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
结温
工作环境温度
储存温度
注1
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5 ;注意2
t
p
= 8毫秒;方波;注意2
注3
注3
65
65
20
30
40
0.5
3.5
10
150
+150
+150
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
2003年8月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
PMEG2005AEV PMEG3005AEV PMEG4005AEV
符号
V
F
参数
正向电压
条件
典型值。
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
R
连续反向
当前
V
R
= 10 V ;注1
V
R
= 20V;注1
V
R
= 30 V ;注1
V
R
= 40 V ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
90
150
210
280
355
15
40
66
马克斯。
130
190
240
330
390
40
200
80
典型值。
90
150
215
285
380
12
40
55
马克斯。
130
200
250
340
430
30
150
70
典型值。
95
155
220
295
420
7
30
43
马克斯。
130
210
270
350
470
20
100
50
mV
mV
mV
mV
mV
A
A
A
A
pF
单位
2003年8月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
图形数据
10
3
MDB675
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
2
10
5
手册， halfpage
IR
(A)
(1)
MDB676
10
4
(1)
(2)
(3)
10
3
(2)
10
10
2
1
10
(3)
10
1
0
0.2
0.4
VF （ V）
0.6
1
0
PMEG2005AEV
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
5
10
15
VR （ V）
20
PMEG2005AEV
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.2
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.3
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
150
MDB677
Cd
（PF ）
100
50
0
0
5
10
15
VR （ V）
20
PMEG2005AEV
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2003年8月20日
5
分立半导体
数据表
M3D744
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
非常低V
F
MEGA肖特基势垒
整流器
产品数据表
2003年8月20日
恩智浦半导体
产品数据表
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
特点
极低的正向电压
高浪涌电流
超小型塑料SMD封装。
应用
低压整流
高效率的DC / DC转换
电压钳位
反极性保护
低功耗的应用。
描述
平面效率最大化通用应用程序（ MEGA ）
肖特基势垒整流器具有集成保护环
应力保护，封装在一个SOT666超小
SMD塑料包装。
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
快速参考数据
符号
I
F
V
R
参数
正向电流
反向电压
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
描述
阴极
阴极
阳极
阳极
阴极
阴极
20
30
40
V
V
V
马克斯。
0.5
单位
A
手册， halfpage
6
5
4
1, 2
5, 6
3, 4
MHC310
1
2
3
Fig.1
记号
类型编号
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
相关产品
类型编号
PMEGxx05AEA
PMEG2005EB
PMEG2010EA
描述
标识代码
G1
G2
G3
简化外形（ SOT666和符号） 。
特征
SOD323 （ SC - 76 ）封装
SOD523 （ SC - 79 ）封装
较高的正向电流
0.5 A ; 20/30/40 V非常低V
F
MEGA肖特基整流器器
0.5 A ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器器
1 ; 20 V低V
F
MEGA肖特基整流器器
2003年8月20日
2
恩智浦半导体
产品数据表
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
R
参数
连续反向电压
PMEG2005AEV
PMEG3005AEV
PMEG4005AEV
I
F
I
FRM
I
FSM
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.参考SOT666标准安装条件。
2.只有当销3,4并联连接有效。
3.对于肖特基势垒二极管的热失控已经被考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
(P
R
）是总功率损耗的显著一部分。列线图用于判定反向功率损耗P的
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
笔记
1.参考SOT666标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控，必须考虑，因为在一些应用中，反向功率损耗
P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图用于判定反向功率损耗P的
R
和
I
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
3.设备安装在一FR4印刷电路板用覆铜10
×
10 mm.
4.焊接点阴极标签。
参数
热阻结到
环境
热阻结到
焊接点
条件
在自由空气中;注1和2
在自由空气中;注意到图2和3
注4
价值
405
215
80
单位
K / W
K / W
K / W
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
结温
工作环境温度
储存温度
注1
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.5 ;注意2
t
p
= 8毫秒;方波;注意2
注3
注3
65
65
20
30
40
0.5
3.5
10
150
+150
+150
V
V
V
A
A
A
°C
°C
°C
条件
分钟。
马克斯。
单位
2003年8月20日
3
恩智浦半导体
产品数据表
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
PMEG2005AEV PMEG3005AEV PMEG4005AEV
符号
V
F
参数
正向电压
条件
典型值。
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
I
R
连续反向
当前
V
R
= 10 V ;注1
V
R
= 20V;注1
V
R
= 30 V ;注1
V
R
= 40 V ;注1
C
d
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
二极管电容
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
90
150
210
280
355
15
40
66
马克斯。
130
190
240
330
390
40
200
80
典型值。
90
150
215
285
380
12
40
55
马克斯。
130
200
250
340
430
30
150
70
典型值。
95
155
220
295
420
7
30
43
马克斯。
130
210
270
350
470
20
100
50
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
μA
μA
pF
单位
2003年8月20日
4
恩智浦半导体
产品数据表
非常低V
F
兆丰
肖特基势垒整流器器
图形数据
10
3
MDB675
PMEG2005AEV ; PMEG3005AEV ;
PMEG4005AEV
手册， halfpage
IF
（MA ）
10
2
10
5
手册， halfpage
IR
(μA)
(1)
MDB676
10
4
(1)
(2)
(3)
10
3
(2)
10
10
2
1
10
(3)
10
1
0
0.2
0.4
VF （ V）
0.6
1
0
PMEG2005AEV
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
5
10
15
VR （ V）
20
PMEG2005AEV
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 85
°C.
(3) T
AMB
= 25
°C.
Fig.2
正向电流为正向功能
电压;典型值。
Fig.3
反向电流反向的函数
电压;典型值。
手册， halfpage
150
MDB677
Cd
（PF ）
100
50
0
0
5
10
15
VR （ V）
20
PMEG2005AEV
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2003年8月20日
5
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