PMDPB85UPE
020
-6
20 V双P沟道MOSFET的沟道
第1版 - 二○一二年六月二十○日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
双小信号P沟道增强型场效应晶体管（ FET）在
无铅中等功率DFN2020-6 （ SOT1118 ）表面贴装器件（ SMD ）塑料
包装采用沟道MOSFET技术。
DF
N2
1.2特点和优点
低阈值电压
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
2 kV的静电放电（ ESD ）
保护
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
高端负载开关
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
每个晶体管
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -1.3 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
快速参考数据
参数
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-8
-
-
典型值
-
-
-
82
最大
-20
8
-3.7
103
单位
V
V
A
m
静态特性（每个晶体管）
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
恩智浦半导体
PMDPB85UPE
20 V双P沟道MOSFET的沟道
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
管脚信息
符号说明
S1
G1
D2
S2
G2
D1
D1
D2
来源TR1
门TR1
漏TR2
来源TR2
门TR2
漏TR1
漏TR1
漏TR2
1
2
3
S1
S2
017aaa260
简化的轮廓
6
5
4
图形符号
D1
D2
7
8
G1
G2
透明的顶视图
DFN2020-6 （ SOT1118 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMDPB85UPE
DFN2020-6
描述
塑料的热增强型超薄小外形封装;
没有线索; 6码头
VERSION
SOT1118
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
2C
类型编号
PMDPB85UPE
5.极限值
表5 。
符号
每个晶体管
V
DS
V
GS
I
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
源极 - 漏极二极管
I
S
PMDPB85UPE
极限值
参数
条件
T
j
= 25 °C
[1]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
民
-
-8
-
-
-
-
[2]
[1]
最大
-20
8
-3.7
-2.9
-1.8
-11.6
515
1170
8330
-1.2
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
A
-
-
-
源出电流
T
AMB
= 25 °C
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[1]
-
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表5 。
符号
V
ESD
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
极限值
- 续
参数
静电放电电压
结温
环境温度
储存温度
条件
HBM ; C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
[3]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
民
-
-55
-55
-65
最大
2000
150
150
150
单位
V
°C
°C
°C
ESD最大额定值
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
测量之间的所有引脚。
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
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-10
2
I
D
(A)
-10
t
p
= 100 μs
t
p
= 1毫秒
t
p
= 10毫秒
DC ;牛逼
sp
= 25 °C
-10
-1
DC ;牛逼
AMB
= 25 °C;
漏装垫片6厘米
2
-10
-2
-10
-1
t
p
= 100毫秒
aaa-003928
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
-1
-1
-10
V
DS
(V)
-10
2
I
DM
- 单脉冲
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
6.热特性
表6 。
符号
每个晶体管
R
号（j -a）的
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
在自由空气
在自由空气中;牛逼
≤
5 s
[1]
[2]
[2]
热特性
参数
条件
民
-
-
-
-
典型值
211
93
55
12
最大
243
107
64
15
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
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10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.05
0.02
0.01
1
0
0.5
0.25
0.1
10
aaa-003929
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
10
0.05
0.02
1
0.01
0
0.5
0.25
0.1
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
aaa-003930
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水6厘米
2
图5 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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