PMDPB70XP
30V，双P沟道MOSFET的沟道
第1版 - 2012年3月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
双P沟道增强型场效应晶体管（ FET）在小和无引线
超薄SOT1118表面贴装器件（ SMD）采用沟槽式塑料封装
MOSFET技术。
1.2特点和优点
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
小型无引脚超薄贴片
塑料包装： 2 ×2× 0.65毫米
裸露漏极焊盘优秀
热传导
1.3应用
用于便携式设备的充电开关
DC / DC转换器
小型无刷直流电机驱动
电源管理电池驱动
便携
硬盘和计算能力
管理
1.4快速参考数据
表1中。
符号
每个晶体管
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -2.9 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
快速参考数据
参数
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-12
-
-
典型值
-
-
-
70
最大
-30
12
-3.8
87
单位
V
V
A
m
静态特性（每个晶体管）
[1]
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
恩智浦半导体
PMDPB70XP
30V，双P沟道MOSFET的沟道
5.极限值
表5 。
符号
每个晶体管
V
DS
V
GS
I
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨
≤
5 s
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤
10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
源极 - 漏极二极管
I
S
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[2]
[1]
[1]
[1]
[1]
极限值
参数
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-12
-
-
-
-
-
-
-
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
最大
-30
12
-3.8
-2.9
-1.9
-11.6
490
1170
8300
-1.2
150
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
A
°C
°C
°C
源出电流
结温
环境温度
储存温度
T
AMB
= 25 °C
-
-55
-55
-65
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
75
25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
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-10
2
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
-10
(1)
017aaa397
-1
(2)
(3)
(4)
-10
-1
(5)
(6)
-10
-2
-10
-1
-1
-10
V
DS
(V)
-10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 10 s
(2) t
p
= 100 s
（3 ）直流;牛逼
sp
= 25 °C
(4) t
p
= 10毫秒
(5) t
p
= 100毫秒
（ 6 ）直流;牛逼
AMB
= 25°C ;漏装垫片6厘米
2
图3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏 - 源功能
电压
6.热特性
表6 。
符号
每个晶体管
R
号（j -a）的
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
在自由空气
在自由空气中;牛逼
≤
5 s
在自由空气
[1]
[2]
[2]
热特性
参数
条件
民
-
-
-
-
典型值
223
93
55
10
最大
256
107
63
15
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水6厘米
2
.
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30V，双P沟道MOSFET的沟道
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.05
0.02
0.01
1
0
0.5
0.25
0.1
10
017aaa398
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图4 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
10
0.05
0.02
1
0.01
0
0.5
0.25
0.1
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
017aaa399
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，安装垫排水6厘米
2
图5 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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