【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管描述·带TO- 3封装高直】,IC型号PMD16K80,PMD16K80 PDF资料,PMD16K80经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

·达林顿

应用

·设计

在电源开关的使用

应用程序。

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

PMD16K60/80/100

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

参数

PMD16K60

PMD16K80

条件

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

集电极 - 基极电压

发射极开路

PMD16K100

PMD16K60

PMD16K80

集电极 - 发射极电压

开基

PMD16K100

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（峰值）

基极电流

功耗

马克斯。工作结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

60

80

100

60

80

100

5

20

40

0.5

200

-65~200

价值

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

PMD16K60

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

PMD16K80

PMD16K100

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

h

FE

I

CER

I

EBO

f

T

C

OB

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

直流电流增益

集电极截止电流

I

C

= 10A ;我

B

=40mA

I

C

= 10A ;我

B

=40mA

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

V

CE

=额定V

首席执行官

; R

BE

=Ω

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

条件

PMD16K60/80/100

民

60

80

100

典型值。

最大

单位

V

2.0

2.8

1000

20000

1.0

5.0

V

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

发射极截止电流

跃迁频率

I

C

= 7A ; V

CE

=3V;f=1.0kHz

输出电容

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1.0MHz

OR

CT

U

2.0

400

mA

兆赫

pF

4.0

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

PMD16K60/80/100

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸

OR

CT

U

3

功率晶体管

TO- 3案（续）

型号

IC

PNP

(A)

最大

10

30

8.0

10

16

10

40

PD

(W)

100

200

90

150

175

250

200

150

100

180

200

225

100

BVCBO BVCEO

(V)

民

500

100

60

80

60

80

60

80

100

600

--

60

90

120

40

60

80

100

40

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

(V)

民

200

90

60

80

60

80

60

80

100

400

60

90

120

40

60

80

100

40

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

* TYP

民

15

25

1,000

100

50

1,000

800

750

800

1,000

的hFE

最大

--

100

--

2,000

600

--

20,000

--

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

2.5

7.5

3.0

5.0

10

6.0

10

20

6.0

4.0

10

15

7.5

(V)

最大

3.3

0.8

4.0

2.5

5.0

4.0

2.0

2.5

(A)

8.0

7.5

8.0

10

16

10

40

30

12

6.0

4.0

10

15

7.5

NPN

BUY69C

MJ802

MJ1000

MJ1001

MJ3000

MJ3001

MJ4033

MJ4034

MJ4035

MJ10012

MJ10023

MJ11012

MJ11014

MJ11016

PMD10K40

PMD10K60

PMD10K80

PMD10K100

PMD12K40

PMD12K60

PMD12K80

PMD12K100

PMD1601K

PMD1602K

PMD1603K

PMD16K60

PMD16K80

PMD16K100

PMD18K60

PMD18K80

PMD18K100

SE9303

SE9304

SE9305

fT

* TYP

（兆赫）

民

10*

2.0

6.0

--

-

4.0

1.0

-

MJ4502

MJ 900

MJ 901

MJ2500

MJ2501

MJ4030

MJ4031

MJ4032

MJ11011

MJ11013

MJ11015

PMD11K40

PMD11K60

PMD11K80

PMD11K100

PMD13K40

PMD13K60

PMD13K80

PMD13K100

PMD1701K

PMD1702K

PMD1703K

PMD17K60

PMD17K80

PMD17K100

PMD19K60

PMD19K80

PMD19K100

SE9403

SE9404

SE9405

30

12

8.0

20

30

10

阴影部分表示达林顿。

使用60密耳的线索。

见机械规格209页

85

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

·达林顿

应用

·设计

在电源开关的使用

应用程序。

钉扎（参见图2 ）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

PMD16K60/80/100

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

参数

PMD16K60

V

CBO

集电极 - 基极电压

PMD16K80

PMD16K100

PMD16K60

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

PMD16K80

PMD16K100

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（峰值）

基极电流

功耗

马克斯。工作结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

60

80

100

60

80

100

5

20

40

0.5

200

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

PMD16K60

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

PMD16K80

PMD16K100

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

h

FE

I

CER

I

EBO

f

T

C

OB

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

直流电流增益

集电极截止电流

发射极截止电流

跃迁频率

输出电容

I

C

= 10A ;我

B

=40mA

I

C

= 10A ;我

B

=40mA

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

I

C

= 10A ; V

CE

=3V

V

CE

=额定V

首席执行官

; R

BE

=Ω

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 7A ; V

CE

=3V;f=1.0kHz

I

E

=0 ; V

CB

=10V;f=1.0MHz

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

条件

PMD16K60/80/100

民

60

80

100

典型值。

最大

单位

V

2.0

2.8

1000

20000

1.0

5.0

2.0

4.0

400

V

mA

兆赫

pF

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

PMD16K60/80/100

图2外形尺寸

3

145亚当斯大街Hauppauge的，纽约州11788美国

联系电话：（ 631 ） 435-1110 传真：（ 631 ） 435-1824